公开(公告)号：KR101620405B1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：KR1020140195912

申请日：2014-12-31

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 민성기 ,  공성호 ,  정동건

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81C2201/03

Abstract: 본발명은, 실리콘웨이퍼의제1면과제2면에산화막을형성하는단계; 상기산화막위에상기산화막과함께마스크층으로사용되는박막형포토레지스트의패턴을형성하는단계; 상기제1면과제2면의적어도일부가노출되도록상기산화막의비패턴영역을식각하는단계; 상기제1면에서제2면방향으로상기실리콘웨이퍼의비패턴영역을 1차식각하는단계; 식각된부분이상기실리콘웨이퍼를관통하도록상기제2면에서제1면방향으로상기실리콘웨이퍼의비패턴영역을 2차식각하는단계; 및마스크층인상기박막형포토레지스트와상기산화막을제거하는단계를포함하는것을특징으로하는초소형터빈부품의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种制造用于涡轮机的超小型部件的方法，其能够解决微玻璃的问题和晶片的失真现象的问题。 本发明包括：在硅晶片的第一和第二表面上形成氧化膜的步骤; 在氧化物膜上形成用作掩模层的薄膜型光刻胶图案与氧化膜一起的步骤; 蚀刻氧化膜的非图案区域以暴露第一和第二表面的至少一部分的步骤; 在从第一表面到第二表面的方向上对硅晶片的非图案区域进行初步蚀刻的步骤; 在从第二表面到第一表面的方向上对硅晶片的非图案区域进行二次蚀刻以使蚀刻部分穿透硅晶片的步骤; 以及去除作为掩模层的薄膜型光致抗蚀剂和氧化膜的步骤。