公开(公告)号：WO2013108961A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/KR2012/002978

申请日：2012-04-19

Applicant: 동아대학교 산학협력단 ,  류기성 ,  박종승 ,  서정화 ,  곽정훈 ,  송정근

Inventor： 류기성 ,  박종승 ,  서정화 ,  곽정훈 ,  송정근

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 절연체의 높이 차이를 이용하여 소스, 드레인 및 게이트 전극을 동시에 형성하여 박막 트랜지스터 제조 공정을 간소화하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 베이스 절연막은 기판 위에 형성되며, 기판이 노출되게 게이트 홀이 형성되어 있다. 소스 및 드레인 전극은 게이트 홀을 중심으로 양쪽의 베이스 절연막 위에 형성된다. 게이트 전극은 게이트 홀의 노출된 기판 위에 형성된다. 게이트 절연막은 게이트 홀을 통하여 게이트 전극 위에 형성된다. 그리고 반도체층은 게이트 전극 위의 게이트 절연막과, 게이트 절연막 양쪽의 소스 및 드레인 전극 부분을 덮도록 형성된다. 이때 게이트 홀을 중심으로 베이스 절연막의 높이 차이를 이용하여 소스, 드레인 및 게이트 전극이 일괄적으로 형성되면서 전기적으로 분리된다.

Abstract translation: 薄膜晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法，其目的在于，通过以下方式简化制造薄膜晶体管的方法：通过 使用绝缘体中的高度差。 根据本发明，在基板的顶部形成基极绝缘膜，形成露出基板的栅极孔。 源极和漏极形成在基极绝缘膜的两侧的顶部，栅极孔在中心。 栅电极形成在通过栅极孔暴露的衬底的顶部上。 栅极绝缘膜通过栅极孔形成在栅电极的顶部。 半导体层形成为覆盖栅电极顶部的栅极绝缘膜，栅极绝缘膜两侧的源极和漏极电极部分。 源极，漏极和栅电极通过使用基极绝缘膜中的高度差与中心的栅极孔同时形成，并因此被电分离。

公开(公告)号：KR1020120124257A

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：KR1020110042045

申请日：2011-05-03

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 이미영 ,  류기성 ,  박종승 ,  송정근

IPC: C09D11/52 ,  H01B1/22 ,  H05K3/12

CPC classification number: C09D11/52 ,  C09D11/033 ,  H01B1/22 ,  H05K1/092 ,  H05K3/12

Abstract: PURPOSE: A conductive ink composition is provided to have high wettability with stamp and silicone material, coatability and releasing performance and to form an excellent micropatterned electrode with excellent thin film. CONSTITUTION: A conductive ink composition comprises: 10-50 weight% Ag particle, 10-60 weight% of a first solvent with a boiling temperature over a specific temperature, 15-75 weight% of a second solvent weight% of a second solvent with a boiling temperature under the specific temperature, and 0.1-15 weight% of a dispersant. An electrode pattern forming method comprises: a step of forming an ink layer(140) on an inking pad(120) by using a conductive ink composition; a step of forming a release pattern(141) on the stamp(150), which has an inking pad with the ink layer formed and a specific protruded pattern by contacting an ink membrane to the stamp; a step of forming an electrode pattern(142) by releasing the release pattern.

Abstract translation: 目的：提供导电油墨组合物以具有高的润湿性，具有印模和硅酮材料，涂布性和脱模性能，并形成具有优异薄膜的优异的微图案电极。 构成：导电油墨组合物包括：10-50重量％的Ag颗粒，10-60重量％的沸点温度超过特定温度的第一溶剂，15-75重量％的第二溶剂重量％的第二溶剂， 在特定温度下的沸腾温度和0.1-15重量％的分散剂。 电极图案形成方法包括：通过使用导电油墨组合物在着墨垫（120）上形成油墨层（140）的步骤; 在印模（150）上形成释放图案（141）的步骤，该印刷图案具有形成有油墨层的上墨垫，并且通过使墨膜与印模接触而形成特定的突出图案; 通过释放剥离图案形成电极图案（142）的步骤。

公开(公告)号：KR1020120101900A

公开(公告)日：2012-09-17

申请号：KR1020110020005

申请日：2011-03-07

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 류기성 ,  박종승 ,  송정근

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0545

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an organic thin film transistor, the organic thin film transistor manufactured by the same, a display device including the organic thin film transistor, and an electronic device including the display device are provided to reduce a contact resistance between an organic semiconductor layer and electrodes by differently forming surface properties of a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate(11). A gate insulation layer(13) is formed on the gate electrode. A source electrode(15A) and a drain electrode(15B) are formed on the gate insulation layer. The surface properties of the source electrode and the drain electrode are asymmetrical by a surface property process. An organic semiconductor layer(17) is formed on the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种制造有机薄膜晶体管的方法，由其制造的有机薄膜晶体管，包括有机薄膜晶体管的显示装置和包括该显示装置的电子装置，以减小有机薄膜晶体管的有机薄膜晶体管之间的接触电阻 半导体层和电极，通过不同地形成源电极和漏电极的表面性质。 构成：在基板（11）上形成栅电极（12）。 栅极绝缘层（13）形成在栅电极上。 源极电极（15A）和漏电极（15B）形成在栅极绝缘层上。 源电极和漏电极的表面性质通过表面特性处理不对称。 在源电极和漏电极上形成有机半导体层（17）。

