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公开(公告)号：KR101041889B1
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090059568
申请日：2009-07-01
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L21/306
Abstract: 반도체 소자 제조 방법이 개시된다. 활성층이 형성된 기판의 제1 면에 제1 금속층을 형성하는 단계와, 상기 형성된 제1 금속층 상에 방열판 형성 패턴에 따라 방열판을 형성하는 단계와, 상기 형성된 방열판 형성 패턴 및 방열판 상에 지지층을 형성하는 단계와, 상기 기판을 연마하는 단계와, 상기 기판의 제2 면에 반도체 소자 패턴에 따라 제2 금속층을 형성하는 단계와, 상기 반도체 소자 패턴에 따라 상기 기판 및 제1 금속층을 식각하여 반도체 소자를 형성하는 단계와, 상기 지지층을 식각하여 상기 반도체 소자를 분리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법을 구성한다. 상기와 같은 반도체 소자 제조 방법에 따르면, 소잉(sawing)이 아닌 식각에 의해 반도체 소자를 분리함으로써, 방열판 소잉시에 소(saw)가 지나간 부위가 늘어나거나 방열판 뒷면이 솟아오르는 문제점을 방지할 수 있는 효과가 있다.
반도체 소자, 소잉, 방열판, 식각, 금속Abstract translation: 公开了一种半导体器件制造方法。 在所述衬底的所述第一表面上的第一金属层上形成的有源层，和形成在根据散热器形成所以形成在第一金属层上的图案，以形成在所形成的散热片的支撑层的散热片，以形成图案，以及散热器 根据半导体元件图案在衬底的第二表面上形成第二金属层;根据半导体元件图案蚀刻衬底和第一金属层以形成半导体元件， 以及通过蚀刻支撑层来分离半导体元件的步骤。 根据半导体装置的制造方法通过蚀刻代替（锯），当散热器锯切小（SAW）能够防止该传递部上升拉伸或散热器背面的孔的问题如上所述，通过分离所述半导体器件锯切 这是有效的。
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公开(公告)号：KR101436992B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020120134373
申请日：2012-11-26
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: Y02A50/2346
Abstract: 본 발명은 암모니아 및 과산화수소 가스 제거제 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 암모니아 제거효율과 과산화수소 분해효율을 향상시키기 위하여 암모니아 제거제로서의 황산구리-황산티타늄 및 과산화수소 분해 촉매제로서의 이산화망간 제조방법과 이를 사용한 암모니아 및 과산화수소 가스 제거제 및 그 장치에 관한 발명이다.
본 발명에 따른 암모니아 가스 제거제는 황산구리-황산티타늄의 혼합물로 이루어지고, 과산화수소 가스 분해 촉매제는 포타슘퍼망가네이트에 염산망간, 탄산칼륨을 혼합하여 제조되는 이산화망간을 활성 성분으로 하여 이루어진다.-
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公开(公告)号：KR1020140067308A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020120134373
申请日：2012-11-26
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: Y02A50/2346
Abstract: The present invention relates to an ammonia and hydrogen peroxide gas remover and a device, and more specifically, to a manufacturing method of copper sulfate-sulfuric acid titanium as an ammonium remover and manganese dioxide as a hydrogen peroxide decomposition catalyst in order to improve a removing rate of ammonia and a decomposition rate of hydrogen peroxide; a remover of ammonia and hydrogen peroxide gas using the same; and the device thereof. The ammonia gas remover according to the present invention is composed of a mixture of copper sulfate-sulfuric acid titanium, and the hydrogen peroxide decomposition catalyst has, as an active ingredient, manganese dioxide manufactured by mixing hydrochloric acid manganese and potassium carbonate with potassium permanganate.
