公开(公告)号：KR100160093B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950024136

申请日：1995-08-04

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 실리콘기판상에 산화막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, n형실리콘기판에 선택적으로 n
+ 불순물을 확산시켜 상기 n형 실리콘기판의 상면 소정부분에 n
+ 확산영역을 형성하는 단계와; 양극반응을 수행하여 상기 n
+ 확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계 및; 상기 다공질실리콘층을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계로 이루어져 종래 여타 산화막 형성방법에 비해 값싸고 간편한 방법으로 짧은 시간에 두꺼운 산화막을 선택적으로 성장시킬 수 있는 기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법이다.

公开(公告)号：KR100118639B1

公开(公告)日：1997-07-22

申请号：KR1019930020963

申请日：1993-10-09

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현 ,  최평

IPC: H01L27/20

公开(公告)号：KR1019970005674B1

公开(公告)日：1997-04-18

申请号：KR1019930029501

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현 ,  조찬섭

IPC: H01L21/027

Abstract: A method for masking amorphous silicon is described that can protect a device region at the final step of semiconductor device fabrication and provide an amorphous silicon layer capable of anode reaction. The method includes the steps of forming an insulating layer 7 of SiO2 or Si3N4 over a substrate where aluminium electrodes are made and then forming an intrinsic or N types of an amorphous silicon layer 8 by CVD of sputtering, patterning the parts where a poly-silicon layer 9 is formed to etch the amorphous silicon layer 8 of the parts, and selectively forming the poly-silicon layer 9 by the anode reaction in HF liquid. Thereby, it is possible to easily form a fine structure of the semiconductor device and allow the amorphous silicon layer 8 to serve as a protection layer so that the aluminium electrodes can be kept completely after the anode reaction.

Abstract translation: 描述了一种掩蔽非晶硅的方法，其可以在半导体器件制造的最后步骤中保护器件区域，并提供能够进行阳极反应的非晶硅层。 该方法包括以下步骤：在形成铝电极的基板上形成SiO 2或Si 3 N 4绝缘层7，然后通过溅射CVD形成本征或N型非晶硅层8，对多晶硅 形成层9以蚀刻部件的非晶硅层8，并且通过HF液体中的阳极反应选择性地形成多晶硅层9。 因此，可以容易地形成半导体器件的精细结构，并且允许非晶硅层8用作保护层，使得在阳极反应之后可以完全保持铝电极。

公开(公告)号：KR1019970003734B1

公开(公告)日：1997-03-21

申请号：KR1019930020963

申请日：1993-10-09

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현 ,  최평

IPC: H01L27/20

Abstract: The bridge circuit part(1) makes up of the first, second piezo resistance bridge circuit(B1,B2) and the first, second fixed resistance bridge circuit(B3,B4). The first piezo resistance bridge circuit contains the two piezo resistance elements(R12,R13) and two fixed resistance elements(R11,R14). The second piezo resistance bridge circuit contains the two piezo resistance elements(R21,R24) and two fixed resistance elements(R22,R23). The first fixed resistance bridge circuit makes up of the four fixed resistance elements(R31-R34), and the second fixed resistance bridge circuit makes up of four fixed resistance elements(R41-R44). The signal processing circuit part(2) contains the first to fourth comparator(CP1-CD4), the low-pass filter(LF1,LF2) and the self-watching signal processing circuit(SP1,SP2).

Abstract translation: 桥电路部分（1）由第一，第二压电电阻桥电路（B1，B2）和第一，第二固定电阻桥式电路（B3，B4）组成。 第一压电电阻桥电路包含两个压电电阻元件（R12，R13）和两个固定电阻元件（R11，R14）。 第二压电电阻桥电路包含两个压电电阻元件（R21，R24）和两个固定电阻元件（R22，R23）。 第一固定电阻桥电路由四个固定电阻元件（R31-R34）组成，第二固定电阻桥电路由四个固定电阻元件（R41-R44）组成。 信号处理电路部分（2）包含第一至第四比较器（CP1-CD4），低通滤波器（LF1，LF2）和自我监视信号处理电路（SP1，SP2）。

公开(公告)号：KR1019960003957B1

公开(公告)日：1996-03-25

申请号：KR1019930020962

申请日：1993-10-09

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: G01P15/00

Abstract: The method involves forming a pressure resistor(2) on a Si wafer(1) after cleaning it. Then vacuum deposition of Ni thin film(3) as a mass paddle are formed over the Si wafer. The patterning of the Ni thin film(3) is carried out by wet etching, and a heat treatment is carried out to form Ni silicide(3'). The Ni surface oxide layer is removed in NH4OH aq. solution. A metal paste(4) of fixed quantity is formed over the Ni silicide(3') using a dispenser, and is heat treated and stiffened. The method facilitates mass production, and manufacture of various sensors with differing weights.

