公开(公告)号：KR20210015119A

公开(公告)日：2021-02-10

申请号：KR20190093469

申请日：2019-07-31

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 김영호 ,  고성용 ,  이현진 ,  정현철 ,  장아름 ,  김종기

IPC: H01L31/105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L29/868 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명의일 실시예에따른광 다이오드의활성화영역형성방법은, 일면에관심영역이설정되는덮개층을형성하는단계; 상기덮개층의일면에확산억제층을적층하는단계; 상기확산억제층내 상기관심영역의경계를기초로결정되는제 1 마스킹영역이외의영역을식각하는단계; 상기식각된확산억제층및 상기식각에의해노출된상기덮개층상에 SOG(spin-on-glass) 공정을통해 SOG 층을적층하는단계; 상기 SOG 층내 상기관심영역을기초로결정되는제 2 마스킹영역이외의영역을식각하는단계; 및상기식각된 SOG 층에대해확산공정을수행하여상기덮개층내 상기관심영역에대응되는활성화영역을형성하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR102245138B1

公开(公告)日：2021-04-28

申请号：KR1020190093469

申请日：2019-07-31

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 김영호 ,  고성용 ,  이현진 ,  정현철 ,  장아름 ,  김종기

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L29/868 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명의일 실시예에따른광 다이오드의활성화영역형성방법은, 일면에관심영역이설정되는덮개층을형성하는단계; 상기덮개층의일면에확산억제층을적층하는단계; 상기확산억제층내 상기관심영역의경계를기초로결정되는제 1 마스킹영역이외의영역을식각하는단계; 상기식각된확산억제층및 상기식각에의해노출된상기덮개층상에 SOG(spin-on-glass) 공정을통해 SOG 층을적층하는단계; 상기 SOG 층내 상기관심영역을기초로결정되는제 2 마스킹영역이외의영역을식각하는단계; 및상기식각된 SOG 층에대해확산공정을수행하여상기덮개층내 상기관심영역에대응되는활성화영역을형성하는단계를포함한다.