公开(公告)号：KR1019970066518A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019960006125

申请日：1996-03-08

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  김진섭 ,  심준환

IPC: G01F1/68

Abstract: 본 발명은 유체(기체 또는 액체)의 유속 및 유량 등을 측정하는 유체센서와 유속 및 유량 등 유체의 흐름을 측정하는 방법에 관한 것으로서, 유체센서(11)에 아날로그먹스(12), A/D변환기(13), 버퍼 및 메모리(14)를 차례로 거쳐 LED표시기(15)를 연결함과 더불어 개인용컴퓨터(16)를 연결하고, 상기 아날로그먹스(12), A/D변환기(13), 버퍼 및 메모리(14)에 클럭발생기 및 제어기(17)를 각각 연결한 구성으로 유체센서(11)의 다수의 온도감지소자로 측정한 온도분포곡선으로부터 유체의 종류, 혼합비, 유량 및 유속을 측정함으로써 미지 유체의 종류, 혼합비, 유량 및 유속 등을 정확하게 측정할 수 있는 장점이 있는 유체센서 및 유체의 흐름측정방법이다.

公开(公告)号：KR100194104B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960004670

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  심준환

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형실리콘기판 (1)을 세척하여 실리콘 산화막 (2)(2')을 성장시키고 실리콘산화막(2)을 선택적으로 식각하여 n
+ 확산창(3)을 열고 P
0 Cl
3 를 주입확산시켜 n
+ 확산영역(4)을 형성한 다음 실리콘산화막(2)을 제거하고 n형 실리콘에피택셜층(5)을 성장시키는 단계와; 상기 n형실리콘에피택셜층(5)에 신호처리회로 및 변환소자부(6)를 형성한 후 버퍼산화막(7)과 질화막 (8)을 순차 증착하고 소자의 접촉부를 정의하고 난 다음 Au/Ni-Cr막(9)을 증착하여 금속패턴을 정의하는 금속화공정 단계와; 금속화공정이 끝난 기판위에 폴리이미드(10)를 도포하고 폴리이미드(10)를 부분적으로 선택식각 하여 패턴을 정의하고 난 후 습식식각 또는 건식식각법으로 상기 n형실리콘에피택셜층 (5)을 식각하여 n
+ 확산영역(4)을 노출시키는 단계와; 고농도 HF 용액에서 정전류 또는 정전압원으로 양극반응시켜 상기 n
+ 확산영역(4)을 다공질실리콘층(11)으로 만들고, 다공질실리콘층(11)을 NaOH용액에서 식각하여 동공(12;cavity)를 형성하고 상기 폴리이미드(10)를 제거하는 단계로 이루어져 고온의 열처리를 필요로 하지 않으며, HF 용액속에서 양극반응시 화학적 및 전기적 절연특성이 우수한 폴리이미드 마스킹을 이용함으로써 신호처리회로 및 변환 소자부를 보호할 수 있을 뿐만아니라 정교한 미세구조물을 용이하게 제조할 수 있는 폴리이미드 마스킹을 이용한 다공질실리콘 마이크로머시닝 방법.

公开(公告)号：KR1019970063514A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960004670

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  심준환

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형실리콘기판(1)을 세척하여 실리콘 산화막(2) (2')를 성장시키고 실리콘 산화막(2)을 선택적으로 식각하여 n
+ 확산창(3)을 열고 P
0 Cl
3 를 주입확산시켜 n
+ 확산영역(4)을 형성한 다음 실리콘 산화막(2)을 제거하고 n형실리콘에 피택셜층(5)을 성장시키는 단계와; 상기 n형실리콘에피택셜층(5)에 신호처리회로 및 변환소자부(6)를 형성한 후 버퍼산화막(7)과 질화막(8)을 순차 증착하고 소자의 접촉부를 정의하고 난 다음 Au/Ni-Cr막(9)을 증착하여 금속패턴을 정의하는 금속화 공정 단계와; 금속화공정이 끝난 기판위에 폴리이미드(10)를 도포하고 폴리이미드(10)를 부분적으로 선택식각하여 패턴을 정의하고 난 후 습식식각 또는 건식식각법으로 상기 n형실리콘에피택셜층 (5)을 식각하여 n
+ 확산영역(4)을 노출시키는 단계와; 고농도 HF 용액에서 정전류 또는 정전압원으로 양극반응시켜 상기 n
+ 확산영역(4)을 다공질실리콘층(11)으로 만들고, 다공질실리콘층(11)을 NaOH용액에서 식각하여 동공(12;cavity)를 형성 하고 상기 폴리이미드(10)를 제거하는 단계로 이루어져 고온의 열처리를 필요로하지 않으며, HF용액 속에서 양극반응시 화학적 및 전기적 절연특성이 우수한 폴리이미드 마스킹을 이용함으로써 신호처리회로 및 변환 소자부를 보호할 수 있을 뿐만아니라 정교한 미세구조물을 용이하게 제조할 수 있는 폴리이미드 마스킹을 이용한 다공질실리콘 마이크로머시닝 방법.