Abstract translation: 该方法包括在清洁它之后在Si晶片（1）上形成压力电阻器（2）。 然后在Si晶片上形成作为质量桨的Ni薄膜（3）的真空沉积。 通过湿蚀刻进行Ni薄膜（3）的图案化，进行热处理以形成Ni硅化物（3'）。 在NH 4 OH水溶液中除去Ni表面氧化物层。 解。 使用分配器在Ni硅化物（3'）上形成固定量的金属浆料（4），并进行热处理和加硬。 该方法有助于批量生产和制造具有不同重量的各种传感器。

公开(公告)号：KR1019950012748A

公开(公告)日：1995-05-16

申请号：KR1019930020963

申请日：1993-10-09

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현 ,  최평

IPC: H01L27/20

Abstract: 본 발명은 가속도센서에 관한 것으로서, 압저항들 및/또는 고정저항들로 이루어진 제1∼제4브릿지회로(B
1 ∼B
4 )로 브릿지회로부(1)를 구성하고, 비교기 (CP
1 ∼CP
2 )와 저역필터 (LF
1 ∼LF
2 ) 및 자기감시 신호처리 회로(SP
1 ,SP
2 )로 신호처리부(2)를 구성하여 압저항들과 고정저항들을 같은 저항값을 같도록 설계함으로써 자기감시 기능의 실현으로 센서의 신뢰성이 향상된 자기감시 기능을 갖는 가속도센서의 집적회로이다.

公开(公告)号：KR100122624B1

公开(公告)日：1997-09-06

申请号：KR1019930029500

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L29/84

公开(公告)号：KR1019970005677B1

公开(公告)日：1997-04-18

申请号：KR1019930029497

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L21/20

Abstract: A method for forming a fine structure of silicon is described that is applicable to produce sensors and actuators. An epitaxial layer 3 is grown over the entire substrate 1 where a poly silicon layer 2 is deposited by anode reaction in HF, and then integrated circuit devices are formed. Thereafter, p+-type silicon layer 4, an oxide layer 5 and a metal electrode are made in sequence. Next, in accordance with a mechanical structure, the epitaxial layer 3 is wet-etched until the poly silicon layer 2 is exposed, and then the poly silicon layer 2 is selectively etched. Thereby, it is possible to carry out the above process without affection to another process and thus mass-produce the fine structure having the accurate shape of space.

Abstract translation: 描述了用于形成硅精细结构的方法，其可应用于生产传感器和致动器。 在HF的阳极反应中沉积多晶硅层2的整个基板1上生长外延层3，然后形成集成电路器件。 此后，依次制作p +型硅层4，氧化物层5和金属电极。 接下来，根据机械结构，将外延层3进行湿式蚀刻，直到多晶硅层2露出，然后选择性地蚀刻多晶硅层2。 由此，可以不影响其他工序而进行上述工序，从而大量生产具有精确的空间形状的精细结构。

公开(公告)号：KR100143241B1

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019940037888

申请日：1994-12-28

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  신장규 ,  류인식

IPC: C23C18/16

Abstract: 본 발명은 미세 기계구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 확산마스크용 실리콘 산화막을 성장시킨후 인(phosphorus)을 확산 시켜 n+층(2)을 형성하고, n+층(2)상에 n형 실리콘에피층(3)을 성장시켜 n/n+/n 3 구조를 만들고 표면에 LPCVD법으로 질화막(4;Si
3 N
4 )을 증착시키는 단계와; 상기 질화막(4)을 사진식각법으로 패터닝하고 질화막(4)과 n형 실리콘 에피층(3)을 식각하여 n+층(2)을 노출시키는 단계와; 노출된 n+층(2)을 스테인 에칭을 실시하여 다공질 실리콘으로 만드는 단계와; 스테인 에칭된 n+층(2' )을 제거하여 미세기계구조를 형성하는 단계로 이루어져 짧은 식각시간으로 다양한 모양의 미세구조를 만들수 있으면서도 공정이 간단한 스테인 에칭 기법을 이용한 마이크로머시닝 방법이다.

公开(公告)号：KR1019970066518A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019960006125

申请日：1996-03-08

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  김진섭 ,  심준환

IPC: G01F1/68

Abstract: 본 발명은 유체(기체 또는 액체)의 유속 및 유량 등을 측정하는 유체센서와 유속 및 유량 등 유체의 흐름을 측정하는 방법에 관한 것으로서, 유체센서(11)에 아날로그먹스(12), A/D변환기(13), 버퍼 및 메모리(14)를 차례로 거쳐 LED표시기(15)를 연결함과 더불어 개인용컴퓨터(16)를 연결하고, 상기 아날로그먹스(12), A/D변환기(13), 버퍼 및 메모리(14)에 클럭발생기 및 제어기(17)를 각각 연결한 구성으로 유체센서(11)의 다수의 온도감지소자로 측정한 온도분포곡선으로부터 유체의 종류, 혼합비, 유량 및 유속을 측정함으로써 미지 유체의 종류, 혼합비, 유량 및 유속 등을 정확하게 측정할 수 있는 장점이 있는 유체센서 및 유체의 흐름측정방법이다.