Abstract translation: 本发明涉及一种氨和过氧化氢气体去除剂及其装置，更具体地说，涉及作为去除剂的硫酸铜 - 硫酸钛和作为过氧化氢分解催化剂的二氧化锰的制造方法，以改善去除 氨的速率和过氧化氢的分解速率; 使用它的氨和过氧化氢气体的去除剂; 及其装置。 根据本发明的氨气除去器由硫酸铜 - 硫酸钛的混合物组成，过氧化氢分解催化剂作为有效成分，通过将盐酸锰和碳酸钾与高锰酸钾混合制得的二氧化锰。
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公开(公告)号：KR1020110002135A
公开(公告)日：2011-01-07
申请号：KR1020090059568
申请日：2009-07-01
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/30625 , H01L21/3213
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device manufacturing method is provided to prevent the swelling phenomenon of the back of a radiation fin by separating the semiconductor device using etching. CONSTITUTION: An active layer(42) is formed on a substrate(41). A first metal layer(43) is formed on the first side of the substrate. A radiation fin(45) is formed along a radiation fin forming pattern(44) on the first metal layer. A support layer(46) is formed on the radiation fin forming pattern and the radiation fin.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件制造方法，用于通过使用蚀刻分离半导体器件来防止辐射翅片的背面的膨胀现象。 构成：在衬底（41）上形成有源层（42）。 第一金属层（43）形成在基板的第一侧上。 沿着第一金属层上的辐射翅片形成图案（44）形成辐射翅片（45）。 在辐射翅片形成图案和辐射翅片上形成支撑层（46）。
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公开(公告)号：KR1020100121269A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090040343
申请日：2009-05-08
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a ribbon for a semiconductor device is provided to easily correct the shape of a ribbon using a plating process and a semiconductor manufacturing process. CONSTITUTION: A plating seed(32) is stacked on a cleaned substrate(31). The plating seed is capable of being made of gold or copper. A forming pattern for a ribbon(33) is formed on the stacked substrate. The forming pattern is made of a photo resist film, or a polyimide or a benzocylobutene-based dielectric thin film. A plating process is performed. The forming pattern is eliminated. The substrate is eliminated. The plating seed is eliminated.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件用带的方法，以便使用电镀工艺和半导体制造工艺容易地校正色带的形状。 构成：将电镀种子（32）堆叠在清洁的基板（31）上。 电镀种子能够由金或铜制成。 在层叠的基板上形成带状物（33）的形成图案。 形成图案由光致抗蚀剂膜或聚酰亚胺或苯并环丁烯系介电薄膜构成。 进行电镀处理。 消除了成型图案。 消除基板。 电镀种子被消除。
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公开(公告)号：KR101041464B1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020090040343
申请日：2009-05-08
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 도금용 시드(seed)를 적층하는 단계와, 상기 적층된 기판 상에 반도체 소자 패키지용 리본의 형상 패턴을 형성하는 단계와, 상기 형성된 형상 패턴에 도금을 수행하는 단계와, 상기 형상 패턴을 제거하는 단계와, 상기 기판을 제거하는 단계와, 상기 적층된 도금용 시드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법을 구성한다. 상기와 같은 반도체 소자 패키지용 제조 방법에 따르면, 도금 및 반도체 제조 공정을 이용하여 반도체 소자 패키지용 리본을 제조함으로써, 다이오드 패키지 이후에 발생되는 기생 인덕턴스를 줄일 수 있도록 하는 다양한 리본 형상을 구현하고 쉽게 수정할 수도 있다. 특히, 다이오드의 전극 크기에 적합하도록 작고 얇은 리본을 용이하게 제조할 수 있다. 아울러 본딩을 한 번만 하면 되므로 수율이 높아지고 제조 단가가 감소하는 효과가 있다.
리본, 패키지, 도금, 반도체, 금(Au), 패턴 형상-
公开(公告)号：KR101347149B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020120134248
申请日：2012-11-26
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L29/861
CPC classification number: H01L21/30612 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: The present invention relates to an etching process for manufacturing Gunn diodes and, more specifically, to a processing method for manufacturing InP Gunn diodes using a dry and wet etching process. The present invention has the benefits of both a dry and a wet etching process by using a wet etching process for treating a surface with scum and a redeposited surface of a wafer, after using a dry etching process. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S300) InP wafer preparation; (S310) Dry etching; (S320) Wet etching
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造耿氏二极管的蚀刻工艺，更具体地说，涉及使用干法和湿蚀刻工艺制造InP耿氏二极管的处理方法。 在使用干蚀刻工艺之后，本发明通过使用湿蚀刻工艺用于处理具有浮渣和沉积的晶片表面的表面的干蚀刻和湿蚀刻工艺的优点。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S300）InP晶片制备; （S310）干蚀刻; （S320）湿式蚀刻
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