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公开(公告)号：KR101720868B1
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150102064
申请日：2015-07-18
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L27/24 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 본발명은저항변화를이용한비휘발성메모리소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 적어도일부에알루미늄산화물의제 1 표면층을갖는적어도하나이상의제 1 선형배선구조체; 및적어도일부에상기알루미늄산화물의제 1 표면층과접촉하는탄소함유물의제 2 표면층을갖는적어도하나이상의제 2 선형배선구조체를포함하며, 상기제 1 선형배선구조체와상기제 2 선형배선구조체에인가되는전위또는전류에따라상기제 1 선형배선구조체의상기제 1 표면층과상기제 2 선형배선구조체의상기제 2 표면층의접촉계면에, 상기알루미늄산화물과상기탄소함유층의탄소사이에가역적전기화학적반응생성물이생성또는소멸되며, 상기가역적전기화학적반응생성물의생성또는소멸에따라, 상기제 1 선형배선구조체와상기제 2 선형배선구조체를따라흐르는전류의크기가제어되도록적어도 2 이상의저항값레벨을갖는비휘발성메모리소자가제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及使用电阻变化的非易失性存储器件。 根据本发明的实施例，提供了一种半导体器件，包括：至少一个第一线性布线结构，其至少具有氧化铝的第一表面层; 和至少一部分，并至少包括一个或多个与在与氧化铝的第一表面层接触的水含碳第二层多个第二线状配线结构，被施加到所述第一线性布线结构和第二线性布线结构 其中，所述第一表面层，并且其中根据所述电势或电流的第一线性布线结构的含碳反应产物用于线性布线结构，氧化铝和可逆电动碳的第二表面层的接触界面的第二个是 创建或破坏，根据产物的产生或消光的可逆电化学反应，所述第一线性布线结构和所述第二非易失性具有至少两个电阻电平，使得沿第二线性布线结构控制中流动的电流的大小 提供了一个存储器元件。
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公开(公告)号：KR1020170010286A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：KR1020150102064
申请日：2015-07-18
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L27/24 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 본발명은저항변화를이용한비휘발성메모리소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 적어도일부에알루미늄산화물의제 1 표면층을갖는적어도하나이상의제 1 선형배선구조체; 및적어도일부에상기알루미늄산화물의제 1 표면층과접촉하는탄소함유물의제 2 표면층을갖는적어도하나이상의제 2 선형배선구조체를포함하며, 상기제 1 선형배선구조체와상기제 2 선형배선구조체에인가되는전위또는전류에따라상기제 1 선형배선구조체의상기제 1 표면층과상기제 2 선형배선구조체의상기제 2 표면층의접촉계면에, 상기알루미늄산화물과상기탄소함유층의탄소사이에가역적전기화학적반응생성물이생성또는소멸되며, 상기가역적전기화학적반응생성물의생성또는소멸에따라, 상기제 1 선형배선구조체와상기제 2 선형배선구조체를따라흐르는전류의크기가제어되도록적어도 2 이상의저항값레벨을갖는비휘발성메모리소자가제공된다.
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公开(公告)号：KR101884561B1
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：KR1020170032268
申请日：2017-03-15
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 질소도핑된금속산화물반도체층을구비하는금속산화물박막트랜지스터제조방법을제공한다. 금속산화물박막트랜지스터제조방법은, 기판상에게이트전극을형성하는단계, 게이트전극상에게이트절연막을형성하는단계, 게이트절연막상에위치하고, 게이트절연막과의계면에질소가도핑된금속산화물반도체층을형성하는단계및 금속산화물반도체층의양단에접속하는소스전극및 드레인전극을형성하는단계를포함할수 있다. 본발명에따르면, 금속산화물반도체층및 게이트절연막의계면에질소기능기를도입함으로써, 금속산화물의산소공공의비율을높여금속산화물반도체박막트랜지스터의특성을향상시킬수 있다.
