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Patent Agency Ranking1.发明专利
公开(公告)号：KR20210034719A
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020190115965A
申请日：2019-09-20
Applicant: 대전대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32009 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H05H1/46
Abstract: 본 발명은 L-FC 전구체를 이용하는 플라즈마에칭공정에서 적외선 또는 자외선을 이용하여 웨이퍼, 전극, 기판, 헤드 등에 응결되는 L-FC 를 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭공정상의 L-FC 제거 방법 및 그 시스템에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2021054670A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/KR2020/012156
申请日：2020-09-09
Applicant: 대전대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 본 발명은 L-FC 전구체를 이용하는 플라즈마에칭공정에서 적외선 또는 자외선을 이용하여 웨이퍼, 전극, 기판, 헤드 등에 응결되는 L-FC를 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭공정상의 L-FC 제거 방법 및 그 시스템에 관한 것이다. 이는 반도체 소자 제조 공정 조건에 영향을 주지 않으면서도 헤드, 전극, 기판 및 웨이퍼에 흡착되는 L-FC 중성종 및 반응 부산물을 제거할 수 있는 이점이 있다.
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公开(公告)号：WO2022177102A2
公开(公告)日：2022-08-25
申请号：PCT/KR2021/016766
申请日：2021-11-16
Applicant: 대전대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/67 , H01J2237/334 , H01J37/32 , H01J37/3244 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/683 , H01L21/6831
Abstract: 본 발명의 실시예에 의하면, 극저온(Cryogenic) 식각에 비하여 상대적으로 높은 온도에서도 극저온 식각과 거의 동일한 효과를 달성할 수 있는 액상 플루오로카본 또는 액상 하이드로플루오로카본 전구체를 이용하는 식각 처리 장치 및 식각 처리 방법이 제공될 수 있다. 또한, 액상 전구체와 저온에 의하여 발생할 수 있는 공정 문제를 해결할 수 있는 식각 처리 장치 및 식각 처리 방법이 제공될 수 있다.
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公开(公告)号：KR102066222B1
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：KR1020170142026
申请日：2017-10-30
Applicant: 대전대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
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