公开(公告)号：KR20210034719A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020190115965A

申请日：2019-09-20

Applicant: 대전대학교 산학협력단

Inventor： 김경남 ,  박준영 ,  김석준

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 L-FC 전구체를 이용하는 플라즈마에칭공정에서 적외선 또는 자외선을 이용하여 웨이퍼, 전극, 기판, 헤드 등에 응결되는 L-FC 를 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭공정상의 L-FC 제거 방법 및 그 시스템에 관한 것이다.

公开(公告)号：WO2021054670A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：PCT/KR2020/012156

申请日：2020-09-09

Applicant: 대전대학교 산학협력단

Inventor： 김경남 ,  박준영 ,  김석준

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 본 발명은 L-FC 전구체를 이용하는 플라즈마에칭공정에서 적외선 또는 자외선을 이용하여 웨이퍼, 전극, 기판, 헤드 등에 응결되는 L-FC를 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭공정상의 L-FC 제거 방법 및 그 시스템에 관한 것이다. 이는 반도체 소자 제조 공정 조건에 영향을 주지 않으면서도 헤드, 전극, 기판 및 웨이퍼에 흡착되는 L-FC 중성종 및 반응 부산물을 제거할 수 있는 이점이 있다.