公开(公告)号：KR100148231B1

公开(公告)日：1998-11-02

申请号：KR1019940037887

申请日：1994-12-28

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  신장규 ,  류인식

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 실리콘산화막(2)을 성장시킨 후 뒷면의 실리콘산화막을 제거하는 단계와; n
+ 확산층이 형성될 부분의 실리콘산화막(2)을 제거하고 인(phosphorus)을 확산시켜 n
+ 확산층(3)을 형성하는 단계와; 정전류원으로 양극반응시켜 상기 n
+ 확산층(3)을 다공질 실리콘층(4)으로 만들고 실리콘산화막(2)을 제거하는 단계와; 상기 다공질 실리콘층(4)위에 ZnO 또는 Ni-Cr/Au를 스퍼터링하여 박막(5)을 증착하는 단계와; 증착된 박막(5)을 사진식각법으로 패터닝하는 단계와; 노출된 다공질 실리콘층(4)을 선택적으로 식각하여 동공(6; cavity)을 형성하는 단계로 이루어져 소자가 들어갈 부분만 선택적으로 양극 반응시키고 그 위에 박막을 증착한 후 미세구조부를 형성하여 다공질 실리콘층만을 식각함으로써 원하는 부위에 임의형상의 공간을 정확하게 제어하여 다양한 형태로 특정크기의 미세구조를 제조할 수 있고, 여러가지 기능성 박막으로 미세구조를 만들어 낼 수 있을 뿐만 아니라 다른 집적회로 소자의 제조에 영향을 주지 않고 완전히 독립적으로 미세구조물을 제조할 수 있는 다공질 실리콘상의 박막(Film on Porous Silicon)을 이용한 마이크로머시닝 방법이다.

公开(公告)号：KR100143241B1

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019940037888

申请日：1994-12-28

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  신장규 ,  류인식

IPC: C23C18/16

Abstract: 본 발명은 미세 기계구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 확산마스크용 실리콘 산화막을 성장시킨후 인(phosphorus)을 확산 시켜 n+층(2)을 형성하고, n+층(2)상에 n형 실리콘에피층(3)을 성장시켜 n/n+/n 3 구조를 만들고 표면에 LPCVD법으로 질화막(4;Si
3 N
4 )을 증착시키는 단계와; 상기 질화막(4)을 사진식각법으로 패터닝하고 질화막(4)과 n형 실리콘 에피층(3)을 식각하여 n+층(2)을 노출시키는 단계와; 노출된 n+층(2)을 스테인 에칭을 실시하여 다공질 실리콘으로 만드는 단계와; 스테인 에칭된 n+층(2' )을 제거하여 미세기계구조를 형성하는 단계로 이루어져 짧은 식각시간으로 다양한 모양의 미세구조를 만들수 있으면서도 공정이 간단한 스테인 에칭 기법을 이용한 마이크로머시닝 방법이다.

公开(公告)号：KR1019960023233A

公开(公告)日：1996-07-18

申请号：KR1019940037888

申请日：1994-12-28

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  신장규 ,  류인식

IPC: C23C18/16

Abstract: 본 발명은 미세 기계구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 확산마스크용 실리콘 산화막을 성장시킨 후 인(phosphorus)을 확산시켜 n+층(2)을 형성하고, n+층(2)상에 n형 실리콘에피층(3)을 성장시켜 n/n+/n 3층 구조를 만들고 표면에 LPCVD법으로 질화막(4;Si
3 N
4 )을 증착시키는 단계와; 상기 질화막(4)을 사진식각법으로 패터닝하고 질화막(4)과 n형 실리콘 에피층(3)을 식각하여 n+층(2)을 노출시키는 단계와; 노출된 n+층(2)을 스테인 에칭을 실시하여 다공질 실리콘으로 만드는 단계와; 스테인 에칭된 n+층(2')을 제거하여 미세기계구조를 형성하는 단계로 이루어져 짧은 식각시간으로 다양한 모양의 미세구조를 만들 수 있으면서도 공정이 간단한 스테인 에칭 기법을 이용한 마이크로머시닝 방법이다.

公开(公告)号：KR1019960026276A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940037887

申请日：1994-12-28

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  신장규 ,  류인식

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 실리콘산화막(2)을 성장시킨 후 뒷면의 실리콘산화막을 제거하는 단계와; n+ 확산층이 형성될 부분의 실리콘산화막(2)을 제거하고 인(phosphorus)을 확산시켜 n+ 확산층(3)을 형성하는 단계와; 정전류원으로 양극반응시켜 상기 n+ 확산층(3)을 다공질 실리콘층(4)으로 만들고 실리콘산화막(2)을 제거하는 단계와; 상기 다공질 실리콘층(4)위에 ZnO 또는 Ni-Cr/Ar를 스퍼터링하여 박막(5)을 증착하는 단계와; 증착된 박막(5)을 사진식각법으로 패터닝하는 단계와; 노출된 다공질 실리콘층(4)을 선택적으로 식각하여 동공(6; cavity)을 형성하는 단계로 이루어져 소자가 들어갈 부분만 선택적으로 양극 반응시키고 그 위에 박막을 증착한 후 미세구조부를 형성하여 다공질 실리콘층만을 식각함으로써 원하는 부위에 임의형상의 공간을 정확하게 제어하여 다양한 형태로 특정크기의 미세구조를 제조할 수 있고, 여러가지 기능성 박막으로 미세구조를 만들어 낼 수 있을 뿐만 아니라 다른 집적회로 소자의 제조에 영향을 주지 않고 완전히 독립적으로 미세구조물을 제조할 수 있는 다공질실리콘상의 박막(Film on Porous Silicon)을 이용한 마이크로머시닝 방법이다.