公开(公告)号：KR102223708B1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：KR1020197000427A

申请日：2017-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키테루 코 ,  안젤리크 레일리 ,  소피 티보 ,  사토루 나카무라 ,  니하르 모한티

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/80 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0337 ,  G03F7/2022 ,  G03F1/80 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31127

Abstract: 스페이서를 패터닝하기 위한 방법이 제공되며, 본 방법은, 처리 챔버 내의 기판에서 초기 패터닝된 구조물 - 초기 패터닝된 구조물은 유기 맨드렐 및 하위층을 포함함 - 을 제공하는 단계; 패터닝된 구조물을 직류 중첩(direct current superposition; DCS) 플라즈마 처리 공정에 노출시키는 단계 - 상기 DCS 플라즈마 처리 공정은 초기 패터닝된 구조물 상에 제1 물질의 층을 퇴적함 -; 제2 물질을 사용하여 원자층 컨포멀 퇴적 공정을 수행하는 단계 - 상기 제1 물질은 원자층 컨포멀 퇴적 공정의 시작시 유기 맨드렐에 대한 보호를 제공함 -; 포스트(post) 스페이서 에칭 맨드렐 풀링 공정을 수행하는 단계 - 상기 포스트 스페이서 에칭 맨드렐 풀링 공정은 타겟 최종 측벽 각도를 갖는 최종 패터닝된 구조물을 생성함 -; 타겟 최종 측벽 각도 및 다른 집적 목적을 충족시키기 위해, 패터닝된 구조물 노출, 원자층 컨포멀 퇴적 공정, 및 포스트 스페이서 에칭 맨드렐 풀링 공정에서 집적 동작 변수들을 동시에 제어하는 단계를 포함한다.