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公开(公告)号：KR100292248B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019980020623
申请日：1998-06-03
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L23/528
Abstract: 본 발명은, 인듐 범프의 높이를 높이고 그 범프의 인장 강도를 향상시키기 위하여, 칩 상에 인듐과 결합력이 없는 재료인 보호층을 증착하고; 상기 보호층 중에 범프가 위치할 전도성 금속 패드의 일부를 포토레지스트 패터닝을 이용하여 개방하고; 상기 패터닝용 포토레지스트를 없애지 않고 그 위에 UBM을 증착하고; 상기 포토레지스트를 제거하여 확산 방지층을 패터닝하고; 상기 UBM 위에 상기 UBM 보다 넓은 단면적을 갖는 인듐 범프를 형성하고; 상기 인듐 범프를 플라즈마에 노출시킴으로써 리플로우하는; 플라즈마를 이용한 인듐 범프의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100292246B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019980006192
申请日：1998-02-26
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H03F3/343
Abstract: PURPOSE: A readout circuit of a detecting device using current mirror circuit is provided to constantly maintain bias voltage of the detecting device by adapting a unit cell circuit using current mirror circuit to the readout circuit of detecting device. CONSTITUTION: A readout circuit of a detecting device uses a current mirror circuit. The current mirror circuit consists of two NMOSFETs and two PMOSFETs. The PMOSFETs include a first PMOSFET(Mp1) for providing reference current and a second PMOSFET(Mp2) for providing same current as the fist PMOSFET. A gate terminal and a source terminal of the first one are respectively connected with a gate terminal and a source terminal of the second one. In the second one, a drain terminal is connected with the gate terminal. The NMOSFETs include a first NMOSFET(Mn1) for providing reference current and a second NMOSFET(Mn2) for providing same current as the fist NMOSFET. A gate terminal and a source terminal of the first NMOSFET are respectively connected with a gate terminal of the second one and negative terminal of photo-voltage type detecting device. In the second one, a drain terminal is connected with the gate terminal. To the source terminal of the second one is applied same voltage as bias voltage to be applied to the detecting device. The drain terminals of the first/second NMOSFETs are respectively connected with respective drain terminal of the second/first PMOSFETs. A capacitor is connected with the source terminals of the PMOSFETs.
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公开(公告)号：KR1019990070997A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019980006192
申请日：1998-02-26
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H03F3/343
Abstract: 전류거울(current mirror)회로를 이용하는, 성능이 우수한 적외선 감지 소자의 신호취득(readout)회로를 제공한다.
본 발명에 의한 신호취득회로는 작은 면적만을 필요로 함으로써 감지소자의 고집적화를 가능하게 하며, 입력 임피던스가 작아서 높은 주입효율(high injection efficiency)을 얻을 수 있으며, 전력소모가 작고 높은 전하용량을 가진다는 장점이 있다. 또한 전류거울 회로를 사용함으로써 적외선 감지소자의 동작 바이어스 전압(bias voltage)을 안정화시킬 수 있으며, 이로 인하여 저잡음 특성의 회로를 얻을 수 있다.-
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公开(公告)号：KR101813928B1
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：KR1020160180466
申请日：2016-12-27
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본발명은적외선영상투사기용신호입력회로에관련된것으로서, 보다상세하게는정밀한열 분해능의적외선영상구현이가능한세 모드의전류를적외선영상의유효온도범위에따라선택적으로출력할수 있는신호입력회로에관련된것이다. 본발명의일 실시예에따른신호입력회로는, 적외선영상에대응되는영상신호를입력하는영상신호입력부, 상기인가된영상신호에대응하는전류를상기적외선영상의유효온도범위에따라서로다른모드에서선택적으로출력하는전류구동부및 상기전류를수신하여적외선을출력하는에미터부를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及于红外图像投影指定信号输入电路，并且更具体地，涉及精确热分辨率的热图像执行涉及可能的三种模式的电流以选择性地可以用信号输出电路中的输入根据该有效温度范围内的热图像的 会的。 根据本发明电路的一个实施例的输入信号，电流对应于该视频信号输入部分，用于输入对应于在红外图像中的另一种模式根据有效温度范围内的热图像的视频信号所施加的视频信号 以及用于接收电流并输出红外线的发射器部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000000778A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980020623
申请日：1998-06-03
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L23/528
Abstract: PURPOSE: An H2 plasma reflow method is provided to improve a bonding reliability and a fatigue life by using an indium bump used as an interconnection of IRFPA(infrared focal plane array) having high height. CONSTITUTION: The method comprises the steps of depositing a protective layer on a chip; opening a portion of a conductive metal pad using a photoresist pattern as a mask; depositing an UBM(under bump metallurgy) on the resultant structure; removing the photoresist pattern to form a diffusion prevention pattern; forming an indium bump having a wide cross sectional area compared to the UBM; and reflowing the indium bump by exposing the indium bump to a plasma.
