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1.존 캐스팅 방법을 이용한 유기 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 审中-实审
Title translation: 使用区域铸造法和有机薄膜晶体管制造有机薄膜的方法公开(公告)号:KR1020170098776A
公开(公告)日:2017-08-30
申请号:KR1020170105437
申请日:2017-08-21
Applicant: 국민대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/0508 , C07C15/20 , H01L27/3274 , H01L51/0055 , H01L51/107 , H01L2251/10
Abstract: 본발명은, (a) 유기반도체및 분자량 1 내지 40 kDa의고분자절연체를포함하는혼합용액을제조하는단계; (b) 기판상에존 캐스팅방법(zone casting)을이용해상기혼합용액을도포하여코팅층을형성시키는단계; 및 (c) 상기코팅층을건조하는단계를포함하는유기박막의제조방법을제공한다. 본발명에따른유기박막의제조방법에따르면, 유기박막제조시고분자절연체를첨가하여고가의소재인유기반도체의함량을감소시켜경제적이면서도우수한전기적특성을나타내는유기박막을제조할수 있으며, 고분자절연체와유기반도체를일정비율로혼합한혼합용액을기판상에존 캐스팅방법으로코팅하는단일공정을통해대면적의유기박막을효과적으로제조할수 있다. 또한, 상기고분자절연체와유기반도체의포함함량을조절하여유기박막의결정성제어가가능해유기박막의전기적특성을조절할수 있어다양한용도에활용가능한유기박막을제조할수 있다.
Abstract translation: (A)制备包含有机半导体和分子量为1至40kDa的聚合物绝缘体的混合溶液; (b)使用区域流延法将混合溶液涂布在基板上以形成涂层; 和(c)干燥涂层。 根据制造根据本发明的有机薄膜的方法,以及制造该有机薄膜,所述聚合物绝缘体和有机期间可以制造的有机薄膜示出了经济和优异的电特性,以减少昂贵的材料在有机半导体与聚合物绝缘体的内容被添加 通过用区域流延法将在衬底上混合一定比例的半导体得到的混合溶液涂布在基板上的单一工序,可以有效地制造大面积的有机薄膜。 此外,通过控制有机分辨率定性控制的聚合物绝缘体和有机半导体薄膜的含有量所以能够能够控制有机薄膜的电性能,可以制备有机薄膜可利用的各种应用。
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2.존 캐스팅을 이용한 유기 반도체 및 절연성 고분자 포함 유기 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 审中-实审
Title translation: 一种有机薄膜的制造方法以及有机薄膜晶体管,所述有机薄膜包括有机半导体和使用区域铸造的绝缘聚合物公开(公告)号:KR1020170078346A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:KR1020150188775
申请日:2015-12-29
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: 본발명은 (a) 유기반도체 20 내지 40 중량% 및분자량 3 내지 40 kDa의고분자절연체 60 내지 80 중량%를용매에혼합하여혼합용액을제조하는단계; (b) 기판상에존 캐스팅방법(zone casting)을이용하여상기혼합용액을도포하여코팅층을형성시키는단계; 및 (c) 상기코팅층을건조하는단계를포함하는유기박막의제조방법을제공한다. 본발명에따른유기박막의제조방법에따르면, 기판상에고분자절연체와유기반도체를혼합한혼합용액을존 캐스팅방법으로코팅하여고가의소재인유기반도체의사용함량을줄여종래에비해제조비용을크게감소시키고대면적의우수한전기적특성을가지는유기박막을제조할수 있다. 또한, 고분자절연체와유기반도체의혼합비율을조절하여유기박막의전기적특성을조절할수 있어다양한용도에활용가능한유기박막트랜지스터의제조를위해활용가능하다.
