公开(公告)号：KR101489154B1

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：KR1020140078877

申请日：2014-06-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 임시형 ,  백형택

IPC: G01N27/00 ,  G01N27/30 ,  G01N33/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/318 ,  B82B3/00

CPC classification number: G01N27/403 ,  C23C14/18 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  G01N33/005 ,  G01N33/48721 ,  G01N33/50 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 (a) 기판 일면의 측단에 노치(notch) 형상을 가지는 하나 이상의 오목부를 형성시키는 단계; (b) 상기 오목부가 형성된 기판의 일면에 절연층을 형성시켜 나노갭(nano gap)을 발생시키는 단계; (c) 상기 절연층 상에 상기 나노갭을 가로지르는 하나 이상의 센싱 패턴을 형성시키는 단계; 및 (d) 상기 센싱 패턴의 양단에 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 나노갭 센서의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 나노갭 센서에 대한 것으로서, 본 발명에 따른 나노갭 센서의 제조방법에 의하면 실리콘 웨이퍼 등으로 이루어진 기판 상에 미세 균열을 형성시키는 기법을 이용해 저비용의 간단한 공정에 의해 나노갭을 제작한 후 나노갭 위에 금속 촉매층을 적층하여 특정 물질 또는 수소 등의 가스의 선택적 검출이 가능한 센서를 제조할 수 있다. 특히, 금속 촉매층으로서 팔라듐 또는 그 합금을 사용할 경우 다양한 수소 농도에 응답하는 고감도 수소센서를 대량으로 제작할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造使用残余应力的纳米隙传感器的方法，该方法包括以下步骤：（a）在衬底一侧的侧端形成凹陷形式的至少一个凹部;步骤（b），产生纳米凹槽 通过在具有凹部的基板的一侧形成绝缘层，在绝缘层上形成与纳米隙交叉的至少一个感测图案的步骤（c），以及在绝缘层的两端形成电极的工序（d） 感应模式; 和由此制造的纳米隙传感器。 根据本发明，制造纳米隙传感器的方法能够制造传感器，以便在纳米隙之后通过在纳米凹槽的顶部堆叠金属催化剂层来选择性地检测诸如特定材料，氢气等的气体 通过使用在由硅晶片等构成的基板上形成微裂纹的方法以简单的方法以低成本制造。 此外，当使用钯或其合金作为金属催化剂层时，可以大量地制造响应于各种氢浓度的高灵敏度氢传感器。