公开(公告)号：KR20210033417A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020200114272A

申请日：2020-09-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노부히로 다카하시 ,  가즈히토 미야타 ,  야스오 아사다

IPC: H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/30604 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/67069 ,  H01J2237/335

Abstract: [과제] 실리콘 저마늄층의 사이드 에칭을 적절히 행한다.
[해결 수단] 실리콘층과 실리콘 저마늄층이 교대로 적층된 기판의 실리콘 저마늄층을 사이드 에칭하는 방법으로서, 상기 실리콘 저마늄층의 노출 단면에의 부착물에 대해서 플라즈마화된 수소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 부착물의 표면을 개질하는 공정과, 상기 실리콘 저마늄층에 대해서 불소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 실리콘 저마늄층을 사이드 에칭하는 공정을 포함한다.