公开(公告)号：KR100429387B1

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020020003706

申请日：2002-01-22

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이희철 ,  양기동

IPC: H01L31/09

CPC classification number: H01L31/1832 ,  H01L31/1032

Abstract: 본 발명은 적외선 감지소자 제조방법에 관한 것으로, 투명기판의 상부에 저농도 p형 HgCdTe층을 형성하는 단계와; 상기 저농도 p형 HgCdTe층의 상부일부를 노출시키는 확산방지층을 형성하는 단계와; 수소 플라즈마를 이용하여 수소 이온 및 수소 원자를 상기 노출된 저농도 p형 HgCdTe층으로 확산시켜 저농도 n형 HgCdTe층을 형성하여, pn접합을 형성하는 단계와; 상기 확산방지층을 제거하고, 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부전면에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 절연층에 콘택홀을 형성하여 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부일부를 노출시키는 단계와; 상기 콘택홀 내에서 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부에 각각 접하는 플러그를 형성하는 단계와; 상기 구조의 상부전면에 금속층을 증착하고, 패터닝하여 상기 플러그 각각에 접하며, 상기 절연층의 상부일부에 소정면적으로 위치하는 패드를 형성하는 단계로 구성되어 수소 플라즈마를 사용하여 저농도 p형 HgCdTe층의 일부에 선택적으로 수소 이온 또는 원자를 소정의 깊이로 확산시켜, 저농도 n형 HgCdTe층을 형성함으로써, 그 pn접합의 계면이 손상되는 것을 방지하여, 누설전류의 발생을 방지하는 효과와 아울러 단순한 공정을 사용하여 제조단가의 상승을 방지함과 아울러 수율을 증가시키는 효과가 있다.

Abstract translation: 用于制造红外探测器的方法通过形成低浓度p型HgCdTe层，形成用于暴露低浓度p型HgCdTe层的一些上部的扩散防止层以及通过形成低浓度n型HgCdTe层来形成pn结 通过使用氢等离子体将氢离子和原子扩散到低浓度p型HgCdTe层。 氢离子或原子利用氢等离子体在一些低浓度p型HgCdTe层上扩散到预定深度以形成低浓度n型HgCdTe层，从而防止pn结的界面损坏，从而 可以防止泄漏电流，由于简单的工艺，制造成本不会增加并且产量增加。

公开(公告)号：KR1020030063540A

公开(公告)日：2003-07-31

申请号：KR1020020003706

申请日：2002-01-22

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이희철 ,  양기동

IPC: H01L31/09

CPC classification number: H01L31/1832 ,  H01L31/1032

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an infrared detector is provided to prevent an interface of a p-n junction of HgCdTe from being damaged and prevent a leakage current by selectively making hydrogen ions or atoms diffused to a predetermined depth of a low density p-type HgCdTe layer while using hydrogen plasma. CONSTITUTION: The low density p-type HgCdTe layer(2) is formed on a transparent substrate(1). A diffusion barrier layer is formed to expose a predetermined part of the upper portion of the low density p-type HgCdTe layer. Hydrogen ions and hydrogen atoms are diffused to the exposed low density p-type HgCdTe layer to form a low density n-type HgCdTe layer(4) by using hydrogen plasma so that the p-n junction is formed. The diffusion barrier layer is removed. An insulation layer is formed on the low density p-type HgCdTe layer and the low density n-type HgCdTe layer. A contact hole is formed in the insulation layer to expose a predetermined portion of the low density p-type HgCdTe layer and the low density n-type HgCdTe layer. A plug is formed which contacts the upper portion of the low density p-type HgCdTe layer and the low density n-type HgCdTe layer in the contact hole. A metal layer is deposited on the resultant structure and is patterned to form a pad that contacts the plug and has a predetermined area on a part of the upper portion of the insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种制造红外检测器的方法，以防止HgCdTe的pn结的界面受损，并通过选择性地使氢离子或原子扩散到低密度p型HgCdTe层的预定深度来防止漏电流 同时使用氢等离子体。 构成：低密度p型HgCdTe层（2）形成在透明基板（1）上。 形成扩散阻挡层以暴露低密度p型HgCdTe层的上部的预定部分。 氢离子和氢原子扩散到暴露的低密度p型HgCdTe层，通过使用氢等离子体形成低密度n型HgCdTe层（4），从而形成p-n结。 去除扩散阻挡层。 在低密度p型HgCdTe层和低密度n型HgCdTe层上形成绝缘层。 在绝缘层中形成接触孔，露出低密度p型HgCdTe层和低密度n型HgCdTe层的预定部分。 形成与接触孔中的低密度p型HgCdTe层的上部和低密度n型HgCdTe层接触的插塞。 金属层沉积在所得结构上，并被图案化以形成接触插塞的垫，并且在绝缘层的上部的一部分上具有预定区域。