公开(公告)号：WO2013108961A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/KR2012/002978

申请日：2012-04-19

Applicant: 동아대학교 산학협력단 ,  류기성 ,  박종승 ,  서정화 ,  곽정훈 ,  송정근

Inventor： 류기성 ,  박종승 ,  서정화 ,  곽정훈 ,  송정근

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 절연체의 높이 차이를 이용하여 소스, 드레인 및 게이트 전극을 동시에 형성하여 박막 트랜지스터 제조 공정을 간소화하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 베이스 절연막은 기판 위에 형성되며, 기판이 노출되게 게이트 홀이 형성되어 있다. 소스 및 드레인 전극은 게이트 홀을 중심으로 양쪽의 베이스 절연막 위에 형성된다. 게이트 전극은 게이트 홀의 노출된 기판 위에 형성된다. 게이트 절연막은 게이트 홀을 통하여 게이트 전극 위에 형성된다. 그리고 반도체층은 게이트 전극 위의 게이트 절연막과, 게이트 절연막 양쪽의 소스 및 드레인 전극 부분을 덮도록 형성된다. 이때 게이트 홀을 중심으로 베이스 절연막의 높이 차이를 이용하여 소스, 드레인 및 게이트 전극이 일괄적으로 형성되면서 전기적으로 분리된다.

Abstract translation: 薄膜晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法，其目的在于，通过以下方式简化制造薄膜晶体管的方法：通过 使用绝缘体中的高度差。 根据本发明，在基板的顶部形成基极绝缘膜，形成露出基板的栅极孔。 源极和漏极形成在基极绝缘膜的两侧的顶部，栅极孔在中心。 栅电极形成在通过栅极孔暴露的衬底的顶部上。 栅极绝缘膜通过栅极孔形成在栅电极的顶部。 半导体层形成为覆盖栅电极顶部的栅极绝缘膜，栅极绝缘膜两侧的源极和漏极电极部分。 源极，漏极和栅电极通过使用基极绝缘膜中的高度差与中心的栅极孔同时形成，并因此被电分离。

公开(公告)号：WO2013115430A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：PCT/KR2012/002979

申请日：2012-04-19

Applicant: 동아대학교 산학협력단 ,  정승현 ,  류기성 ,  강대성 ,  임호섭 ,  송정근

Inventor： 정승현 ,  류기성 ,  강대성 ,  임호섭 ,  송정근

IPC: H01L51/52 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/0096 ,  H01L27/3202 ,  H01L27/3204 ,  H05B33/10 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 접착시트를 포함하는 유기발광다이오드 소자 및 이의 형성 방법에 관한 것으로, 이러한 본 발명은 적어도 하나의 유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드 상에 형성되어 상기 유기발광다이오드 및 상기 유기발광다이오드와 이웃하는 적어도 하나의 유기발광다이오드를 물리 및 전기적으로 연결하기 위한 적어도 하나의 접착 시트를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자를 제공한다. 또한, 본 발명은 적어도 하나의 유기발광다이오드를 형성하는 단계와, 상기 유기발광다이오드 및 상기 유기발광다이오드와 이웃하는 적어도 하나의 유기발광다이오드를 물리적 및 전기적으로 연결하도록 상기 유기발광다이오드 상에 적어도 하나의 접착 시트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자 형성 방법을 제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包含粘合片的有机发光二极管元件及其形成方法，所述有机发光二极管元件包括：至少一个有机发光二极管; 以及形成在有机发光二极管上的至少一个粘合片，并且将有机发光二极管和与有机发光二极管相邻的至少一个发光二极管物理和电连接。 另外，形成有机发光二极管元件的方法包括以下步骤：形成至少一个有机发光二极管; 以及在所述有机发光二极管上形成至少一个粘合片，以使所述有机发光二极管和与所述有机发光二极管相邻的至少一个有机发光二极管物理和电连接。

公开(公告)号：KR101288622B1

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：KR1020110019585

申请日：2011-03-04

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 류기성 ,  이응관 ,  황정원 ,  박종승 ,  송정근