Abstract translation: 目的：提供H2等离子体回流方法，通过使用用作具有高高度的IRFPA（红外焦平面阵列）的互连的铟凸块来提高接合可靠性和疲劳寿命。 构成：该方法包括在芯片上沉积保护层的步骤; 使用光致抗蚀剂图案作为掩模打开导电金属焊盘的一部分; 在所得结构上沉积UBM（凸块下冶金）; 去除光致抗蚀剂图案以形成扩散防止图案; 形成与UBM相比具有宽横截面积的铟凸块; 并通过将铟凸块暴露于等离子体来回流铟凸块。
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公开(公告)号：KR101931345B1
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：KR1020180090901
申请日：2018-08-03
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 적외선 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 회로에 있어서, 선형적으로 증가하는 램프 신호를 생성하는 램프 생성기; 다중 위상 카운터가 출력하는 비트들을 하위(less significant) 비트들로 설정하고, 그레이 코드 카운터가 출력하는 비트들을 상위(more significant) 비트들로 설정하고, 하위 비트들 및 상위 비트들로 구성되는 카운터 코드를 출력하는 카운터; 및 적외선 아날로그 신호 및 램프 신호를 비교하고, 비교 결과에 기초하여 카운터 코드가 갖는 비트값들 중 적외선 아날로그 신호에 대응되는 비트값들을 디지털 신호로서 저장하는 적어도 하나의 칼럼 회로를 포함하는 회로가 제공된다.
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公开(公告)号：KR101827284B1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：KR1020170006180
申请日：2017-01-13
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본발명은그라운드라인(ground line)에서발생하는전압강하(voltage drop)를보상하여이미터(emitter) 전류의불균일도를개선하기위하여, 디지털영상데이터를수신하며, 상기디지털영상데이터에대응하는아날로그전류를출력하는전류출력 D/A 변환기(digital-to-analog converter, DAC); 상기 D/A 변환기에서출력되는전류를샘플및 홀드(sample-and-hold)하고, 상기샘플및 홀드되는전류를데이터전류로변환하여출력하는전류샘플앤드홀드부; 상기데이터전류를수신하고, 그라운드에서발생하는전압강하량을취득하여상기데이터전류를데이터전압으로변환하는전압강하취득부; 상기데이터전압을전압강하가보상된이미터전류로변환하여출력하는전압강하보상부; 및상기이미터전류에의하여발생하는줄 히팅(Joule heating)을통하여적외선을방출하는이미터부;를포함하는적외선영상투사기용신호입력회로를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于接收数字图像数据的方法和设备，以便补偿地线中发生的电压降以改善发射极电流的不均匀性， 一个数字 - 模拟转换器（DAC），用于输出一个输出信号; 电流采样和保持单元，用于采样并保持从D / A转换器输出的电流，将采样和保持电流转换成数据电流，并输出数据电流; 电压降获取单元，接收数据电流，获取在地中产生的电压降量，并将数据电流转换成数据电压; 电压降补偿单元，用于将数据电压转换成其电压降被补偿用于输出的交流电; 本发明还提供一种用于红外图像投影仪的信号输入电路。本发明还提供了一种用于红外图像投影仪的信号输入电路。
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10.发明公开검출 신호의 크기에 대응하여 증폭값을 조절하는 넓은 동적 영역을 가지는 근적외선용 디지털 신호 검출 회로 및 이의 제어 방법 有权具有用于调整与检测信号的大小对应的放大值的宽动态范围的近红外数字信号检测电路及其控制方法
公开(公告)号：KR1020180028565A
公开(公告)日：2018-03-19
申请号：KR1020160114981
申请日：2016-09-07
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01R19/25 , G01R19/257 , G01R19/255 , G01R19/165 , G01R15/00 , G01R15/16
CPC classification number: G01R19/2506 , G01R15/002 , G01R15/16 , G01R19/16576 , G01R19/255 , G01R19/257 , G01R31/308
Abstract: 본발명은근적외선(Short Wavelength Infra-Red, SWIR) 센서용 신호검출회로에관한것으로서, 보다상세하게는각 픽셀(Pixel)의센서의신호크기에따라스스로적분커패시터(Integration Capacitor) 및적분시간(Integrate Time)을모두각 픽셀별로독립적으로조절하여적절한증폭값(gain)을찾도록함으로써, SWIR 센서에서초점면배열(FPA: Focal Plane Array)의동적영역(Intrascene Dynamic Range)을최대화할수 있는디지털신호검출회로및 이의제어방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明是一种近红外（短波长红外线，SWIR）涉及一种传感器信号检测电路，更具体地，根据与每个像素（像素）（集成电容器）和积分时间的传感器的信号电平的电容器自整合（集成 （FPA：焦平面阵列），通过允许SWIR传感器独立获得适当的放大增益来最大化焦平面阵列（FPA）的动态范围 及其控制方法。
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