Abstract translation: (A)通过在溶剂中混合20至40重量%的有机半导体和60至80重量%的分子量为3至40kDa的聚合物绝缘体来制备混合溶液; (b)使用区域浇铸将所述混合溶液涂布在所述基板上以形成涂层; 和(c)干燥涂层。 根据本发明的制造有机薄膜的方法,通过区域浇铸法涂布通过在基板上混合聚合物绝缘体和有机半导体而获得的混合溶液,以减少作为昂贵材料的有机半导体的使用量, 并且可以制造具有优异的大面积电特性的有机薄膜。 另外,由于可以通过控制聚合物绝缘体和有机半导体的混合比来控制有机薄膜的电特性,所以可以将有机薄膜晶体管用于制造可用于各种应用的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号:KR101682501B1
公开(公告)日:2016-12-05
申请号:KR1020140083938
申请日:2014-07-04
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: 본발명에따른투명전극은기판, 상기기판상에형성된그래핀(graphene)층및 상기그래핀층상에형성된은(Ag)나노와이어패턴층을포함하며, 본발명에따른투명전극의제조방법은, (a) 기판상에그래핀층을형성시키는단계, (b) 상기기판상에형성된그래핀층의표면에포토레지스트패턴을형성시키는단계, (c) 상기포토레지스트패턴이형성된그래핀층상에은 나노와이어용액을코팅하여은 나노와이어패턴층을형성시키는단계및 (d) 상기포토레지스트패턴을제거하는단계를포함한다.본발명에따른투명전극은, 그래핀옥사이드의환원에의해형성되며안정한 sp혼성탄소구조로이루어져있어전기적, 열적및 기계적특성이뛰어난그래핀층및 은나노와이어패턴층을포함함으로써, 기존의 ITO나 FTO 등의투명금속산화물전극을대체할수 있을정도로우수한전기전도성및 투과성을가질뿐만아니라, 투명전극전면에걸쳐고른투과율을확보할수 있고, 개구율을임의로제어할수 있으며, 또한, 본발명의투명전극제조방법은전체공정의용액화를통해저온, 상압상태에서투명전극을제조할수 있으므로, 제조원가의절감, 제조공정의단순화, 대면적화의용이성등의장점외에도, 플라스틱기판등과같은유연성기판상에전술한우수한특성을가지는투명전극을형성할수 있기때문에각종유연성소자의제조에유용하게사용될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的透明电极包括基板,形成在基板上的石墨烯层和形成在石墨烯层上的银(Ag)纳米线图案层。 根据本发明的制造包含图案化的Ag纳米线和还原型石墨烯氧化物的透明电极的方法包括以下步骤:(a)在基底上形成石墨烯层; (b)使用光致抗蚀剂图案化形成在所述基板上的所述石墨烯层的表面; (c)通过用Ag纳米线溶液涂覆图案化的石墨烯层来形成Ag纳米线图案化层; 和(d)去除光致抗蚀剂。 根据本发明的透明电极包括:具有通过还原石墨烯氧化物形成的具有优异的电气和机械特性形成的稳定的sp 2 - 杂化碳结构的石墨烯层; 和Ag纳米线图案层。 因此,透明电极具有优异的导电性和导电性,足以代替现有的透明金属氧化物电极如ITO或FTO电极,在透明电极的整个表面上显示出均匀的渗透性,并且任意地控制开口率。 此外,根据本发明的透明电极的制造方法,由于透明电极可以通过整个纯溶液工艺在低温和大气压下制成,所以可以在柔性基板上形成透明电极 作为塑料基板,具有上述优异特性的透明电极以及制造成本的降低,制造工艺的简化以及制造大面积电极的容易性等优点。 因此,本发明的透明电极可用于制造各种灵活的装置。
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公开(公告)号:KR1020160004846A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:KR1020140083938
申请日:2014-07-04
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: 본발명에따른투명전극은기판, 상기기판상에형성된그래핀(graphene)층및 상기그래핀층상에형성된은(Ag)나노와이어패턴층을포함하며, 본발명에따른투명전극의제조방법은패터닝된 은나노와이어와환원된그래핀옥사이드를포함하는투명전극제조방법은 (a) 기판상에그래핀층을형성시키는단계, (b) 상기기판상에형성된그래핀층의표면을포토레지스트를이용해패터닝하는단계, (c) 상기패터닝된그래핀층상에은 나노와이어용액을코팅하여은 나노와이어패턴층을형성시키는단계및 (d) 포토레지스트를제거하는단계를포함한다. 본발명에따른투명전극은, 그래핀옥사이드의환원에의해형성되며안정한 sp혼성탄소구조로이루어져있어전기적, 열적및 기계적특성이뛰어난그래핀층및 은나노와이어패턴층을포함함으로써, 기존의 ITO나 FTO 등의투명금속산화물전극을대체할수 있을정도로우수한전기전도성및 투과성을가질뿐만아니라, 투명전극전면에걸쳐고른투과율을확보할수 있고, 개구율을임의로제어할수 있으며, 또한, 본발명의투명전극제조방법은전체공정의용액화를통해저온, 상압상태에서투명전극을제조할수 있으므로, 제조원가의절감, 제조공정의단순화, 대면적화의용이성등의장점외에도, 플라스틱기판등과같은유연성기판상에전술한우수한특성을가지는투명전극을형성할수 있기때문에각종유연성소자의제조에유용하게사용될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的透明电极包括基板,形成在基板上的石墨烯层和形成在石墨烯层上的银(Ag)纳米线图案层。 根据本发明的制造包含图案化的Ag纳米线和还原型石墨烯氧化物的透明电极的方法包括以下步骤:(a)在基底上形成石墨烯层; (b)使用光致抗蚀剂图案化形成在所述基板上的所述石墨烯层的表面; (c)通过用Ag纳米线溶液涂覆图案化的石墨烯层来形成Ag纳米线图案化层; 和(d)去除光致抗蚀剂。 根据本发明的透明电极包括:具有通过还原石墨烯氧化物形成的具有优异的电气和机械特性形成的稳定的sp 2 - 杂化碳结构的石墨烯层; 和Ag纳米线图案层。 因此,透明电极具有优异的导电性和导电性,足以代替现有的透明金属氧化物电极如ITO或FTO电极,在透明电极的整个表面上显示出均匀的渗透性,并且任意地控制孔径比。 此外,根据本发明的透明电极的制造方法,由于透明电极可以通过整个纯溶液工艺在低温和大气压下制成,所以可以在柔性基板上形成透明电极 作为塑料基板,具有上述优异特性的透明电极以及制造成本的降低,制造工艺的简化以及制造大面积电极的容易性等优点。 因此,本发明的透明电极可用于制造各种灵活的装置。
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