公开(公告)号：KR101348038B1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：KR1020110092870

申请日：2011-09-15

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  도요다히로따까 ,  세끼네마꼬또 ,  이또오히또시 ,  미요시히데노리

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H05H2001/4622

Abstract: 본 발명의 과제는 마이크로파의 손실을 최대한 저감시켜, 고밀도 플라즈마를 효율적으로 생성할 수 있는 플라즈마 생성 장치를 제공하는 것이다.
플라즈마 생성 장치(100)는 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생 장치(21)와, 마이크로파 발생 장치(21)에 접속되어, 마이크로파의 전송 방향으로 장척을 이루는 동시에, 상기 전송 방향에 직교하는 방향의 단면이 직사각형을 이룬 중공 형상의 직사각형 도파관(22)과, 직사각형 도파관(22)에 접속되어 그 내부로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치(23)와, 직사각형 도파관(22)의 일부분이며, 내부에서 생성한 플라즈마를 외부에서 방출하는 안테나부(40)를 구비하고 있다. 안테나부(40)는 그 단면에 있어서 단변을 이루는 벽(40a)에 하나 또는 복수의 슬롯 구멍(41)을 갖고 있고, 대기압 상태의 직사각형 도파관(22) 내에 공급된 처리 가스를 마이크로파에 의해 플라즈마화하고, 슬롯 구멍(41)으로부터 외부의 피처리체를 향해 방출한다.

公开(公告)号：KR1020080102273A

公开(公告)日：2008-11-24

申请号：KR1020087023984

申请日：2007-08-27

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L22/20

Abstract: The surface of a processing object is subjected to plasma oxidation processing using a plasma of 181012 cm-3 orhigher O(1D2) radical density and using an oxygenous processing gas in a processing chamber of plasma processing apparatus, thereby forming a silicon oxide film. During the plasma oxidation processing, plasma processing condensations are corrected while measuring the density of O(1D2) radical in plasma by means of VUV monochrometer (63).

Abstract translation: 使用181012cm-3以上的O（1D2）自由基浓度的等离子体进行等离子体氧化处理，在等离子体处理装置的处理室中使用含氧处理气体，从而形成氧化硅膜。 在等离子体氧化处理期间，通过VUV单色仪（63）测量等离子体中的O（1D2）基团的密度，校正等离子体处理冷凝。

公开(公告)号：KR100239026B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019930023938

申请日：1993-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  오까노하루오 ,  아오야마미찌시게 ,  이또마사오 ,  하도리게이 ,  히구찌후미히꼬 ,  다하라요시후미

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F4/00

Abstract: 본 발명은 에칭속도가 다른 복수의 물질을 함유하는 피에칭막을 이용해도 대 레지스트에칭선택비의 저하나 공정의 복잡화 및 가격증가 등의 문제를 일으키지 않고 에칭잔여물의 발생을 억제할 수 있는 드라이에칭방법을 제공하기 위한 것으로, Si 기판상에 SiO
2 막, Al-Si-Cu 박막, 포토레지스트를 순차형성하고, 마스크패턴을 순차 형성하는 공정과 에칭가스로서 Cl
2 와 BCl
3 의 혼합가스를 이용하고, RIE에 의해 Al-Si-Cu 박막을 에칭하는 공정과, BCl
3 가스의 플라스마에 의한 스패터작용에 의해 에칭잔여물을 제거하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 드라이에칭방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020120029349A

公开(公告)日：2012-03-26

申请号：KR1020110092870

申请日：2011-09-15

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  도요다히로따까 ,  세끼네마꼬또 ,  이또오히또시 ,  미요시히데노리

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H05H2001/4622

Abstract: PURPOSE: A plasma generating apparatus, a plasma processing apparatus, and a plasma processing method are provided to maximally control energy loss by performing plasma processing for a processed object. CONSTITUTION: A microwave generating unit(21) generates a microwave. A hollow shaped rectangular waveguide(22) is connected to the microwave generating unit. A gas supply unit(23) is connected to the rectangular waveguide. The gas supply unit supplies a process gas to the inside. An antenna unit(40) is corresponded to one part of the rectangular waveguide. The antenna unit emits the plasma generated in the inside to the outside. The antenna unit has one or a plurality of slot holes(41) formed in a wall of a short side. The process gas provided within the rectangular waveguide in an atmosphere pressure state becomes like plasma by the microwave.

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体发生装置，等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过对被处理物体进行等离子体处理来最大限度地控制能量损失。 构成：微波发生单元（21）产生微波。 中空形矩形波导（22）连接到微波发生单元。 气体供给单元（23）连接到矩形波导管。 气体供应单元向内部供应处理气体。 天线单元（40）对应于矩形波导的一部分。 天线单元将在内部产生的等离子体发射到外部。 天线单元具有形成在短边壁上的一个或多个槽孔（41）。 在大气压状态下设置在矩形波导内的工艺气体变成等离子体。

公开(公告)号：KR1020090096472A

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：KR1020097013175

申请日：2007-12-20

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  가베요시로 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/66818

Abstract: A pattern forming method includes a step of preparing a processing object having silicon whereupon an initial pattern having a first line width is formed; a step of oxidizing the silicon surface with plasma in a processing chamber of a plasma processing apparatus and forming a silicon oxide film on the surface of the initial pattern, and a step of removing the silicon oxide film. The silicon oxide film formation and the silicon oxide film removal are repeatedly performed, and a target pattern having a second line width finer than the first line width is formed on the processing object.

