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公开(公告)号：KR1020170009660A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150102045
申请日：2015-07-17
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115
Abstract: 본발명은저항변화를이용한비휘발성메모리소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 적어도일부에알루미늄산화물의제 1 표면층을갖는적어도하나이상의제 1 배선구조체; 및적어도일부에상기알루미늄산화물의제 1 표면층과접촉하는탄소함유물의제 2 표면층을갖는적어도하나이상의제 2 배선구조체를포함하며, 상기제 1 배선구조체와상기제 2 배선구조체에인가되는전위또는전류에따라상기제 1 배선구조체의상기제 1 표면층과상기제 2 배선구조체의상기제 2 표면층의접촉계면에, 상기알루미늄산화물과상기탄소함유층의탄소사이에가역적전기화학적반응생성물이생성또는소멸되며, 상기가역적전기화학적반응생성물의생성또는소멸에따라, 상기제 1 배선구조체와상기제 2 배선구조체를따라흐르는전류의크기가제어되도록적어도 2 이상의저항값레벨을갖는비휘발성메모리소자가제공된다.
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公开(公告)号：KR101766151B1
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：KR1020160089758
申请日：2016-07-15
Applicant: 국민대학교산학협력단
CPC classification number: G01N27/041 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C16/06 , C23C16/45525 , C23C18/52 , C25D3/44 , G06K19/027
Abstract: 신축센서를제공한다. 상기신축센서는알루미늄산화물표면층을구비하는제1 배선, 및상기알루미늄산화물표면층에접촉하는탄소함유표면층을구비하는제2 배선을포함하며, 상기제1 배선과상기제2 배선에가해진신축정도에따라상기제1 배선과상기제2 배선사이의접촉저항은서로다른값을나타낸다.
Abstract translation: 由此提供弹性传感器。 其中伸长和收缩传感器包括具有氧化铝表面层的第一线和具有接触氧化铝表面层的含碳表面层的第二线， 并且第一布线和第二布线之间的接触电阻显示不同的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101766152B1
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：KR1020160089765
申请日：2016-07-15
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: G01N27/12 , G01N27/407 , D04H1/4242
CPC classification number: G01N27/129 , D04H1/4242 , G01N27/4071
Abstract: 분위기가스센서를제공한다. 상기분위기가스센서는알루미늄산화물표면층을구비하는제1 배선, 및상기알루미늄산화물표면층에접촉하는탄소함유표면층을구비하는제2 배선을포함하며, 상기제1 배선과상기제2 배선이놓여진분위기내의산소또는수증기의농도에따라상기제1 배선과상기제2 배선사이의접촉저항은서로다른값을나타낸다.
Abstract translation: 并提供一个大气气体传感器。 其中，气氛气体传感器包括具有氧化铝表面层的第一布线和具有与氧化铝表面层接触的含碳表面层的第二布线，其中放置第一布线和第二布线的气氛中的氧 或者，第一布线和第二布线之间的接触电阻根据水蒸汽的浓度而变化。
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公开(公告)号：KR101720867B1
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150102045
申请日：2015-07-17
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115