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  G02F1/136

Abstract: 본 발명은 유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체층 형성 방법, 이에 의해 형성된 유기 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 소자 및 그 표시 소자로 형성된 표시용 전자기기에 관한 것으로, 유기 반도체층의 결정 성장 방향의 제어를 통하여 전하 이동도를 향상시키기 위한 것이다. 이러한 본 발명은 기판을 준비하는 과정, 상기 기판 위에 소스 전극과 드레인 전극 사이의 채널 영역에 액상의 결정성 유기 반도체를 도포하여 장축과 단축을 갖도록 형성하되, 장축과 단축 중앙부 영역이 채널 영역에서 이격되고, 단축이 상기 채널 영역이 형성된 방향에 나란하게 유기 반도체층을 형성하는 과정을 포함한다. 이때 기판을 준비하는 과정과 유기 반도체층을 형성하는 과정 사이에 수행되는, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정, 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 과정, 및 게이트 절연막 상에 채널로 구성되는 일정 간격을 두고 대면되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다. 유기 반도체층을 형성하는 과정에서 소스 전극 및 드레인 전극의 적어도 일부 영역과 채널 영역을 덮도록 유기 반도체층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120124512A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020110042046

申请日：2011-05-03

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 이미영 ,  류기성 ,  박종승 ,  송정근

IPC: C09D11/10 ,  H01L21/027 ,  H01L21/47 ,  H05K3/12

CPC classification number: C09D11/10 ,  G03F7/2018 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/47 ,  H05K3/1208

Abstract: PURPOSE: A resist ink composition for offset printing is provided to easily form electrode micropatterns thorugh a simplified process without addition of an improver for improving printing performance such as a tackifier, etc. CONSTITUTION: A resist ink composition for offset printing comprises 9-25 weight% of thermoplastic acrylic resin, 21-49 weight% of a first solvent of which boiling point is 150 °C or more, 30-70 weight% of a second solvent of which viscosity is 150 °C or less, 0.01-2 weight% of a fluorinated surfactant, 0.01-2 weight% of silicone-based surfactant, and 0-1 weight% of pigment. The thermoplastic acrylic resin consists of a copolymer of 95-60 weight% of a monomer not containing acidic groups, and 5-40 weight% of a monomer containing acidic groups.

Abstract translation: 目的：提供一种用于胶版印刷的抗蚀剂油墨组合物，以便简单地形成电极微图案，而不需要添加用于改善印刷性能的改进剂如增粘剂等。简述：用于胶印的抗蚀剂油墨组合物包含9-25重量份 ％的热塑性丙烯酸树脂，21〜49重量％的沸点为150℃以上的第一溶剂，30〜70重量％的粘度为150℃以下的第二溶剂，0.01〜2重量％ 的氟化表面活性剂，0.01-2重量％的硅氧烷基表面活性剂和0-1重量％的颜料。 热塑性丙烯酸树脂由95-60重量％的不含酸性基团的单体和5-40重量％的含有酸性基团的单体的共聚物组成。

公开(公告)号：KR1020120002126A

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020100062856

申请日：2010-06-30

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 김민정 ,  류기성 ,  송정근 ,  양재우

IPC: H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: PURPOSE: A method for controlling solutions of a semiconductor morphology using gas flow, an OTFT and manufacturing method for the OTFT using the same are provided to control the crystal growth direction of a semiconductor in a liquid by guiding the asymmetrical drying of a liquid semiconductor coated on a substrate. CONSTITUTION: In a method for controlling solutions of a semiconductor morphology using gas flow, an OTFT and manufacturing method for the OTFT using the same, a gate electrode(20) is formed in the top side of a substrate(10). A gate insulating layer(30) is formed on the top side of the substrate and covers the gate electrode. Source and drain electrodes(40,50) are formed in the gate insulating layer. An organic semiconductor layer(60) partly covers the source and drain electrodes on the gate electrode. The organic semiconductor layer is formed by drying the liquid organic semiconductor layer unevenly.