公开(公告)号：KR1020120081912A

公开(公告)日：2012-07-20

申请号：KR1020110034983

申请日：2011-04-15

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 류기성 ,  박종승 ,  황정원 ,  송정근 ,  양재우

IPC: G03F1/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/38 ,  G03F7/2063 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337

Abstract: PURPOSE: A photo-sensitive film containing shadow mask of high resolution and a method for manufacturing the same are provided to form the fine pattern of the shadow mask using a photo-sensitive film by using a metal plate as the support of the photo-sensitive film. CONSTITUTION: A shadow mask(100) includes a metal plate(10) and a first photo-sensitive film(20). A first opening(12) is formed at the metal plate. A photo-sensitive pattern(26) is formed at the first photo-sensitive film and divides the first opening. The photo-sensitive pattern includes a plurality of second openings(22) and at least one pattern forming part(24). The second openings partially expose the first opening. The pattern forming part is formed between the second openings. A virtual opening formed by connecting outermost second opening includes the first opening.

Abstract translation: 目的：提供含有高分辨率的荫罩的感光膜及其制造方法，通过使用金属板作为感光体的载体，使用感光膜形成荫罩的精细图案 电影。 构成：荫罩（100）包括金属板（10）和第一感光膜（20）。 第一开口（12）形成在金属板上。 在第一感光膜上形成感光图案（26）并分割第一开口。 感光图案包括多个第二开口（22）和至少一个图案形成部分（24）。 第二开口部分露出第一开口。 图案形成部分形成在第二开口之间。 通过连接最外部第二开口形成的虚拟开口包括第一开口。

公开(公告)号：KR101308497B1

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020110034983

申请日：2011-04-15

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 류기성 ,  박종승 ,  황정원 ,  송정근 ,  양재우

IPC: G03F1/38 ,  H01L21/027

Abstract: 본 발명은 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크(shadow mask) 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 패터닝 된 감광막을 이용하여 섀도우 마스크의 미세 패턴을 구현하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 금속판에 제1 개방부를 형성한다. 그리고 금속판의 적어도 일면에 제1 개방부를 분할하는 감광막 패턴이 형성된 감광막을 형성함으로써 섀도우 마스크를 제조할 수 있다. 또한 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크를 제조함에 있어서 미세 패턴 구현에 불필요한 감광막을 선택적 및 효율적으로 제거하는 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101286526B1

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：KR1020120006600

申请日：2012-01-20

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 류기성 ,  박종승 ,  서정화 ,  곽정훈 ,  송정근

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0022

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to form a source, a drain, and gate electrode at the same time by using the height difference of an insulator, thereby simplifying a thin film transistor fabrication process. CONSTITUTION: A base insulating layer (20) is formed on a substrate (10). A source and a drain electrode (31,33) are formed on the right and the left region of a gate hole (21) in the base insulating layer. A gate electrode electrically separated from the source and the drain electrode is formed. A gate insulating layer (40) is formed on the gate electrode through the gate hole. A semiconductor layer (50) is formed to be in contact with the source and the drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，以通过使用绝缘体的高度差同时形成源极，漏极和栅电极，从而简化薄膜晶体管制造工艺。 构成：在基板（10）上形成基极绝缘层（20）。 源极和漏极电极（31,33）形成在基极绝缘层中的栅极孔（21）的右侧和左侧区域上。 形成与源电极和漏电极电隔离的栅电极。 栅极绝缘层（40）通过栅极孔形成在栅电极上。 半导体层（50）形成为与源电极和漏电极接触。

公开(公告)号：KR1020120100591A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020110019585

申请日：2011-03-04

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 류기성 ,  이응관 ,  황정원 ,  박종승 ,  송정근

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L51/0005 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0545

Abstract: PURPOSE: A method for forming a semiconductor layer of an organic thin film transistor, the organic thin film transistor formed thereby, a display device including the same, and an electrical display device formed by the display device are provided to improve charge mobility by forming a crystal growth direction of the organic semiconductor layer to be parallel to a longitudinal direction of a channel. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate(11). A gate insulating layer is formed on the gate electrode. A source electrode(15A) and a drain electrode(15B) are formed on the gate insulating layer. A channel(14) having a constant width and length is formed between the source electrode and the drain electrode. An organic semiconductor layer(17) is formed to at least cover a partial area of the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成有机薄膜晶体管的半导体层的方法，由此形成的有机薄膜晶体管，包括该半导体晶体管的显示装置和由显示装置形成的电显示装置，以通过形成 有机半导体层的晶体生长方向平行于沟道的纵向方向。 构成：在基板（11）上形成栅电极（12）。 在栅电极上形成栅极绝缘层。 源电极（15A）和漏电极（15B）形成在栅极绝缘层上。 在源电极和漏电极之间形成具有恒定宽度和长度的沟道（14）。 形成有机半导体层（17）至少覆盖源电极和漏电极的部分区域。