Abstract: 본발명은저항변화를이용한비휘발성메모리소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 적어도일부에알루미늄산화물의제 1 표면층을갖는적어도하나이상의제 1 배선구조체; 및적어도일부에상기알루미늄산화물의제 1 표면층과접촉하는탄소함유물의제 2 표면층을갖는적어도하나이상의제 2 배선구조체를포함하며, 상기제 1 배선구조체와상기제 2 배선구조체에인가되는전위또는전류에따라상기제 1 배선구조체의상기제 1 표면층과상기제 2 배선구조체의상기제 2 표면층의접촉계면에, 상기알루미늄산화물과상기탄소함유층의탄소사이에가역적전기화학적반응생성물이생성또는소멸되며, 상기가역적전기화학적반응생성물의생성또는소멸에따라, 상기제 1 배선구조체와상기제 2 배선구조체를따라흐르는전류의크기가제어되도록적어도 2 이상의저항값레벨을갖는비휘발성메모리소자가제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及使用电阻变化的非易失性存储器件。 根据本发明的一个实施例中，具有氧化铝的第一表面层的至少一个第一布线结构上的至少一部分上; 和至少，和一个部分，其包括至少一个或多个具有含碳水的第二表面层，其与氧化铝的第一表面层，所述第一布线的结构和施加到第二布线结构或电流的第一电势接触的第二布线结构的 根据与所述第一的第一表面层与所述第二对中的碳之间的布线结构中，氧化铝和可逆电化学反应产物的第二表面层的接触界面，并且所述产生的或熄灭的布线构造的含碳层， 取决于可逆代或电化学反应产物的消光，第一布线结构并且具有至少两个或更多个阻力水平，从而提供流过第二布线结构的电流的控制量的第二非易失性存储器装置。
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公开(公告)号：KR101720868B1
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150102064
申请日：2015-07-18
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L27/24 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 본발명은저항변화를이용한비휘발성메모리소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 적어도일부에알루미늄산화물의제 1 표면층을갖는적어도하나이상의제 1 선형배선구조체; 및적어도일부에상기알루미늄산화물의제 1 표면층과접촉하는탄소함유물의제 2 표면층을갖는적어도하나이상의제 2 선형배선구조체를포함하며, 상기제 1 선형배선구조체와상기제 2 선형배선구조체에인가되는전위또는전류에따라상기제 1 선형배선구조체의상기제 1 표면층과상기제 2 선형배선구조체의상기제 2 표면층의접촉계면에, 상기알루미늄산화물과상기탄소함유층의탄소사이에가역적전기화학적반응생성물이생성또는소멸되며, 상기가역적전기화학적반응생성물의생성또는소멸에따라, 상기제 1 선형배선구조체와상기제 2 선형배선구조체를따라흐르는전류의크기가제어되도록적어도 2 이상의저항값레벨을갖는비휘발성메모리소자가제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及使用电阻变化的非易失性存储器件。 根据本发明的实施例，提供了一种半导体器件，包括：至少一个第一线性布线结构，其至少具有氧化铝的第一表面层; 和至少一部分，并至少包括一个或多个与在与氧化铝的第一表面层接触的水含碳第二层多个第二线状配线结构，被施加到所述第一线性布线结构和第二线性布线结构 其中，所述第一表面层，并且其中根据所述电势或电流的第一线性布线结构的含碳反应产物用于线性布线结构，氧化铝和可逆电动碳的第二表面层的接触界面的第二个是 创建或破坏，根据产物的产生或消光的可逆电化学反应，所述第一线性布线结构和所述第二非易失性具有至少两个电阻电平，使得沿第二线性布线结构控制中流动的电流的大小 提供了一个存储器元件。
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公开(公告)号：KR1020170010286A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：KR1020150102064
申请日：2015-07-18
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L27/24 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 본발명은저항변화를이용한비휘발성메모리소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 적어도일부에알루미늄산화물의제 1 표면층을갖는적어도하나이상의제 1 선형배선구조체; 및적어도일부에상기알루미늄산화물의제 1 표면층과접촉하는탄소함유물의제 2 표면층을갖는적어도하나이상의제 2 선형배선구조체를포함하며, 상기제 1 선형배선구조체와상기제 2 선형배선구조체에인가되는전위또는전류에따라상기제 1 선형배선구조체의상기제 1 표면층과상기제 2 선형배선구조체의상기제 2 표면층의접촉계면에, 상기알루미늄산화물과상기탄소함유층의탄소사이에가역적전기화학적반응생성물이생성또는소멸되며, 상기가역적전기화학적반응생성물의생성또는소멸에따라, 상기제 1 선형배선구조체와상기제 2 선형배선구조체를따라흐르는전류의크기가제어되도록적어도 2 이상의저항값레벨을갖는비휘발성메모리소자가제공된다.
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