公开(公告)号：KR20210035072A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020207025237A

申请日：2019-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 치시오 고시미즈 ,  신지 구보타 ,  고지 마루야마 ,  다카시 도칸 ,  고이치 나가미

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01J2237/3347

Abstract: 피처리체를 배치하는 제1 전극과, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극을 갖는 플라즈마 처리 장치의 제어 방법으로서, 바이어스 파워를 상기 제1 전극에 공급하는 공정과, 부의 직류 전압을 상기 제2 전극에 공급하는 공정을 가지며, 상기 부의 직류 전압은, 제1 전압값을 취하는 제1 상태와, 절대값이 상기 제1 전압값보다 작은 제2 전압값을 취하는 제2 상태를 주기적으로 반복하고, 상기 제1 상태를, 상기 바이어스 파워의 고주파의 주기에 동기되는 신호의 각 주기 내의 부분 기간, 또는 상기 바이어스 파워의 전달 경로에서 측정된, 주기적으로 변동하는 파라미터의 각 주기 내의 부분 기간에 인가하며, 상기 제2 상태를 상기 제1 상태와 연속하여 인가하는 제1 제어 공정을 포함하는 제어 방법이 제공된다.