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公开(公告)号：KR1019960006241B1
公开(公告)日：1996-05-11
申请号：KR1019930024863
申请日：1993-11-20
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/50
CPC classification number: H01L35/16 , C22C32/00 , Y10T428/12056
Abstract: The composition having p-n transfer preventing characteristic is composed of a polysilicon sinter in which Bi2Te3-group semiconductor material is served as the basic composition and Ag2S is added by 20mol% maximum.
Abstract translation: 具有p-n转移防止特性的组合物由以Bi2Te3族半导体材料作为碱性组合物的多晶硅烧结体构成，Ag 2 S最多添加20mol％。
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公开(公告)号：KR1019950014031A
公开(公告)日：1995-06-15
申请号：KR1019930024863
申请日：1993-11-20
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/50
Abstract: 본 발명은 열전재료로 사용되는 Bi
2 Te
3 계를 기본조성으로 하여 Ag
2 S가 소량 첨가된 pn 전이방지 특성을 갖는 Bi
2 Te
3 제 열전재료 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성은 Bi
2 Te
3 67%-Sb
2 Te
3 33%의 기본조성에 Ag
2 S를 최대 20mol%까지 첨가하여 소결함 다결정소결체로 이루어진다. 본 발명의 열전재료조성물은 소결체 제조시 pn전이가 발생하지 않고, 성능지수도 단결정과 동등한 값을 나타내는 장점을 지니고 있다. -
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