방사선 위상차 영상 장치
    1.
    发明申请
    방사선 위상차 영상 장치 审中-公开
    辐射相位差成像装置

    公开(公告)号:WO2013151342A1

    公开(公告)日:2013-10-10

    申请号:PCT/KR2013/002795

    申请日:2013-04-04

    Inventor: 최재호

    CPC classification number: G01N23/05

    Abstract: 방사선 위상차 영상 장치 및 영상 획득 방법이 개시된다. 이용되는 방사선 광원으로 엑스선과 중성자빔이 포함된다. 이러한 영상 장치 및 영상 획득 방법에서는 2차원 광원 격자를 이용하여 방사선 광원을 시료에 조사하고 시료를 투과한 방사선 빔을 격자형 칼날필터에 의해 위상 신호를 여과함으로써 방사선 위상차 영상을 획득할 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种辐射相位差成像装置和图像采集方法。 这里使用的辐射源包括X射线和中子束。 上述成像装置和图像获取方法包括使用二维光栅照射样品,并且通过样品的辐射束的相位信号被格子型叶片过滤器过滤,从而获得辐射相位 差异图像。

    복사열에 의한 초전기 결정 X-선 발생 장치

    公开(公告)号:WO2012046953A3

    公开(公告)日:2012-04-12

    申请号:PCT/KR2011/006438

    申请日:2011-08-31

    Inventor: 최재호

    Abstract: 본 발명은 초전기 결정에 복사열을 조사하여 결정의 양단면에 유도되는 표면전하와 X-선 타깃 간의 전위차에 의한 가속 전자빔에 의해 X-선을 발생시키는 장치에 관한 것이다. 복사열을 조사하여 초전기 결정의 온도 변화를 유도함으로써 초전기 결정 양 단면의 길이 방향과 직경 방향으로의 온도 편차를 최소화함으로써 종래 기술에서 사용하는 초전기 결정의 크기 한계 및 구조 한계를 극복하여 유도되는 표면 전하의 수의 증가에 따른 전위차를 증가시켜 고에너지 전자빔을 발생하고 이를 이용하여 X-선 발생장치의 성능을 향상시킨다.

    복사열에 의한 초전기 결정 중성자 발생 장치

    公开(公告)号:WO2012030131A3

    公开(公告)日:2012-03-08

    申请号:PCT/KR2011/006384

    申请日:2011-08-30

    Inventor: 최재호

    Abstract: 본 발명은 초전기 결정에 복사열을 조사하여 결정의 양단면에 유도되는 표면전하와 중성자 타깃 간의 전위차에 의한 가속 이온화 가스에 의해 중성자를 발생시키는 장치이다. 복사열을 조사하여 초전기 결정의 온도 변화를 유도함으로써 초전기 결정 양 단면의 길이 방향과 직경 방향으로의 온도 편차를 최소화함으로써 종래 기술에서 사용하는 초전기 결정의 크기 한계 및 구조 한계를 극복하여 유도되는 표면 전하의 수의 증가에 따른 전위차를 증가시켜 고에너지 전하에 의해 장치 내 주입된 가스를 이온화하고 이 이온화 입자가 중성자 타깃에 가속되어 충돌함으로써 중성자를 발생시키는 장치에 관한 것이다.

    결맞음 엑스선 발생 엑스선 타겟과 제조방법
    4.
    发明公开
    결맞음 엑스선 발생 엑스선 타겟과 제조방법 有权
    X射线目标及其生成相似X射线的制造方法

    公开(公告)号:KR1020100100190A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:KR1020090018933

    申请日:2009-03-05

    Inventor: 최재호

    Abstract: PURPOSE: An x-ray target and a method for manufacturing the same are provided to generate coherent x-ray beams by forming an integrated type x-ray single mode source through a nano-channel formatting method. CONSTITUTION: A substrate is washed with acetone and distilled water. The substrate is mounted to a sputtering device. The sputtering device is formed into an ultra-high vacuum state. Argon gas is introduced into a vacuum chamber. A tungsten thin film is deposited to form a buffer layer. The thickness of the tungsten thin film is 200nm. An optical mask is arranged on the core(50) of a waveguide Beryllium is deposited to the core. The optical mask is eliminated.