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4.发明公开
公开(公告)号：KR1020170098776A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020170105437
申请日：2017-08-21
Applicant: 국민대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/0508 , C07C15/20 , H01L27/3274 , H01L51/0055 , H01L51/107 , H01L2251/10
Abstract: 본발명은, (a) 유기반도체및 분자량 1 내지 40 kDa의고분자절연체를포함하는혼합용액을제조하는단계; (b) 기판상에존 캐스팅방법(zone casting)을이용해상기혼합용액을도포하여코팅층을형성시키는단계; 및 (c) 상기코팅층을건조하는단계를포함하는유기박막의제조방법을제공한다. 본발명에따른유기박막의제조방법에따르면, 유기박막제조시고분자절연체를첨가하여고가의소재인유기반도체의함량을감소시켜경제적이면서도우수한전기적특성을나타내는유기박막을제조할수 있으며, 고분자절연체와유기반도체를일정비율로혼합한혼합용액을기판상에존 캐스팅방법으로코팅하는단일공정을통해대면적의유기박막을효과적으로제조할수 있다. 또한, 상기고분자절연체와유기반도체의포함함량을조절하여유기박막의결정성제어가가능해유기박막의전기적특성을조절할수 있어다양한용도에활용가능한유기박막을제조할수 있다.
Abstract translation: （A）制备包含有机半导体和分子量为1至40kDa的聚合物绝缘体的混合溶液; （b）使用区域流延法将混合溶液涂布在基板上以形成涂层; 和（c）干燥涂层。 根据制造根据本发明的有机薄膜的方法，以及制造该有机薄膜，所述聚合物绝缘体和有机期间可以制造的有机薄膜示出了经济和优异的电特性，以减少昂贵的材料在有机半导体与聚合物绝缘体的内容被添加 通过用区域流延法将在衬底上混合一定比例的半导体得到的混合溶液涂布在基板上的单一工序，可以有效地制造大面积的有机薄膜。 此外，通过控制有机分辨率定性控制的聚合物绝缘体和有机半导体薄膜的含有量所以能够能够控制有机薄膜的电性能，可以制备有机薄膜可利用的各种应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170009660A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150102045
申请日：2015-07-17
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115
Abstract: 본발명은저항변화를이용한비휘발성메모리소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 적어도일부에알루미늄산화물의제 1 표면층을갖는적어도하나이상의제 1 배선구조체; 및적어도일부에상기알루미늄산화물의제 1 표면층과접촉하는탄소함유물의제 2 표면층을갖는적어도하나이상의제 2 배선구조체를포함하며, 상기제 1 배선구조체와상기제 2 배선구조체에인가되는전위또는전류에따라상기제 1 배선구조체의상기제 1 표면층과상기제 2 배선구조체의상기제 2 표면층의접촉계면에, 상기알루미늄산화물과상기탄소함유층의탄소사이에가역적전기화학적반응생성물이생성또는소멸되며, 상기가역적전기화학적반응생성물의생성또는소멸에따라, 상기제 1 배선구조체와상기제 2 배선구조체를따라흐르는전류의크기가제어되도록적어도 2 이상의저항값레벨을갖는비휘발성메모리소자가제공된다.
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6.发明公开존 캐스팅을 이용한 유기 반도체 및 절연성 고분자 포함 유기 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 审中-实审一种有机薄膜的制造方法以及有机薄膜晶体管，所述有机薄膜包括有机半导体和使用区域铸造的绝缘聚合物
公开(公告)号：KR1020170078346A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188775
申请日：2015-12-29
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: 본발명은 (a) 유기반도체 20 내지 40 중량% 및분자량 3 내지 40 kDa의고분자절연체 60 내지 80 중량%를용매에혼합하여혼합용액을제조하는단계; (b) 기판상에존 캐스팅방법(zone casting)을이용하여상기혼합용액을도포하여코팅층을형성시키는단계; 및 (c) 상기코팅층을건조하는단계를포함하는유기박막의제조방법을제공한다. 본발명에따른유기박막의제조방법에따르면, 기판상에고분자절연체와유기반도체를혼합한혼합용액을존 캐스팅방법으로코팅하여고가의소재인유기반도체의사용함량을줄여종래에비해제조비용을크게감소시키고대면적의우수한전기적특성을가지는유기박막을제조할수 있다. 또한, 고분자절연체와유기반도체의혼합비율을조절하여유기박막의전기적특성을조절할수 있어다양한용도에활용가능한유기박막트랜지스터의제조를위해활용가능하다.
