公开(公告)号：KR100789858B1

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020067005431

申请日：2004-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  고무라카즈오

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: CVD 장치(111)에서, 히터에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 가열하고, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산(TMCTS)을 도입하여, 고주파 전압을 인가하지 않고서, 열처리를 하여, 실리콘을 포함하는 다공질 저유전률막의 개질 처리를 한다. 이어서, 동일한 CVD 장치(111)에서, 반도체 웨이퍼(W)를 가열하고, TMCTS를 도입하여, 고주파 전압을 인가하고, TMCTS를 포함하는 가스의 플라즈마를 생성하여, 다공질 저유전률막 위에 밀도·경도가 높은 절연막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020060083977A

公开(公告)日：2006-07-21

申请号：KR1020067005431

申请日：2004-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  고무라카즈오

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: In a CVD apparatus (111), modification of a porous low dielectric constant film containing silicon is performed by heating a semiconductor wafer (W) by a heater, supplying 1,3,5,7- tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) thereto and conducting a heat treatment without applying a high-frequency voltage. Then, in the same CVD apparatus (111), an insulating film with high density and high hardness is formed on the porous low dielectric constant film by heating the semiconductor wafer (W), introducing TMCTS and applying a high- frequency voltage thereto, thereby generating a plasma of a gas containing TMCTS.

Abstract translation: 在CVD装置（111）中，通过用加热器对半导体晶片（W）进行加热来进行包含硅的多孔性低介电常数膜的变形，向其中供给1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷（TMCTS），进行热处理 治疗时不施加高频电压。 然后，在同一CVD装置（111）中，通过加热半导体晶片（W），引入TMCTS并向其施加高频电压，在多孔低介电常数膜上形成具有高密度和高硬度的绝缘膜，从而 产生含有TMCTS的气体的等离子体。