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公开(公告)号:KR102239765B1
公开(公告)日:2021-04-12
申请号:KR1020197009248A
申请日:2017-09-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L21/02057 , H01L21/3065 , H01L21/67034 , H01L21/67069 , H01L29/66795
Abstract: SAMP 기술을 위한 스페이서 형성 시스템 및 방법의 실시형태를 설명한다. 일 실시형태에서, 방법은 등각의 코팅을 갖는 스페이서를 구비한 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 방법은 스페이서 프리즈 처리 공정(spacer freeze treatment process)을 수행하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 또한, 방법은 기판에 대해 에칭 및 세정 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 뿐만 아니라, 방법은 스페이서 형성 목표를 달성하도록 스페이서 프리즈 처리 공정과 에칭 및 세정 공정을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.