    Abstract translation: 目的:提供一种X射线靶及其制造方法,以通过纳米通道格式化方法形成一体型X射线单模源来产生相干X射线束。 构成:用丙酮和蒸馏水洗涤底物。 将衬底安装到溅射装置。 溅射装置形成为超高真空状态。 氩气被引入真空室。 沉积钨薄膜以形成缓冲层。 钨薄膜的厚度为200nm。 在波导的芯(50)上布置有光学掩模,铍沉积到芯上。 消除光掩模。

    식각을 이용한 엑스선 도파로 구조체 및 그 형성 방법
    5.
    发明公开
    식각을 이용한 엑스선 도파로 구조체 및 그 형성 방법 失效
    阵列X射线源的制作方法

    公开(公告)号:KR1020090096771A

    公开(公告)日:2009-09-15

    申请号:KR1020080021795

    申请日:2008-03-10

    Inventor: 최재호

    Abstract: A method for manufacturing an arrayed X-ray source is provided to form a single mode by maintaining a mode of an X-ray beam formed in an inner part. A substrate(40) is cleaned by acetone and distilled water. The substrate is mounted in a sputtering apparatus. An argon gas is injected in a vacuum chamber of an ultra-high vacuum state. A tungsten thin film(20) is deposited by thickness of 200nm, and forms a buffer layer. An etching layer is deposited. The etching layer is determined according to a design of a multilayered thin film in order to determine thickness of an X-ray core. The tungsten thin film is deposited on a top end of the etching layer. A sample is separated from the vacuum chamber. A polymer is coated on a surface of the deposited surface. A polymer layer is solidified. The polymer layer(50) is cut by a fixed size. A nano channel is formed by etching the etching layer with etchant.

    Abstract translation: 提供一种制造阵列X射线源的方法,通过保持形成在内部的X射线束的模式来形成单一模式。 用丙酮和蒸馏水清洗基材(40)。 将基板安装在溅射装置中。 将氩气注入到超高真空状态的真空室中。 以200nm的厚度沉积钨薄膜(20),形成缓冲层。 沉积蚀刻层。 根据多层薄膜的设计确定蚀刻层,以确定X射线芯的厚度。 钨薄膜沉积在蚀刻层的顶端。 样品与真空室分离。 聚合物涂覆在沉积表面的表面上。 聚合物层固化。 聚合物层(50)被固定尺寸切割。 通过用蚀刻剂蚀刻蚀刻层形成纳米通道。

    엑스선 집속소자
    6.
    发明公开
    엑스선 집속소자 失效
    X射线聚焦光学的制造方法

    公开(公告)号:KR1020080068294A

    公开(公告)日:2008-07-23

    申请号:KR1020070005838

    申请日:2007-01-18

    Inventor: 최재호

    Abstract: A method for fabricating X-ray focusing optics is provided to obtain an X-ray light source by reducing a measurement time with reducing a radiation dose to an object during the measurement of X-ray. A method for fabricating X-ray focusing optics includes the steps of: stacking tungsten and silicon having gradual thickness changes periodically to obtain a multi-layer thin film; installing a mask in a lengthwise direction of the multi-layer thin film; and removing the mask after depositing a spacer material to obtain a spacer(40) on a bottom surface of a waveguide, wherein a top reflection surface(20) is formed on a bottom reflection surface(10) of the X-ray waveguide by the same process of the bottom reflection surface of the waveguide and the manufactured top reflective surface is overlapped on the bottom reflection surface formed thereon the spacer to allow the deposited multi-layer thin film to be viewed well.

    Abstract translation: 提供一种用于制造X射线聚焦光学元件的方法,通过在X射线测量期间减少对物体的辐射剂量来减少测量时间来获得X射线光源。 一种制造X射线聚焦光学元件的方法包括以下步骤:周期性堆叠具有逐渐厚度变化的钨和硅以获得多层薄膜; 在多层薄膜的长度方向上安装掩模; 以及在沉积间隔物材料之后去除掩模以在波导的底表面上获得间隔物(40),其中在X射线波导的底部反射表面(10)上形成顶部反射表面(20) 将波导的底部反射面和制造的顶部反射面相同的工序重叠在形成于其上的底部反射面上,使得能够良好地观察沉积的多层薄膜。

    단일모드 엑스선 도파로
    7.
    发明公开
    단일모드 엑스선 도파로 无效
    单模X射线波形的制造方法

    公开(公告)号:KR1020080068293A

    公开(公告)日:2008-07-23

    申请号:KR1020070005837

    申请日:2007-01-18

    Inventor: 최재호

    Abstract: A method for fabricating a single mode X-ray waveguide is provided to increase resolution by measuring images to a diffraction limit of a light source due to a coherence of the light source. A method for fabricating a single mode X-ray waveguide includes the steps of: stacking tungsten and silicon having gradual thickness change periodically; depositing a spacer having a thickness possible to guide a single mode on a side surface part of a lower bottom layer thin film(10); and manufacturing the single mode X-ray waveguide by overlapping a multi-layer thin film(20) on a top portion of the spacer, wherein a thickness of the spacer is determined based on a wavelength and refractive indexes of multi-layer thin film and air.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造单模X射线波导的方法,以通过由于光源的一致性将图像测量到光源的衍射极限来提高分辨率。 制造单模X射线波导的方法包括以下步骤:周期性地堆叠具有逐渐厚度变化的钨和硅; 沉积具有可能在下底层薄膜(10)的侧表面部分上引导单模的间隔物; 并且通过在间隔物的顶部上重叠多层薄膜(20)来制造单模X射线波导,其中基于多层薄膜的波长和折射率确定间隔物的厚度, 空气。