Abstract translation: 图案形成方法包括准备具有硅的处理对象的步骤，由此形成具有第一线宽的初始图案; 在等离子体处理装置的处理室中用等离子体氧化硅表面并在初始图案的表面上形成氧化硅膜的步骤，以及去除氧化硅膜的步骤。 重复执行氧化硅膜形成和氧化硅膜去除，并且在处理对象上形成具有比第一线宽窄的第二线宽的目标图案。

公开(公告)号：KR1020140109232A

公开(公告)日：2014-09-15

申请号：KR1020130128529

申请日：2013-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠

Inventor： 이토오히토시 ,  구보타유스케 ,  도요다히로타카 ,  호리마사루

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32211

Abstract: An objective of the present invention is to stably generate plasma. A microwave waveguide apparatus (2) for generating plasma includes a waveguide (21) which has a first end (21a) and a second end (21b) and propagates microwave from input end (2A) such that the microwave propagates from the first end (21a) to the second end (21b); a circulator device having a first port (22a), a second port (22b) coupled to the first end (22a), and a third port (22c) coupled to the second end (21b), wherein the circulator device is structured such that the microwave is received at the first port (22a), propagates from the second port (22b) to the first end (2A), is received at the third port (22c) from the second end (22b) and is returned toward the input end (2A); and a matching device which is interposed between the input end and the circulator device and including an EH tuber to reflect part of the microwave received at the third port (22c) of the circulator device and returned toward the input end (2A) to the first port. The waveguide has a slot-hole extending along the microwave propagation direction in the waveguide.

Abstract translation: 本发明的目的是稳定地产生等离子体。 用于产生等离子体的微波波导装置（2）包括具有第一端（21a）和第二端（21b）的波导（21），并从输入端（2A）传播微波，使得微波从第一端（ 21a）连接到第二端（21b）; 具有第一端口（22a），耦合到第一端（22a）的第二端口（22b）和耦合到第二端（21b）的第三端口（22c））的循环器件，其中环形器件被构造成 在第一端口（22a）处接收微波，从第二端口（22b）传播到第一端（2A），从第二端（22b）接收在第三端口（22c）处，并且朝向输入端返回 末端（2A）; 以及匹配装置，其插入在所述输入端和所述循环器装置之间并且包括EH块体以反射在所述循环器装置的所述第三端口（22c）处接收的部分微波，并且朝向所述输入端（2A）返回到所述第一 港口。 波导具有沿波导的微波传播方向延伸的槽孔。

公开(公告)号：KR1019940012513A

公开(公告)日：1994-06-23

申请号：KR1019930023938

申请日：1993-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  오까노하루오 ,  아오야마미찌시게 ,  이또마사오 ,  하도리게이 ,  히구찌후미히꼬 ,  다하라요시후미

IPC: H01L21/302

公开(公告)号：KR101399765B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020097013175

申请日：2007-12-20

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  가베요시로 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/66818

Abstract: 패턴 형성 방법은 제 1 선폭을 갖는 초기 패턴이 형성된 실리콘을 갖는 피처리체를 준비하는 것과, 그 실리콘 표면을 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서 플라즈마 산화 처리하여, 초기 패턴의 표면에 실리콘 산화막을 형성하는 것과, 실리콘 산화막을 제거하는 것을 포함하며, 실리콘 산화막의 형성과 실리콘 산화막의 제거를 반복해서 실행함으로써, 피처리체 상에, 상기 제 1 선폭에 비해 미세한 제 2 선폭을 갖는 목적의 패턴을 형성한다.

公开(公告)号：KR100870997B1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：KR1020070029331

申请日：2007-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠

Inventor： 호리마사루 ,  구보타가즈히로

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: 본 발명은 실리콘, 탄소, 산소 및 수소를 포함하는 저 유전율막으로 이루어진 절연막, 예컨대 SiOCH막이 적층된 기판에 있어서, 플라즈마에 의해 에칭 및 애싱을 행하여 C 원소가 탈리된 데미지층을 수복하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해, C
8 H
18 O
2 (구조식: (CH
3 )
3 COOC(CH
3 )
3 ) 가스를 열분해하여 CH
3 라디칼을 생성하여, 이 SiOCH막에 CH
3
라디칼을 공급하여 C 원소가 탈리된 데미지층으로 CH
3 기를 결합시킨다.

公开(公告)号：KR1020070096956A

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：KR1020070029331

申请日：2007-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠

Inventor： 호리마사루 ,  구보타가즈히로

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801

Abstract: A method for repairing a damaged film having a low dielectric constant, a semiconductor device fabricating system and a storage medium are provided to repair the damaged layer by supplying CH3 radicals to a low-dielectric-constant film and the damaged layer. Energy is supplied to CH3 radical source gas to produce CH3 radical, and then the CH3 radical is supplied to a low-dielectric-constant film containing silicon, carbon, oxygen and hydrogen and a damaged layer, from which carbon atoms have been eliminated, so that the CH3 radical is bonded to the damaged layer. The damaged layer is formed through by a damaged layer forming process in which the low-dielectric-constant film is exposed to the plasma.

Abstract translation: 提供修复具有低介电常数的损伤膜的方法，半导体器件制造系统和存储介质，以通过向低介电常数膜和受损层提供CH3自由基来修复受损层。 将能量供给到CH3自由基源气体中以产生CH3自由基，然后将CH3基团提供给含有硅，碳，氧和氢的低介电常数膜，以及被除去碳原子的损伤层，因此 使CH3基团与损伤层结​​合。 通过损伤层形成工艺形成损伤层，其中低介电常数膜暴露于等离子体。