Abstract translation: （A）通过在溶剂中混合20至40重量％的有机半导体和60至80重量％的分子量为3至40kDa的聚合物绝缘体来制备混合溶液; （b）使用区域浇铸将所述混合溶液涂布在所述基板上以形成涂层; 和（c）干燥涂层。 根据本发明的制造有机薄膜的方法，通过区域浇铸法涂布通过在基板上混合聚合物绝缘体和有机半导体而获得的混合溶液，以减少作为昂贵材料的有机半导体的使用量， 并且可以制造具有优异的大面积电特性的有机薄膜。 另外，由于可以通过控制聚合物绝缘体和有机半导体的混合比来控制有机薄膜的电特性，所以可以将有机薄膜晶体管用于制造可用于各种应用的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：KR101682501B1
公开(公告)日：2016-12-05
申请号：KR1020140083938
申请日：2014-07-04
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: 본발명에따른투명전극은기판, 상기기판상에형성된그래핀(graphene)층및 상기그래핀층상에형성된은(Ag)나노와이어패턴층을포함하며, 본발명에따른투명전극의제조방법은, (a) 기판상에그래핀층을형성시키는단계, (b) 상기기판상에형성된그래핀층의표면에포토레지스트패턴을형성시키는단계, (c) 상기포토레지스트패턴이형성된그래핀층상에은 나노와이어용액을코팅하여은 나노와이어패턴층을형성시키는단계및 (d) 상기포토레지스트패턴을제거하는단계를포함한다.본발명에따른투명전극은, 그래핀옥사이드의환원에의해형성되며안정한 sp혼성탄소구조로이루어져있어전기적, 열적및 기계적특성이뛰어난그래핀층및 은나노와이어패턴층을포함함으로써, 기존의 ITO나 FTO 등의투명금속산화물전극을대체할수 있을정도로우수한전기전도성및 투과성을가질뿐만아니라, 투명전극전면에걸쳐고른투과율을확보할수 있고, 개구율을임의로제어할수 있으며, 또한, 본발명의투명전극제조방법은전체공정의용액화를통해저온, 상압상태에서투명전극을제조할수 있으므로, 제조원가의절감, 제조공정의단순화, 대면적화의용이성등의장점외에도, 플라스틱기판등과같은유연성기판상에전술한우수한특성을가지는투명전극을형성할수 있기때문에각종유연성소자의제조에유용하게사용될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的透明电极包括基板，形成在基板上的石墨烯层和形成在石墨烯层上的银（Ag）纳米线图案层。 根据本发明的制造包含图案化的Ag纳米线和还原型石墨烯氧化物的透明电极的方法包括以下步骤：（a）在基底上形成石墨烯层; （b）使用光致抗蚀剂图案化形成在所述基板上的所述石墨烯层的表面; （c）通过用Ag纳米线溶液涂覆图案化的石墨烯层来形成Ag纳米线图案化层; 和（d）去除光致抗蚀剂。 根据本发明的透明电极包括：具有通过还原石墨烯氧化物形成的具有优异的电气和机械特性形成的稳定的sp 2 - 杂化碳结构的石墨烯层; 和Ag纳米线图案层。 因此，透明电极具有优异的导电性和导电性，足以代替现有的透明金属氧化物电极如ITO或FTO电极，在透明电极的整个表面上显示出均匀的渗透性，并且任意地控制开口率。 此外，根据本发明的透明电极的制造方法，由于透明电极可以通过整个纯溶液工艺在低温和大气压下制成，所以可以在柔性基板上形成透明电极 作为塑料基板，具有上述优异特性的透明电极以及制造成本的降低，制造工艺的简化以及制造大面积电极的容易性等优点。 因此，本发明的透明电极可用于制造各种灵活的装置。
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公开(公告)号：KR1020160004846A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020140083938
申请日：2014-07-04
