公开(公告)号：KR1020000058022A

公开(公告)日：2000-09-25

申请号：KR1020000006530

申请日：2000-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다코지 ,  나카야마히사카즈 ,  오오쿠라준

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67259 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: A processing apparatus and a related system, and a distinction and detection methods are provided to exactly and quickly detect a loading position of a wafer and thereby to minimize an error in a fabrication process. CONSTITUTION: A processing apparatus for heating or cooling a substrate such as a wafer(W) includes a processing plate such as a hot plate(31) on which the wafer(W) is loaded, guiding members(43) disposed around a loading position of the wafer(W) on the hot plate(31), a detection member such as a temperature sensor installed in the hot plate(31), and a distinction member such as a controller. If the wafer(W) is exactly loaded on the loading position, a temperature of the hot plate(31) taken by the sensor is lower than a predetermined limit value. However, if the wafer(W) is wrongly loaded, a temperature of the hot plate(31) reaches or exceeds the limit value. Therefore, the controller gives an alarm based upon the detected temperature.

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置和相关系统，以及区分和检测方法以精确且快速地检测晶片的装载位置，从而最小化制造过程中的误差。 构成：用于加热或冷却诸如晶片（W）的基板的处理装置包括加热板（31）等加工板，载置晶片（W）的引导部件（43）设置在加载位置 的热板（31）上的晶片（W），安装在加热板（31）中的温度传感器等检测部件，以及诸如控制器的区别部件。 如果晶片（W）精确地装载在装载位置，则由传感器取得的热板（31）的温度低于预定极限值。 然而，如果晶片（W）错误地装载，则热板（31）的温度达到或超过极限值。 因此，控制器根据检测到的温度发出报警。

公开(公告)号：KR1020080063118A

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：KR1020070137425

申请日：2007-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오쿠라준 ,  세키모토에이치 ,  나카야마히사카즈

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  G03F7/40 ,  H01L21/67098

Abstract: A temperature control method for performing a heat process on a resist film is provided to adjust the temperature of a substrate processed by a heat plate by controlling the target temperature. A temperature control method for performing a heat process on a resist film comprises a first process, a second process, and a third process. The first process includes measuring a stepped response waveform of measured temperatures of a substrate at plural measurement points while individually changing each target temperature stepwise; composing a pulsed response waveform with respect to a change of a pulsed target temperature by using the measured stepped response waveform; composing a triangular response waveform with respect to a change of a triangular target temperature on the basis of the pulsed response waveform, and then acquiring a matrix as relation information showing a relation between the target temperatures and temperatures of the substrate at measurement points by using the composed response waveform. The second process includes acquiring temperature distribution information by using the measured temperatures of the substrate placed on the hot plate, measured at measurement points before adjustment of the target temperatures, and then calculating adjustment information by using the relation information acquired from the first step and the temperature distribution information, thereby determining adjustment information. The third process has adjusts the target temperature by using adjustment information acquired from the second process.

Abstract translation: 提供一种用于对抗蚀剂膜进行加热处理的温度控制方法，以通过控制目标温度来调节由加热板加工的基板的温度。 用于对抗蚀剂膜进行热处理的温度控制方法包括第一工序，第二工序和第三工序。 第一种方法包括测量在多个测量点处的基底的测量温度的阶梯响应波形，同时逐步地改变每个目标温度; 通过使用所测量的阶梯响应波形来组合关于脉冲目标温度变化的脉冲响应波形; 基于脉冲响应波形，构成相对于三角目标温度的变化的三角响应波形，然后通过使用测量点获取表示目标温度和基板温度之间的关系的关系信息的矩阵， 组成响应波形。 第二过程包括通过使用在调整目标温度之前的测量点处测量的放置在热板上的基板的测量温度来获取温度分布信息，然后通过使用从第一步骤获得的关系信息和 温度分布信息，从而确定调整信息。 第三过程通过使用从第二处理获取的调整信息来调整目标温度。

公开(公告)号：KR1020160124003A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：KR1020160045400

申请日：2016-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카야마히사카즈 ,  오지마도모아키

IPC: H01L21/67

CPC classification number: F24H9/2028 ,  F24H1/0072 ,  F24H1/142 ,  G05D23/1919 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6715

Abstract: 히터유닛을보호한다. 히터유닛(200)에의공급전력을제어하는제어장치(220)는, 온도검지기에의해계측된처리액의실제온도(T1)에기초하여, 처리액공급라인(104)을흐르는처리액의흐름의정지가생긴것으로가정하였을때에, 가열부(206)에의전력공급을정지하였다고해도히터유닛내에있는처리액이도달하는최고온도가처리액상한온도를상회한다고하는사상이생길것으로판단되는경우에, 가열부에공급되는전력을차단한다.