公开(公告)号：KR1020170001340A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：KR1020150091181

申请日：2015-06-26

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 박종승 ,  강영아 ,  김아롱

IPC: D01F6/74 ,  D01F1/09 ,  D01D5/00 ,  D01D1/02

Abstract: 본발명은전기전도성폴리에테르이미드나노섬유및 그제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는내열성, 방염성, 형태안정성, 고온강성, 내화학성, 경량성등의물성이우수한전기전도성폴리에테르이미드나노섬유및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른전기전도성폴리에테르이미드나노섬유의제조방법은 (a) 탄소나노물질을산성용액에처리하여카르복실산기를갖는탄소나노물질을제조하는단계; (b) 상기카르복실산기를갖는탄소나노물질을용매에분산시킨후, 톨루엔디이소시아네이트또는메틸렌디페닐디이소시아네이트를처리하여이소시아네이트기를갖는탄소나노물질을제조하는단계; (c) 상기이소시아네이트기를갖는탄소나노물질을용매에분산시킨후, 아미노하이드록시메틸피리딘을첨가하고혼합하여다중극성기가형성된탄소나노물질분산액을제조하는단계; (d) 다중극성기가형성된탄소나노물질분산액을원심분리및 여과시켜침전물을제거하는단계; (e) 폴리에테르이미드고분자를용매에용해시켜폴리에테르이미드계고분자용액을제조하는단계; (f) 상기여과된다중극성기가형성된탄소나노물질분산액및 상기폴리에테르이미드고분자용액을혼합하여콜로이드상의방사용액을제조하는단계; 및 (g) 상기방사용액을전기방사하여나노섬유를제조하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101288622B1

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：KR1020110019585

申请日：2011-03-04

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 류기성 ,  이응관 ,  황정원 ,  박종승 ,  송정근

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  G02F1/136

Abstract: 본 발명은 유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체층 형성 방법, 이에 의해 형성된 유기 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 소자 및 그 표시 소자로 형성된 표시용 전자기기에 관한 것으로, 유기 반도체층의 결정 성장 방향의 제어를 통하여 전하 이동도를 향상시키기 위한 것이다. 이러한 본 발명은 기판을 준비하는 과정, 상기 기판 위에 소스 전극과 드레인 전극 사이의 채널 영역에 액상의 결정성 유기 반도체를 도포하여 장축과 단축을 갖도록 형성하되, 장축과 단축 중앙부 영역이 채널 영역에서 이격되고, 단축이 상기 채널 영역이 형성된 방향에 나란하게 유기 반도체층을 형성하는 과정을 포함한다. 이때 기판을 준비하는 과정과 유기 반도체층을 형성하는 과정 사이에 수행되는, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정, 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 과정, 및 게이트 절연막 상에 채널로 구성되는 일정 간격을 두고 대면되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다. 유기 반도체층을 형성하는 과정에서 소스 전극 및 드레인 전극의 적어도 일부 영역과 채널 영역을 덮도록 유기 반도체층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120124512A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020110042046

申请日：2011-05-03

Applicant: 동아대학교 산학협력단

Inventor： 이미영 ,  류기성 ,  박종승 ,  송정근

IPC: C09D11/10 ,  H01L21/027 ,  H01L21/47 ,  H05K3/12

CPC classification number: C09D11/10 ,  G03F7/2018 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/47 ,  H05K3/1208

Abstract: PURPOSE: A resist ink composition for offset printing is provided to easily form electrode micropatterns thorugh a simplified process without addition of an improver for improving printing performance such as a tackifier, etc. CONSTITUTION: A resist ink composition for offset printing comprises 9-25 weight% of thermoplastic acrylic resin, 21-49 weight% of a first solvent of which boiling point is 150 °C or more, 30-70 weight% of a second solvent of which viscosity is 150 °C or less, 0.01-2 weight% of a fluorinated surfactant, 0.01-2 weight% of silicone-based surfactant, and 0-1 weight% of pigment. The thermoplastic acrylic resin consists of a copolymer of 95-60 weight% of a monomer not containing acidic groups, and 5-40 weight% of a monomer containing acidic groups.

Abstract translation: 目的：提供一种用于胶版印刷的抗蚀剂油墨组合物，以便简单地形成电极微图案，而不需要添加用于改善印刷性能的改进剂如增粘剂等。简述：用于胶印的抗蚀剂油墨组合物包含9-25重量份 ％的热塑性丙烯酸树脂，21〜49重量％的沸点为150℃以上的第一溶剂，30〜70重量％的粘度为150℃以下的第二溶剂，0.01〜2重量％ 的氟化表面活性剂，0.01-2重量％的硅氧烷基表面活性剂和0-1重量％的颜料。 热塑性丙烯酸树脂由95-60重量％的不含酸性基团的单体和5-40重量％的含有酸性基团的单体的共聚物组成。