公开(公告)号：KR101620405B1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：KR1020140195912

申请日：2014-12-31

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 민성기 ,  공성호 ,  정동건

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81C2201/03

Abstract: 본발명은, 실리콘웨이퍼의제1면과제2면에산화막을형성하는단계; 상기산화막위에상기산화막과함께마스크층으로사용되는박막형포토레지스트의패턴을형성하는단계; 상기제1면과제2면의적어도일부가노출되도록상기산화막의비패턴영역을식각하는단계; 상기제1면에서제2면방향으로상기실리콘웨이퍼의비패턴영역을 1차식각하는단계; 식각된부분이상기실리콘웨이퍼를관통하도록상기제2면에서제1면방향으로상기실리콘웨이퍼의비패턴영역을 2차식각하는단계; 및마스크층인상기박막형포토레지스트와상기산화막을제거하는단계를포함하는것을특징으로하는초소형터빈부품의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种制造用于涡轮机的超小型部件的方法，其能够解决微玻璃的问题和晶片的失真现象的问题。 本发明包括：在硅晶片的第一和第二表面上形成氧化膜的步骤; 在氧化物膜上形成用作掩模层的薄膜型光刻胶图案与氧化膜一起的步骤; 蚀刻氧化膜的非图案区域以暴露第一和第二表面的至少一部分的步骤; 在从第一表面到第二表面的方向上对硅晶片的非图案区域进行初步蚀刻的步骤; 在从第二表面到第一表面的方向上对硅晶片的非图案区域进行二次蚀刻以使蚀刻部分穿透硅晶片的步骤; 以及去除作为掩模层的薄膜型光致抗蚀剂和氧化膜的步骤。

公开(公告)号：KR1020170099285A

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：KR1020160021465

申请日：2016-02-23

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이재윤 ,  정동건 ,  공성호

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  C25D7/12

Abstract: 본발명은, 실리콘웨이퍼에산화층을형성하고, 상기산화층위에제1포토레지스트를패터닝하는단계; 상기제1포토레지스트가패터닝되지않은비 패턴영역을통해노출되는산화층을식각하여상기실리콘웨이퍼를노출시키는단계; 상기비 패턴영역으로노출된실리콘웨이퍼를식각하여오목한부분과볼록한부분을교번적으로갖는트렌치구조를형성하고, 상기제1포토레지스트와상기산화층을제거하는단계; 상기트렌치구조의실리콘웨이퍼에절연층과시드층을순차적으로형성하고, 상기트렌치구조의볼록한부분에제2포토레지스트를패터닝하는단계; 및상기트렌치구조의오목한부분에도금층을형성하고, 상기제2포토레지스트를제거하는단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在硅晶片上形成氧化物层;在氧化物层上图案化第一光刻胶; 通过蚀刻其中第一光致抗蚀剂通过未图案化的非图案化区域暴露的氧化物层来暴露硅晶片; 蚀刻暴露在非图案化区域中的硅晶片以交替地形成具有凹部和凸部的沟槽结构，去除第一光刻胶和氧化物层; 在具有沟槽结构的硅晶片上顺序地形成绝缘层和籽晶层，并且在沟槽结构的凸起部分上图案化第二光刻胶; 并且在沟槽结构的凹部上形成镀层，并去除第二光刻胶。