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公开(公告)号：KR1019960006241B1
公开(公告)日：1996-05-11
申请号：KR1019930024863
申请日：1993-11-20
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/50
CPC classification number: H01L35/16 , C22C32/00 , Y10T428/12056
Abstract: The composition having p-n transfer preventing characteristic is composed of a polysilicon sinter in which Bi2Te3-group semiconductor material is served as the basic composition and Ag2S is added by 20mol% maximum.
Abstract translation: 具有p-n转移防止特性的组合物由以Bi2Te3族半导体材料作为碱性组合物的多晶硅烧结体构成，Ag 2 S最多添加20mol％。
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公开(公告)号：KR1019950014031A
公开(公告)日：1995-06-15
申请号：KR1019930024863
申请日：1993-11-20
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/50
Abstract: 본 발명은 열전재료로 사용되는 Bi
2 Te
3 계를 기본조성으로 하여 Ag
2 S가 소량 첨가된 pn 전이방지 특성을 갖는 Bi
2 Te
3 제 열전재료 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성은 Bi
2 Te
3 67%-Sb
2 Te
3 33%의 기본조성에 Ag
2 S를 최대 20mol%까지 첨가하여 소결함 다결정소결체로 이루어진다. 본 발명의 열전재료조성물은 소결체 제조시 pn전이가 발생하지 않고, 성능지수도 단결정과 동등한 값을 나타내는 장점을 지니고 있다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970003341B1
公开(公告)日：1997-03-17
申请号：KR1019930024313
申请日：1993-11-16
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01G4/008
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/47
Abstract: A method for fabricating SrTiO type critical insulating capacitor is disclosed. The method for fabricating SrTiO type critical insulating capacitor the steps of: a) sintering raw powder at an atmosphere of reduction to form a semicondutor sintering material, wherein the raw powder uses SrTiO3 as a main compound; b) performing a thermal process at an atmosphere of oxidation; c) coating a low melting point metal oxidized material on a surface of the sintering material; and d) penetrating a oxidized material on a sintering critical boundary by a thermal process to form a dielectric layer. Thereby, a dielectric constant is greatly increased and a dielectric loss is reduced, resulting in improving a characteristic of dielectric material..
Abstract translation: 公开了一种用于制造SrTiO型临界绝缘电容器的方法。 制造SrTiO型临界绝缘电容器的方法为：a）在还原气氛下烧结原粉，形成半导体烧结材料，其中原料粉末以SrTiO3为主要成分; b）在氧化气氛下进行热处理; c）在烧结材料的表面上涂覆低熔点金属氧化材料; 和d）通过热处理在烧结临界边界上穿透氧化材料以形成电介质层。 因此，介电常数大大增加，介电损耗降低，导致电介质材料的特性提高。
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公开(公告)号：KR100215550B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019950042130
申请日：1995-11-18
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01J1/00
Abstract: 본 발명은 ITO코팅된 적외선 반사경의 제조방법과 그 반사경을 사용한 적외선 검지장치에 관한 것으로, 종래의 적외선 검지장치가 게르마늄등의 재질을 사용한 렌즈를 사용함으로 인해 설계가 용이하지 않고 제조윈가가 고가인 문제점이 있어 이를 해결하기 위한 것이다. 이와 같은 본 발명에 의한 반사경의 제조방법은 슬라이드글래스(13)의 표면을 세정하는 단계와,10
-5 어orr인 진공쳄버(11)내에 산소를 주입하여 10
-4 Torr로 만들어주는 단계와, 진공쳄버(11)내에서 챔버(11)와 절연되게 설치된 슬라이드글래스(13)를 복사열히터(12)를 사용하여 400℃도 까지 가열하면서 ITO박막을 증착시켜주는 단계로 구성되며, 이와 같이 제조된 반사경을 사용하여 제조된 적외선 검지장치는 전면에 광투과부재(22)를 구비한 하우징(21)과, 하우징(21)의 내부 일측에 구비되어 상기 광투과부재(22)를 통해 들어오는 적외선을 반사하는 ITO코팅된 적외선 반사경(23)과, 적외선 반사경(23)에서 반사되어 집광된 적외선들 검지하도록 적외선반사경(23)의 촛점거리에 설치된 적외선검지소자(24)로 구성된다. 이와 같은 본발명은 종래에 비해 적외선 집광능력이 우수하고, 적외선 검지장치의 설계가 용이하여지므로 저가, 대량생산할 수 있게 되는 이점이 었다.-
公开(公告)号：KR1019970028461A
公开(公告)日：1997-06-24
申请号：KR1019950042130
申请日：1995-11-18
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01J1/00
Abstract: 본 발명은 ITO코팅된 적외선 반사경의 제조방법과 그 반사경을 사용한 적외선 검지장치에 관한 것으로, 종래의 적외선 검지장치가 게르마늄등의 재질을 사용한 렌즈를 사용함으로 인해 설계가 용이하지 않고 제조원가가 고가인 문제점이 있어 이를 해결하기 위한 것이다. 이와 같은 본 발명에 의한 반사경의 제조방법은 슬라이드 글래스(13)의 표면을 세정하는 단계와, 10
-5 Torr 인 진공쳄버(11)내에 산소를 주입하여 10
-4 Torr로 만들어주는 단계와, 진공쳄버(11)내에서 쳄버(11)와 절연되게 설치된 슬라이드글래스(13)를 복사열히터(12)를 사용하여 400℃정도 까지 가열하면서 ITO박막을 증착시켜 주는 단계로 구성되며, 이와 같이 제조된 반사경을 사용하여 제조된 적외선 검지장치는 전면에 광투과부재(22)를 구비한 하우징(21)과, 하우징(21)의 내부 일측에 구비되어 상기 광투과부재(22)를 통해 들어오는 적외선을 반사하는 ITO코팅된 적외선 반사경(23)과, 적외선 반사경(23)에서 반사되어 집광된 적외선을 검지하도록 적외선반사경(23)의 촛점거리에 설치된 적외선검지소자(24)로 구성된다. 이와 같은 본 발명은 종래에 비해 적외선 집광능력이 우수하고, 적외선 검지장치의 설계가 용이하여지므로 저가, 대량생산할 수 있게 되는 이점이 있다.-
公开(公告)号：KR1019950015423A
公开(公告)日：1995-06-16
申请号：KR1019930024313
申请日：1993-11-16
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01G4/008
Abstract: 본 발명은 각종 전자제품의 수동소자로 사용되는 티탄산 스트론튬(SrTiO
3 )계 입 계 절연헝 커패시터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 SrTi0
3 를 주성분으로 하는 원료분말을 환원성 분위기중에서 소결하여 얻어진 소결체에 대해 액상의 산화물을 침투시켜 유전층을 헝성하기 전 단계에 산화성 분위기에서 열처리를 수행하는 것으로서, 이때의 열처리는 소결과 냉각이 완료된 소결체를 산화성 분위기에서 재가열하여 1200℃이상의 온도에서 열처리하거나, 또는 환원성 분위기에서 소결된 소결체의 냉각전에 1200℃이상의 온도에서 분위기를 산화성 분위기로 전환시켜 열처리하는 공정으로 이루어진다. 본 발명의 방법에 의해 제조된 커패시터는 종래의 커패시터에 비해 유전상수가 증가되고 유전손실이 감소된 양호한 유전 특성을 나타낸다.
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