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: 본발명에따른투명전극은기판, 상기기판상에형성된그래핀(graphene)층및 상기그래핀층상에형성된은(Ag)나노와이어패턴층을포함하며, 본발명에따른투명전극의제조방법은패터닝된 은나노와이어와환원된그래핀옥사이드를포함하는투명전극제조방법은 (a) 기판상에그래핀층을형성시키는단계, (b) 상기기판상에형성된그래핀층의표면을포토레지스트를이용해패터닝하는단계, (c) 상기패터닝된그래핀층상에은 나노와이어용액을코팅하여은 나노와이어패턴층을형성시키는단계및 (d) 포토레지스트를제거하는단계를포함한다. 본발명에따른투명전극은, 그래핀옥사이드의환원에의해형성되며안정한 sp혼성탄소구조로이루어져있어전기적, 열적및 기계적특성이뛰어난그래핀층및 은나노와이어패턴층을포함함으로써, 기존의 ITO나 FTO 등의투명금속산화물전극을대체할수 있을정도로우수한전기전도성및 투과성을가질뿐만아니라, 투명전극전면에걸쳐고른투과율을확보할수 있고, 개구율을임의로제어할수 있으며, 또한, 본발명의투명전극제조방법은전체공정의용액화를통해저온, 상압상태에서투명전극을제조할수 있으므로, 제조원가의절감, 제조공정의단순화, 대면적화의용이성등의장점외에도, 플라스틱기판등과같은유연성기판상에전술한우수한특성을가지는투명전극을형성할수 있기때문에각종유연성소자의제조에유용하게사용될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的透明电极包括基板，形成在基板上的石墨烯层和形成在石墨烯层上的银（Ag）纳米线图案层。 根据本发明的制造包含图案化的Ag纳米线和还原型石墨烯氧化物的透明电极的方法包括以下步骤：（a）在基底上形成石墨烯层; （b）使用光致抗蚀剂图案化形成在所述基板上的所述石墨烯层的表面; （c）通过用Ag纳米线溶液涂覆图案化的石墨烯层来形成Ag纳米线图案化层; 和（d）去除光致抗蚀剂。 根据本发明的透明电极包括：具有通过还原石墨烯氧化物形成的具有优异的电气和机械特性形成的稳定的sp 2 - 杂化碳结构的石墨烯层; 和Ag纳米线图案层。 因此，透明电极具有优异的导电性和导电性，足以代替现有的透明金属氧化物电极如ITO或FTO电极，在透明电极的整个表面上显示出均匀的渗透性，并且任意地控制孔径比。 此外，根据本发明的透明电极的制造方法，由于透明电极可以通过整个纯溶液工艺在低温和大气压下制成，所以可以在柔性基板上形成透明电极 作为塑料基板，具有上述优异特性的透明电极以及制造成本的降低，制造工艺的简化以及制造大面积电极的容易性等优点。 因此，本发明的透明电极可用于制造各种灵活的装置。
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公开(公告)号：KR101720867B1
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150102045
申请日：2015-07-17
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115
Abstract: 본발명은저항변화를이용한비휘발성메모리소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 적어도일부에알루미늄산화물의제 1 표면층을갖는적어도하나이상의제 1 배선구조체; 및적어도일부에상기알루미늄산화물의제 1 표면층과접촉하는탄소함유물의제 2 표면층을갖는적어도하나이상의제 2 배선구조체를포함하며, 상기제 1 배선구조체와상기제 2 배선구조체에인가되는전위또는전류에따라상기제 1 배선구조체의상기제 1 표면층과상기제 2 배선구조체의상기제 2 표면층의접촉계면에, 상기알루미늄산화물과상기탄소함유층의탄소사이에가역적전기화학적반응생성물이생성또는소멸되며, 상기가역적전기화학적반응생성물의생성또는소멸에따라, 상기제 1 배선구조체와상기제 2 배선구조체를따라흐르는전류의크기가제어되도록적어도 2 이상의저항값레벨을갖는비휘발성메모리소자가제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及使用电阻变化的非易失性存储器件。 根据本发明的一个实施例中，具有氧化铝的第一表面层的至少一个第一布线结构上的至少一部分上; 和至少，和一个部分，其包括至少一个或多个具有含碳水的第二表面层，其与氧化铝的第一表面层，所述第一布线的结构和施加到第二布线结构或电流的第一电势接触的第二布线结构的 根据与所述第一的第一表面层与所述第二对中的碳之间的布线结构中，氧化铝和可逆电化学反应产物的第二表面层的接触界面，并且所述产生的或熄灭的布线构造的含碳层， 取决于可逆代或电化学反应产物的消光，第一布线结构并且具有至少两个或更多个阻力水平，从而提供流过第二布线结构的电流的控制量的第二非易失性存储器装置。
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