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公开(公告)号：KR20210028427A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190109499A
申请日：2019-09-04
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 이중대역 장거리 빗각촬영 비열화 광학계가 개시된다. 상기 이중대역 장거리 빗각촬영 비열화 광학계는, 광원을 받아 반사된 반사 광원 및 투과된 투과 광원으로 분리하는 전단 광학계, 및 상기 반사 광원과 투과 광원을 각각 집속시키는 후단 광학계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반사 광원은 VNIR(Visible and Near Infrared) 대역에서 발생하고, 상기 투과 광원은 MWIR(Midwave Infraed) 대역에서 발생하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：WO2020106022A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：PCT/KR2019/015858
申请日：2019-11-19
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01S3/48
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 배열 안테나의 신호 방향 탐지 방법은, 신호를 수신하는 단계와, 적어도 3개의 안테나를 포함하는 원형 배열 안테나에서 서로 인접한 2개의 안테나를 연결하는 복수의 기준선 각각의 상기 신호에 대한 위상차를 산정하는 단계와, 상기 복수의 기준선 중 상기 산정된 위상차의 절대값이 최소가 되는 기준선을 선택하는 단계와, 상기 선택된 기준선에 대한 상기 신호의 상대방위각을 산출하는 단계와, 상기 산출된 상대방위각이 복수인 경우, 상기 신호의 상기 복수의 기준선에 대한 위상차 크기 순서를 산출하는 단계와, 상기 산출된 복수의 상대방위각 각각에 대한 상기 신호의 방위각을 산출하고, 상기 산출된 위상차 크기 순서가 기저장된 위상차 크기 순서에 대응하는지 여부를 판정하는 것에 기초하여 상기 산출된 복수의 방위각 중 상기 신호의 방향을 나타내는 최종방위각을 결정하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102245138B1
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：KR1020190093469
申请日：2019-07-31
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L29/868 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 본발명의일 실시예에따른광 다이오드의활성화영역형성방법은, 일면에관심영역이설정되는덮개층을형성하는단계; 상기덮개층의일면에확산억제층을적층하는단계; 상기확산억제층내 상기관심영역의경계를기초로결정되는제 1 마스킹영역이외의영역을식각하는단계; 상기식각된확산억제층및 상기식각에의해노출된상기덮개층상에 SOG(spin-on-glass) 공정을통해 SOG 층을적층하는단계; 상기 SOG 층내 상기관심영역을기초로결정되는제 2 마스킹영역이외의영역을식각하는단계; 및상기식각된 SOG 층에대해확산공정을수행하여상기덮개층내 상기관심영역에대응되는활성화영역을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR20210015119A
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：KR20190093469
申请日：2019-07-31
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/105 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L29/868 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 본발명의일 실시예에따른광 다이오드의활성화영역형성방법은, 일면에관심영역이설정되는덮개층을형성하는단계; 상기덮개층의일면에확산억제층을적층하는단계; 상기확산억제층내 상기관심영역의경계를기초로결정되는제 1 마스킹영역이외의영역을식각하는단계; 상기식각된확산억제층및 상기식각에의해노출된상기덮개층상에 SOG(spin-on-glass) 공정을통해 SOG 층을적층하는단계; 상기 SOG 층내 상기관심영역을기초로결정되는제 2 마스킹영역이외의영역을식각하는단계; 및상기식각된 SOG 층에대해확산공정을수행하여상기덮개층내 상기관심영역에대응되는활성화영역을형성하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101807420B1
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：KR1020160113373
申请日：2016-09-02
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: H01L2224/73204 , H01L2924/10155
Abstract: 본발명은반도체패키지에관한것으로, 보다상세하게는음각으로홈이파인트렌치가형성된인쇄회로기판또는반도체칩을적용함으로써, 언더필공정시 언더필물질의유입속도를조절하고공기층형성을방지하여보다높은품질및 신뢰성을갖는반도체패키지에관한것이다. 본발명은인쇄회로기판과반도체칩이솔더범프를사이에두고플립칩본딩을이루고, 상기솔더범프에의해형성된본딩갭에언더필물질이충진되는반도체패키지에있어서, 상기인쇄회로기판또는상기반도체칩은상기플립칩본딩이이루어지는면에상기면의가장자리를따라음각으로홈이파인트렌치가형성된것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020000000778A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980020623
申请日：1998-06-03
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L23/528
Abstract: PURPOSE: An H2 plasma reflow method is provided to improve a bonding reliability and a fatigue life by using an indium bump used as an interconnection of IRFPA(infrared focal plane array) having high height. CONSTITUTION: The method comprises the steps of depositing a protective layer on a chip; opening a portion of a conductive metal pad using a photoresist pattern as a mask; depositing an UBM(under bump metallurgy) on the resultant structure; removing the photoresist pattern to form a diffusion prevention pattern; forming an indium bump having a wide cross sectional area compared to the UBM; and reflowing the indium bump by exposing the indium bump to a plasma.
Abstract translation: 目的：提供H2等离子体回流方法，通过使用用作具有高高度的IRFPA（红外焦平面阵列）的互连的铟凸块来提高接合可靠性和疲劳寿命。 构成：该方法包括在芯片上沉积保护层的步骤; 使用光致抗蚀剂图案作为掩模打开导电金属焊盘的一部分; 在所得结构上沉积UBM（凸块下冶金）; 去除光致抗蚀剂图案以形成扩散防止图案; 形成与UBM相比具有宽横截面积的铟凸块; 并通过将铟凸块暴露于等离子体来回流铟凸块。
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公开(公告)号：KR101827213B1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：KR1020170079141
申请日：2017-06-22
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0304 , H01L31/18 , G03F7/20 , G03F7/42
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/08 , G03F7/2002 , G03F7/42 , H01L31/0224 , H01L31/02366 , H01L31/03046 , H01L31/1868
Abstract: 본발명은광 검출기소자에관한것으로, 더욱상세하게는단파장적외선대역광 검출기에사용되는감광성반도체소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, Zn SOG(Solar-grade) 확산공정에서사용되는확산방지막의박막스트레스를최소화하여, 종래에비해낮은암전류특성을가지는감광성반도체소자를제조할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR100292248B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019980020623
申请日：1998-06-03
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L23/528
Abstract: 본 발명은, 인듐 범프의 높이를 높이고 그 범프의 인장 강도를 향상시키기 위하여, 칩 상에 인듐과 결합력이 없는 재료인 보호층을 증착하고; 상기 보호층 중에 범프가 위치할 전도성 금속 패드의 일부를 포토레지스트 패터닝을 이용하여 개방하고; 상기 패터닝용 포토레지스트를 없애지 않고 그 위에 UBM을 증착하고; 상기 포토레지스트를 제거하여 확산 방지층을 패터닝하고; 상기 UBM 위에 상기 UBM 보다 넓은 단면적을 갖는 인듐 범프를 형성하고; 상기 인듐 범프를 플라즈마에 노출시킴으로써 리플로우하는; 플라즈마를 이용한 인듐 범프의 제조방법을 제공한다.
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