公开(公告)号：KR100680863B1

公开(公告)日：2007-02-09

申请号：KR1020057014229

申请日：2004-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도아츠시 ,  오카다미츠히로 ,  오가와준 ,  야마모토아키히토 ,  나카오다카시 ,  가미무라마사키 ,  우시쿠유키히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명에 따른 처리시스템은, 내부에 피처리기판이 올려 놓아지는 반응용기와, 기판처리시에 상기 반응용기 내로 처리가스를 공급하는 처리가스공급기구, 클리닝 시에 상기 반응용기 내로 부식성을 가진 클리닝가스를 공급하는 클리닝가스공급기구, 상기 반응용기에 접속된 배기로 부재, 상기 반응용기 및 상기 배기로 부재 중의 특정한 일부분을 가열하는 가열수단, 상기 특정한 일부분의 온도를 검출하는 온도검출수단, 이 온도검출수단에 의해 검출된 검출 값을 기초로 상기 특정한 일부분이 소정의 목표온도로 되도록 상기 가열부재를 제어하는 온도제어수단 및, 상기 목표온도를 기판처리 시와 클리닝 시로 변경하는 온도변경수단을 구비하고 있다. 상기 목표온도는 상기 온도변경수단에 의해, 기판처리 시에서는 당해 특정한 일부분에 반응 부생성물이 부착되는 것이 억제될 수 있는 온도로 되는 한편, 클리닝 시에는 당해 특정한 일부분의 부식이 억제될 수 있는 온도로 된다.

公开(公告)号：KR1020050097969A

公开(公告)日：2005-10-10

申请号：KR1020057014229

申请日：2004-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도아츠시 ,  오카다미츠히로 ,  오가와준 ,  야마모토아키히토 ,  나카오다카시 ,  가미무라마사키 ,  우시쿠유키히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: A treating system comprising a reaction vessel having a substrate to be treated placed therein, a mechanism for supplying a treating gas into the reaction vessel when a substrate is treated, a mechanism for supplying a corrosive cleaning gas into the reaction vessel at cleaning, an exhaust-path member connected to the reaction vessel, a heating means for heating the reaction vessel and a specific part of the exhaust-path member, a means for detecting the temperature of the specific part, a temperature control means for controlling the heating means based on a detection value detected by the temperature detecting means so that the specific part reaches a specified target temperature, and a temperature changing means for changing the target temperature according to different steps --- substrate treating and cleaning. The target temperature is set by the temperature changing means to one at which the deposition of a reaction byproduct on the specific part can be prevented at substrate treating, while it is set to one at which the corrosion of the specific part can be prevented at cleaning.

Abstract translation: 一种处理系统，包括具有待处理基板的反应容器，用于在处理基板时将处理气体供应到反应容器中的机构，用于在清洁时将腐蚀性清洁气体供应到反应容器中的机构，排气 连接到反应容器的平台部件，用于加热反应容器和排气通道部件的特定部分的加热装置，用于检测特定部件的温度的装置，用于基于以下步骤控制加热装置的温度控制装置： 由温度检测装置检测出的特定部位达到规定的目标温度的检测值，以及根据不同的步骤改变目标温度的温度改变装置 - 基板处理和清洁。 目标温度由温度变化装置设定为在基板处理时可以防止在特定部分上沉积反应副产物的目标温度，同时将其设定为可以在清洁时防止特定部分的腐蚀的温度 。

公开(公告)号：KR100272138B1

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019950013527

申请日：1995-05-27

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 가시이요시오 ,  스즈키다카시 ,  츠다다카노리 ,  미카타유이치 ,  아카호리히로시 ,  야마모토아키히토

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L29/66181 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3185

Abstract: [목적]
본 발명은, 내전압이 높고, 신뢰성의 저하를 방지할 수 있으며, 박막화가 가능하고, 복합절연막에 적합한 반도체장치 및 그 제조방법을 제공한다.
[구성]
트렌치(33)를 갖춘 반도체 웨이퍼(31)를 로(爐)내에 삽입하고, 감압상태에서 로내에 NH
3 가스를 도입하여 온도가 850℃, H
2 O분압 및 O
2 분압이 10
-4 Torr 이하의 분위기로 한다. 트렌치(33) 내표면의 불순물확산층상에 형성된 자연산화막은 제거되고, 그와 동시에 불순물확산층상에 열질화막(35)이 직접 형성된다. 다음에, 동일 로내에서 열질화막(35)을 외기에 쪼이지 않고 연속하여 열질화막상에 CVD 질화실리콘막(36)을 형성한다. 이 CVD 질화실리콘막상에 산화실리콘막(37)을 형성하여 복합절연막이 형성된다.

