公开(公告)号：KR102233249B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020190005709A

申请日：2019-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카시 사메시마 ,  코지 마에카와 ,  가츠마사 야마구치

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/28568 ,  C23C16/14 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/12 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L2924/01074

Abstract: 본 발명은, 박막화한 경우에도 텅스텐막의 저저항화를 도모하는 것이다. 표면에 TiN막이 형성된 기판을 처리 용기 내에 배치하고, 감압 분위기에서 기판을 가열하면서 기판의 표면에 텅스텐막을 성막하는 텅스텐막의 성막 방법은, 기판에, 알루미늄 함유 재료에 의한 제1 막을 성막하는 공정과, 제1 막 상에 텅스텐막을 성막하는 공정을 갖는다.