    마이크로 모세관을 이용한 엑스선 광학 소자
    8.
    发明授权
    마이크로 모세관을 이용한 엑스선 광학 소자 失效
    带微毛细管的X射线光学装置

    公开(公告)号:KR100789385B1

    公开(公告)日:2007-12-28

    申请号:KR1020050006952

    申请日:2005-01-26

    Inventor: 최재호

    Abstract: 본 발명은 엑스선의 입사 효율 즉, 도파 효율을 향상시킬 수 있는 마이크로 모세관을 이용한 엑스선 광학소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 마이크로 모세관을 이용한 엑스선 광학소자는 마이크로 크기의 직경을 가지며 일정 길이를 갖는 다수의 모세관이 외부 표피에 의해 감싸져 다발 형태를 이루며, 상기 다발의 중심부로부터 외곽부로 향할수록 모세관의 직경 크기가 작아지는 것을 특징으로 하며, 다수의 모세관으로 구성되는 모세관 다발에 있어서 중심부로부터 외곽부로 향할수록 모세관의 직경 크기가 작아지도록 함으로써, 외곽부의 모세관에는 외부전반사 조건을 만족하는 엑스선 빔만이 입사하게 되어 엑스선의 입사 효율을 향상시키고 입사된 엑스선 빔은 모세관면을 투과하지 않고 모세관 다발의 끝단까지 전달되므로 전달효율을 증가시키게 된다.
    엑스선, 엑스선 광학소자, 다중 모세관 다발, 엑스선 집속

    중성자 발생 장치 및 방법
    9.
    发明授权
    중성자 발생 장치 및 방법 有权
    中子发生装置及其方法

    公开(公告)号:KR101284019B1

    公开(公告)日:2013-07-09

    申请号:KR1020120019703

    申请日:2012-02-27

    Inventor: 최재호

    CPC classification number: G21G4/02 H05H3/06 Y02E30/40

    Abstract: PURPOSE: Neutron generation apparatus and method are provided to increase potential difference by using a pyroelectric crystal longer than existing length of 10 mm. CONSTITUTION: A sealed container (30) fills deuterium gas inside. The sealed container attaches a neutron target in an upper end. A pyroelectric crystal (11) is installed inside of the sealed container. A radiation irradiation instrument (21) surrounds the periphery of the pyroelectric crystal. The radiation irradiation instrument irradiates radiation to the pyroelectric crystal.

    Abstract translation: 目的:提供中子产生装置和方法,通过使用比现有长度10mm长的热电晶体来增加电位差。 构成:密封容器(30)内填充氘气。 密封容器将中子靶附着在上端。 热电晶体(11)安装在密封容器的内部。 放射线照射装置(21)围绕热电晶体的周边。 放射线照射装置将辐射照射到热电晶体上。

    복사열에 의한 초전기 결정 중성자 발생 방법 및 장치
    10.
    发明公开
    복사열에 의한 초전기 결정 중성자 발생 방법 및 장치 无效
    使用辐射热源由PYROELECTRIC晶体驱动的中子产生的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020120020255A

    公开(公告)日:2012-03-08

    申请号:KR1020100083749

    申请日:2010-08-30

    Inventor: 최재호

    CPC classification number: G21G4/02 H05H3/06 H05H6/00

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for generating a pyroelectric crystal neutron are provided to improve the generation and performance of an X-ray by enhancing electron and ion acceleration performance. CONSTITUTION: An induced charge is collected on the surface of a cross section of a pyroelectric crystal(11). The collected charge forms a high potential. The charge forms ionized gas by ionizing deuterium gas. The ionized gas is transmitted to a neutron target(75) doped with deuterium. D_D nuclear fusion is formed by colliding the ionized gas with the neutron target. The pyroelectric crystal is installed in a container(30). A temperature of the pyroelectric crystal rises by applying electric energy into a radiation heat source(21).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于产生热电晶体中子的方法和装置,以通过增强电子和离子加速性能来改善X射线的产生和性能。 构成:在热电晶体(11)的横截面的表面上收集感应电荷。 收集的电荷形成高电位。 电荷通过电离氘气形成电离气体。 电离气体被传输到掺杂有氘的中子靶(75)。 通过将电离气体与中子靶碰撞形成D_D核聚变。 热电晶体安装在容器(30)中。 热电晶体的温度通过将电能施加到辐射热源(21)中而升高。

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