Abstract translation: 目的：提供一种使用气流控制半导体形态的方法，OTFT和使用其的OTFT的制造方法，以通过引导液体半导体涂覆的半导体的不对称干燥来控制液体中的半导体的晶体生长方向 在基板上。 构成：在使用气流控制半导体形态的解决方案的方法中，OTFT和使用其的OTFT的制造方法中，在基板（10）的顶侧形成有栅电极（20）。 栅极绝缘层（30）形成在基板的顶侧并覆盖栅电极。 源极和漏极（40,50）形成在栅极绝缘层中。 有机半导体层（60）部分地覆盖栅电极上的源电极和漏电极。 通过使液体有机半导体层不均匀地干燥来形成有机半导体层。

公开(公告)号：KR101067384B1

公开(公告)日：2011-09-23

申请号：KR1020090056190

申请日：2009-06-23

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 이창빈 ,  류기성 ,  송정근

IPC: G02F1/167

Abstract: 본 발명은 복수의 셀에 각각 EPD 재료 입자가 주입된 제1 기판을 준비하고, 제1 패널의 가장자리를 따라 일정 높이를 갖는 실링부재를 형성하고, 진공상태의 챔버 내에서 실링부재에 의해 제1 패널 위에 제2 패널을 합착하고, 합착된 제1 및 제2 패널을 대기압상태에 노출하는 EPD 소자 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 제1 및 제2 패널을 진공상태에서 접착한 후 대기압상태로 전환하므로, 외부 압력이 EPD 소자 내부 압력보다 커 접착력을 향상시킬 수 있다.
EPD, 전기영동, 전자 종이, 진공, 플렉서블

公开(公告)号：KR1020090073717A

公开(公告)日：2009-07-03

申请号：KR1020070141738

申请日：2007-12-31

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 이명원 ,  류기성 ,  송정근

IPC: H01L51/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: An organic thin film transistor having a substrate-planarized layer and fabrication method thereof are provided to prevent the short circuit between electrode lines by planarizing the surface of a plastic substrate. The plastic substrate(11) is cleaned to remove an impurity. The substrate-planarized material of liquid type is coated on the plastic substrate and it is hardened. The substrate-planarized layer(12) is formed at an upper surface of the plastic substrate. A gate electrode(13) is formed on the substrate-planarized layer. The gate insulating layer(14) is formed on the substrate-planarized layer. A source/drain electrode(15) is formed on the gate insulating layer. An organic conductor film(16) is formed on the source/drain electrode.

Abstract translation: 提供具有基板平坦化层的有机薄膜晶体管及其制造方法，以通过平坦化塑料基板的表面来防止电极线之间的短路。 清洁塑料基板（11）以除去杂质。 液体类型的基板平面化材料涂覆在塑料基板上并被硬化。 基板平坦化层（12）形成在塑料基板的上表面。 在基板平坦化层上形成栅电极（13）。 栅极绝缘层（14）形成在衬底平坦化层上。 源极/漏极（15）形成在栅极绝缘层上。 在源极/漏极上形成有机导体膜（16）。

公开(公告)号：KR1020160015788A

公开(公告)日：2016-02-15

申请号：KR1020140098496

申请日：2014-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  동아대학교 산학협력단

Inventor： 김연정 ,  설상철 ,  송정근 ,  이명원 ,  이태연 ,  류기성 ,  정승현 ,  정창민 ,  조현지

IPC: H01L51/42 ,  H01L29/78 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/446 ,  H01L51/424 ,  H01L51/428 ,  H01L51/441 ,  H04N5/378 ,  Y02E10/549

