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公开(公告)号：KR101041889B1
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090059568
申请日：2009-07-01
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L21/306
Abstract: 반도체 소자 제조 방법이 개시된다. 활성층이 형성된 기판의 제1 면에 제1 금속층을 형성하는 단계와, 상기 형성된 제1 금속층 상에 방열판 형성 패턴에 따라 방열판을 형성하는 단계와, 상기 형성된 방열판 형성 패턴 및 방열판 상에 지지층을 형성하는 단계와, 상기 기판을 연마하는 단계와, 상기 기판의 제2 면에 반도체 소자 패턴에 따라 제2 금속층을 형성하는 단계와, 상기 반도체 소자 패턴에 따라 상기 기판 및 제1 금속층을 식각하여 반도체 소자를 형성하는 단계와, 상기 지지층을 식각하여 상기 반도체 소자를 분리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법을 구성한다. 상기와 같은 반도체 소자 제조 방법에 따르면, 소잉(sawing)이 아닌 식각에 의해 반도체 소자를 분리함으로써, 방열판 소잉시에 소(saw)가 지나간 부위가 늘어나거나 방열판 뒷면이 솟아오르는 문제점을 방지할 수 있는 효과가 있다.
반도체 소자, 소잉, 방열판, 식각, 금속Abstract translation: 公开了一种半导体器件制造方法。 在所述衬底的所述第一表面上的第一金属层上形成的有源层，和形成在根据散热器形成所以形成在第一金属层上的图案，以形成在所形成的散热片的支撑层的散热片，以形成图案，以及散热器 根据半导体元件图案在衬底的第二表面上形成第二金属层;根据半导体元件图案蚀刻衬底和第一金属层以形成半导体元件， 以及通过蚀刻支撑层来分离半导体元件的步骤。 根据半导体装置的制造方法通过蚀刻代替（锯），当散热器锯切小（SAW）能够防止该传递部上升拉伸或散热器背面的孔的问题如上所述，通过分离所述半导体器件锯切 这是有效的。
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公开(公告)号：KR1020110002135A
公开(公告)日：2011-01-07
申请号：KR1020090059568
申请日：2009-07-01
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/30625 , H01L21/3213
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device manufacturing method is provided to prevent the swelling phenomenon of the back of a radiation fin by separating the semiconductor device using etching. CONSTITUTION: An active layer(42) is formed on a substrate(41). A first metal layer(43) is formed on the first side of the substrate. A radiation fin(45) is formed along a radiation fin forming pattern(44) on the first metal layer. A support layer(46) is formed on the radiation fin forming pattern and the radiation fin.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件制造方法，用于通过使用蚀刻分离半导体器件来防止辐射翅片的背面的膨胀现象。 构成：在衬底（41）上形成有源层（42）。 第一金属层（43）形成在基板的第一侧上。 沿着第一金属层上的辐射翅片形成图案（44）形成辐射翅片（45）。 在辐射翅片形成图案和辐射翅片上形成支撑层（46）。
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公开(公告)号：KR1020100121269A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090040343
申请日：2009-05-08
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a ribbon for a semiconductor device is provided to easily correct the shape of a ribbon using a plating process and a semiconductor manufacturing process. CONSTITUTION: A plating seed(32) is stacked on a cleaned substrate(31). The plating seed is capable of being made of gold or copper. A forming pattern for a ribbon(33) is formed on the stacked substrate. The forming pattern is made of a photo resist film, or a polyimide or a benzocylobutene-based dielectric thin film. A plating process is performed. The forming pattern is eliminated. The substrate is eliminated. The plating seed is eliminated.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件用带的方法，以便使用电镀工艺和半导体制造工艺容易地校正色带的形状。 构成：将电镀种子（32）堆叠在清洁的基板（31）上。 电镀种子能够由金或铜制成。 在层叠的基板上形成带状物（33）的形成图案。 形成图案由光致抗蚀剂膜或聚酰亚胺或苯并环丁烯系介电薄膜构成。 进行电镀处理。 消除了成型图案。 消除基板。 电镀种子被消除。
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公开(公告)号：KR101041464B1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020090040343
申请日：2009-05-08
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 도금용 시드(seed)를 적층하는 단계와, 상기 적층된 기판 상에 반도체 소자 패키지용 리본의 형상 패턴을 형성하는 단계와, 상기 형성된 형상 패턴에 도금을 수행하는 단계와, 상기 형상 패턴을 제거하는 단계와, 상기 기판을 제거하는 단계와, 상기 적층된 도금용 시드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법을 구성한다. 상기와 같은 반도체 소자 패키지용 제조 방법에 따르면, 도금 및 반도체 제조 공정을 이용하여 반도체 소자 패키지용 리본을 제조함으로써, 다이오드 패키지 이후에 발생되는 기생 인덕턴스를 줄일 수 있도록 하는 다양한 리본 형상을 구현하고 쉽게 수정할 수도 있다. 특히, 다이오드의 전극 크기에 적합하도록 작고 얇은 리본을 용이하게 제조할 수 있다. 아울러 본딩을 한 번만 하면 되므로 수율이 높아지고 제조 단가가 감소하는 효과가 있다.
리본, 패키지, 도금, 반도체, 금(Au), 패턴 형상
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