Abstract translation: 一种控制装置，被配置为控制供给到加热器单元的功率。 当确定加热器单元中达到的处理液达到的最大温度超过处理液上限温度的事件即使在供应的情况下也可能发生供应给加热部分的电力， 基于在处理液供给管路中流动的处理液的流动停止的假设，基于由温度检测器测定的处理液的实际温度来停止加热部的动力。

公开(公告)号：KR101227765B1

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：KR1020070137425

申请日：2007-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오쿠라준 ,  세키모토에이치 ,  나카야마히사카즈

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248

Abstract: 본 발명은 레지스트막을 열처리하기 위한 온도 제어에 관한 것으로서 기판 형상의 레지스트막을 열처리하기 위한 온도 제어 방법은 제1 및 제2의 공정을 가진다. 제1의 공정에서는 각 목표 온도를 스텝 형상으로 개별적으로 변화시킬 때의 기판의 복수의 계측점에 있어서의 계측 온도의 스텝 응답 파형을 계측하고, 계측 한 스텝 응답 파형을 이용하여 펄스 형상의 목표 온도의 변화에 대한 펄스 응답 파형을 합성하고, 이 펄스 응답 파형에 근거하여 목표 온도를 삼각 형상으로 변화시킨 경우의 삼각파 응답 파형을 합성하고, 합성한 응답 파형에 근거하여 목표 온도와 기판의 복수의 계측점에 있어서의 온도와의 관계 정보로서의 행렬을 구한다. 제2의 공정에서는 기판을 열판에 재치하고 목표 온도의 조정전의 기판의 온도를 복수의 계측점에서 계측 한 계측 온도에 근거해 온도 분포 정보를 구하고 제1의 공정에서 구한 관계 정보 및 온도 분포 정보에 근거해 조정 정보를 산출하고 조정 정보를 결정하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR100593627B1

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：KR1020000006530

申请日：2000-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다코지 ,  나카야마히사카즈 ,  오오쿠라준

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67259 ,  H01L21/67248

Abstract: 본 발명은 처리장치, 처리시스템, 판별방법 및 검출방법에 관한 것으로, 핫 플레이트(Hot Plate) 상의 기판재치위치에 정확하게 웨이퍼가 재치되었을 때에는 핫 플레이트의 온도가 소정의 한계치 이하로 되지만, 핫 플레이트 상의 기판재치위치에 정확하게 웨이퍼가 재치되어 있지 않을 경우에는 소정의 한계치로 된다. 따라서, 핫 플레이트 상에 웨이퍼가 재치되었을 때의 핫 플레이트의 온도가 소정의 한계치 이상으로 되었을 때에, 웨이퍼 안내 가이드 상에 얹혀진 것으로 간주하여 스피커 및 표시부로부터 경보를 발생시킴으로써, 처리기판 상에 반송된 기판이 기판재치위치에 정확하게 재치되어 있지 않은 상태를 신속히 검지하여 가열처리 및 냉각처리시의 불량을 최소로 할 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 本发明装置中，处理系统涉及一种检测方法和检测方法，热板的温度，但低于预定阈值。当它被放置，在热板上的在上热板（热板）的基板安装位置准确晶片 当晶片没有准确地放置在基板安装位置上时，获得预定的极限值。 因此，当热板的温度当放置在热板上，晶片是小于的，通过在晶片导向用于产生从扬声器和显示器的报警所考虑eonhyeojin所述承载基底的预定限值时，在基板上 快速检测其中基板未被准确地放置在基板安装位置上的状态并且最小化加热过程和冷却过程中的缺陷的技术。