公开(公告)号：KR100132036B1

公开(公告)日：1998-04-14

申请号：KR1019930013285

申请日：1993-07-15

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 나다하라소우이치 ,  야마베기쿠오 ,  고바야시히데유키 ,  데라사카구니히로 ,  야마모토아키히토 ,  야스히사나오히코

IPC: H01L21/08

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  Y10S438/909

Abstract: 본 발명은 실리콘기판을 가스분위기중에서 열처리하는 공정을 갖춘 실리콘기판의 처리방법에 있어서, 그 열처리는 1100oC이상의 비산화성 분위기 중에서 실시되고, 그 열처리이전의열공정의 열처리온도와 열처리시간과의 조합이, 열처리온도를 횡축, 열처리시간을 종축으로 하는 좌표평면에 있어서, (900oC, 4분), (800oC, 40분), (700oC, 11시간), (600oC, 320시간)의 4개의 점을 연결하는 선이하의 영역에 포함되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970067624A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970010536

申请日：1997-03-26

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 미카타유이치 ,  야마모토아키히토

IPC: H01L21/22

公开(公告)号：KR100241207B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970010536

申请日：1997-03-26

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 미카타유이치 ,  야마모토아키히토

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67309 ,  C30B31/14 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785 ,  Y10S438/931

Abstract: (과제) 반도체기판을 고온열처리할 때에 반도체기판내의 결정결함의 발생을 억제할 수 있는 서셉터와 열처리장치 및 열처리방법을 제공한다.
(해결수단) 반도체기판(1)을 열처리할 때에 반도체기판(1)을 수평으로 보지(保持)하는 서셉터(8)는, 그 위에 반도체기판(1)이 탑재된 상태에서 적어도 열처리 온도에 있어서 반도체기판(1)이 평면으로 되도록 구성되어 있다. 특히, 서셉터는 탄성체이고, 중력에 대해 위방향으로 凸모양의 막형상체(膜形狀

公开(公告)号：KR1019950034775A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950013527

申请日：1995-05-27

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 가시이요시오 ,  스즈키다카시 ,  츠다다카노리 ,  미카타유이치 ,  아카호리히로시 ,  야마모토아키히토

IPC: H01L27/10

Abstract: 〔목적〕 본 발명의 목적은 내전압이 높고, 신뢰성의 저하를 방지할수 있으며, 박막화가 가능하고, 복합절연막에 적합한 반도체장치 및 그 제조방법을 제공한다.
〔구성〕 트랜치(33)을 갖춘 반도체 웨이퍼(31)을 로내에 삽입하고, 감압상태에서 로내에 NH
3 스를 도입하여 온도가 850℃, H
2 분압 및 O
2 분압이 10
-4 Torr이하의 분위기로 한다. 트랜치(33) 내표면의 불순물확산층상에 형성된 자연산화막은 제거되고, 그와 동시에 불순물확산층상에 열질화막(35)이 직접 형성된다. 다음에, 동일 로내에서 열질화막(35)을 외기에 쪼이지 않고 연속하여 연질화막상에 CVD질화막실리콘(36)을 형성한다. 이 CVD 질화실리콘막 상에 산화실리콘막(37)을 형성하여 복합절연막이 형성된다.
〔선택도〕 제3도

公开(公告)号：KR1019940006183A

公开(公告)日：1994-03-23

申请号：KR1019930013285

申请日：1993-07-15

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 나다하라소우이치 ,  야마베기쿠오 ,  고바야시히데유키 ,  데라사카구니히로 ,  야마모토아키히토 ,  야스히사나오히코

IPC: H01L21/08

Abstract: 본 발명은 실리콘기판을 가스분위기중에서 열처리하는 공정을 갖춘 실리콘기판의 처리방법에 있어서, 그 열처리는 1100℃이상의 비산화성 분위기중에서 실시되고, 그 열처리이전의 열공정의 열처리온도와 열처리시간과의 조합이, 열처리 온도를 횡축, 열처리시간을 종축으로 하는 좌표평면에 있어서, (900℃ 4분), (800℃ 40분), (77℃, 11시간), (600℃, 327시간)외 4개의 점을 연결하는 선이하의 영역에 포함되는 것을 특징으로 한다