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公开(公告)号：WO2022039312A1
公开(公告)日：2022-02-24
申请号：PCT/KR2020/011334
申请日：2020-08-25
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 X-선 감쇠 기반 생체 이미징 기술에 관한 것으로, X-선 감쇠물질을 포함한 코어 구조체; 및 상기 코어 구조체 상에 형성되며, 생체적합성, 생체 내 비반응성을 갖는 물질로 이루어진 쉘 층을 포함하는 것을 특징으로 하여 비침습적으로 흉부 X-선에 사용되는 것과 같은 일반 X-선 촬영에 의해 간단하고, 신속하게 암 진단이 가능한 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101426493B1
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：KR1020130052290
申请日：2013-05-09
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01G11/48
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing conductive polymer hollow nanospheres for a pseudo-capacitor and, more specifically, to a method for manufacturing conductive polymer hollow nanospheres for a pseudo capacitor, comprising i) a step of polymerizing monomers of a conductive polymer on the surface and forming a conductive polymer by using polymer nanospheres as a mold under the presence of a dopant and oxidant; and ii) a step of removing the polymer nanospheres by using an organic solvent. According to the method for manufacturing conductive polymer hollow nanospheres for a pseudo-capacitor of the present invention, the surface area of the conductive polymer hollow nanosphere is maximized by preparing the conductive polymer in a hollow form and the conductive polymer hollow nanospheres are stacked in a multilayer structure, thereby increasing the capacitance of the conductive polymer hollow nanospheres. Also, the method enables mass production of the conductive polymer hollow nanospheres, thereby using the conductive polymer hollow nanospheres to a pseudo-capacitor.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造用于伪电容器的导电聚合物中空纳米球的制造方法，更具体地说，涉及一种用于制造用于伪电容器的导电聚合物中空纳米球的方法，该方法包括：i）将导电聚合物的单体聚合的步骤 并在掺杂剂和氧化剂存在下通过使用聚合物纳米球作为模具形成导电聚合物; 和ii）通过使用有机溶剂除去聚合物纳米球的步骤。 根据本发明的假电容器用导电性聚合物中空纳米球的制造方法，通过制备中空形状的导电性聚合物，导电性高分子中空纳米球的表面积最大化，导电性高分子中空纳米球层叠 多层结构，从而增加导电聚合物中空纳米球的电容。 此外，该方法能够大量生产导电聚合物中空纳米球，从而将导电聚合物中空纳米球用于假电容器。
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公开(公告)号：KR1020120120633A
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020110038338
申请日：2011-04-25
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A coating method of a surface of a mold for nanoimprint lithography with an anti-adhesive material is provided to provide high accuracy and contact angle for a mold of high steps or a micro mold with a period of 100 nm or less. CONSTITUTION: A coating method of a surface of a mold for nanoimprint lithography comprises: a step of conducting surface oxidation by reacting with basic oxide etchant; a step of attaching a weld surface of APTES of -OH(hydroxyl) group of a surface of a mold by reacting the mold with 3-aminopropyl triethoxysilane solution; and a step of reacting the mold with monoglycidyl ether terminated polydimethylsiloxane solution, and attaching PDMS material to the APTES as an anti-adhesive material.
Abstract translation: 目的：提供用于具有抗粘附材料的纳米压印光刻的模具表面的涂布方法，以对于高阶模具或微模具具有100nm以下的高精度和接触角。 构成：用于纳米压印光刻的模具表面的涂布方法包括：通过与碱性氧化物蚀刻剂反应进行表面氧化的步骤; 通过使模具与3-氨基丙基三乙氧基硅烷溶液反应来连接模具表面的-OH（羟基）基团的APTES的焊接表面的步骤; 以及使模具与单缩水甘油醚封端的聚二甲基硅氧烷溶液反应并将PDMS材料作为抗粘剂材料附着在APTES上的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101379321B1
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：KR1020110038338
申请日：2011-04-25
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노임프린트 리소그라피(nanoimprint lithography)용 주형 표면에 항부착성 물질(anti-adhesive material)을 코팅하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 나노임프린트 리소그라피용 주형(mold) 표면에 항부착성 물질을 코팅하는 방법에 있어서, ⅰ)주형을 염기성 산화용액과 반응시켜 표면 산화를 진행하는 단계,; ⅱ)상기 표면이 산화된 주형을 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-aminopropyl triethoxysilane, APTES) 용액과 반응시켜 주형 표면의 -OH(수산기)와 반응시켜 APTES를 주형 표면에 부착시키는 단계 및; ⅲ)상기 APTES가 부착된 주형을 모노글리시딜 에테르 폴리디메틸실록산(monoglycidyl ether terminated polydimethylsiloxane(PDMS)) 용액과 반응시켜 상기 APTES에 항부착성 물질로서 PDMS를 부착시키는 단계를 포함한 나노 임프린트 리소그라피용 주형 표면에 항부착성 물질을 코팅하는 방법에 관한 것으로, 본 발명은 기존의 광학적 산화방법을 사용하지 않아 주형을 손상시키지 않으면서도 나노임프린트 리소그래피용 주형, 특히 100nm 이하의 주기를 갖는 미세 주형이나 고단차의 주형에도 높은 정확도 및 접촉각을 갖도록 주형 표면에 효과적으로 항부착성 물질을 코팅하는 방법을 제공한다.
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020150123528A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：KR1020140050007
申请日：2014-04-25
Applicant: 국민대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 본발명은본 발명은수퍼캐패시터용투명전극, 그제조방법및 상기투명전극을포함한수퍼캐패시터에관한것으로, 보다상세하게는투명재질의기재상에형성되며 1차원나노기둥형태를갖는집전체물질과상기집전체물질상에순환전착법에의해 5 내지 30 나노미터두께로형성되는캐패시터물질이코팅된것을특징으로하는수퍼캐패시터용투명전극및 그제조방법에관한것으로, 본발명은 1차원나노구조를갖는 ITO 기둥에캐패시터물질을효과적으로코팅하여충방전특성및 내구성을높이면서투명도를유지하고경제성도확보할수 있는수퍼캐패시터용투명전극, 그제조방법및 상기투명전극을포함한수퍼캐패시터를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于超级电容器的透明电极及其制造方法以及包括该透明电极的超级电容器。 更具体地说，本发明涉及一种用于超级电容器的透明电极，该透明电极形成在透明基板上，并且涂覆有通过循环电沉积法形成的一维纳米柱型集电体材料和电容器材料，并且具有 厚度为5〜30nm，及其制造方法。 本发明提供一种用于超级电容器的透明电极，其通过在具有一维结构的ITO柱上有效地涂覆电容器材料，保持透明性和确保经济可行性来改善充电/放电特性和耐久性，其制造方法和 超级电容器包括透明电极。
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8.发明授权
公开(公告)号：KR101583701B1
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020140050007
申请日：2014-04-25
Applicant: 국민대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 본발명은본 발명은수퍼캐패시터용투명전극, 그제조방법및 상기투명전극을포함한수퍼캐패시터에관한것으로, 보다상세하게는투명재질의기재상에형성되며 1차원나노기둥형태를갖는집전체물질과상기집전체물질상에순환전착법에의해 5 내지 30 나노미터두께로형성되는캐패시터물질이코팅된것을특징으로하는수퍼캐패시터용투명전극및 그제조방법에관한것으로, 본발명은 1차원나노구조를갖는 ITO 기둥에캐패시터물질을효과적으로코팅하여충방전특성및 내구성을높이면서투명도를유지하고경제성도확보할수 있는수퍼캐패시터용투명전극, 그제조방법및 상기투명전극을포함한수퍼캐패시터를제공한다.
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