Abstract: 본발명의실시예에따른광 전하저장소자는게이트전극의위에형성된게이트절연체와, 상기게이트절연체의위에형성되고소스전극과드레인전극사이에형성된채널과, 상기채널의위에형성되고, 입사광에따라광 전하를생성하는유기광전변환소자를포함한다. 상기채널은상기유기광전변환소자에의해생성된상기광 전하를축적할수 있다. 실시예에따라상기채널에축적된광 전하는, 상기소스전극과상기드레인전극사이의전압에응답하여, 상기채널을통하여리드아웃된다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的光电荷存储元件包括形成在栅电极上的栅极绝缘体，形成在栅极绝缘体上并形成在源电极和漏电极之间的沟道，有机光电转换元件 形成在通道上并通过入射光产生光电荷。 通道可以积聚由有机光电转换元件产生的光电荷。 响应于源电极和漏电极之间的电压，根据实施例累积在通道中的光电荷通过通道被读出。

公开(公告)号：KR1020120124257A

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：KR1020110042045

申请日：2011-05-03

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 이미영 ,  류기성 ,  박종승 ,  송정근

IPC: C09D11/52 ,  H01B1/22 ,  H05K3/12

CPC classification number: C09D11/52 ,  C09D11/033 ,  H01B1/22 ,  H05K1/092 ,  H05K3/12

Abstract: PURPOSE: A conductive ink composition is provided to have high wettability with stamp and silicone material, coatability and releasing performance and to form an excellent micropatterned electrode with excellent thin film. CONSTITUTION: A conductive ink composition comprises: 10-50 weight% Ag particle, 10-60 weight% of a first solvent with a boiling temperature over a specific temperature, 15-75 weight% of a second solvent weight% of a second solvent with a boiling temperature under the specific temperature, and 0.1-15 weight% of a dispersant. An electrode pattern forming method comprises: a step of forming an ink layer(140) on an inking pad(120) by using a conductive ink composition; a step of forming a release pattern(141) on the stamp(150), which has an inking pad with the ink layer formed and a specific protruded pattern by contacting an ink membrane to the stamp; a step of forming an electrode pattern(142) by releasing the release pattern.

Abstract translation: 目的：提供导电油墨组合物以具有高的润湿性，具有印模和硅酮材料，涂布性和脱模性能，并形成具有优异薄膜的优异的微图案电极。 构成：导电油墨组合物包括：10-50重量％的Ag颗粒，10-60重量％的沸点温度超过特定温度的第一溶剂，15-75重量％的第二溶剂重量％的第二溶剂， 在特定温度下的沸腾温度和0.1-15重量％的分散剂。 电极图案形成方法包括：通过使用导电油墨组合物在着墨垫（120）上形成油墨层（140）的步骤; 在印模（150）上形成释放图案（141）的步骤，该印刷图案具有形成有油墨层的上墨垫，并且通过使墨膜与印模接触而形成特定的突出图案; 通过释放剥离图案形成电极图案（142）的步骤。

公开(公告)号：KR1020120101900A

公开(公告)日：2012-09-17

申请号：KR1020110020005

申请日：2011-03-07

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 류기성 ,  박종승 ,  송정근

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0545

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an organic thin film transistor, the organic thin film transistor manufactured by the same, a display device including the organic thin film transistor, and an electronic device including the display device are provided to reduce a contact resistance between an organic semiconductor layer and electrodes by differently forming surface properties of a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate(11). A gate insulation layer(13) is formed on the gate electrode. A source electrode(15A) and a drain electrode(15B) are formed on the gate insulation layer. The surface properties of the source electrode and the drain electrode are asymmetrical by a surface property process. An organic semiconductor layer(17) is formed on the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种制造有机薄膜晶体管的方法，由其制造的有机薄膜晶体管，包括有机薄膜晶体管的显示装置和包括该显示装置的电子装置，以减小有机薄膜晶体管的有机薄膜晶体管之间的接触电阻 半导体层和电极，通过不同地形成源电极和漏电极的表面性质。 构成：在基板（11）上形成栅电极（12）。 栅极绝缘层（13）形成在栅电极上。 源极电极（15A）和漏电极（15B）形成在栅极绝缘层上。 源电极和漏电极的表面性质通过表面特性处理不对称。 在源电极和漏电极上形成有机半导体层（17）。