公开(公告)号：KR101058980B1

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：KR1020090048356

申请日：2009-06-02

Applicant: 부경대학교 산학협력단

Inventor： 임권택 ,  배재현

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/302

Abstract: 본 발명은 디램 소자의 메모리 셀을 구성하는 캐패시터 제조 및 MEMS 라고 불리는 미소 구동체 등의 미소구조를 갖는 구조체의 제작에 있어서, 두개의 챔버 시스템(two chamber system)을 이용하여 에칭 약품(etching chemical)이 용해된 초임계이산화탄소를 사용하여, 상기 희생막을 에칭하는 단계; 및 세정 약품(cleaning chemical)이 용해된 초임계이산화탄소를 사용하여, 상기 희생막과 상기 에칭 약품의 반응으로부터 생성되는 에칭 잔여물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
초임계이산화탄소, MEMS, 에칭, 희생층, 에칭 약품, 에칭 잔류물, 세정약품

公开(公告)号：KR1020100129811A

公开(公告)日：2010-12-10

申请号：KR1020090048356

申请日：2009-06-02

Applicant: 부경대학교 산학협력단

Inventor： 임권택 ,  배재현

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02101

Abstract: PURPOSE: A silicon oxide etching method and a method for cleaning etching residue are provided to efficiently remove the etching residue generated by the reaction between a sacrificial layer and etchant by using supercritical carbon dioxide. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is supplied to a processing chamber from the outside(E0). Supercritical carbon dioxide and etchant are injected to the processing chamber and are stirred(E1). The pressure is applied from the supercritical solvent supply unit to the supply chamber. The etching is performed by injecting etchant into a process chamber by closing and opening a valve between a supply chamber and a process chamber.

Abstract translation: 目的：提供氧化硅蚀刻方法和蚀刻残渣的清洗方法，以通过使用超临界二氧化碳来有效地去除由牺牲层和蚀刻剂之间的反应产生的蚀刻残留物。 构成：将半导体基板从外部（E0）供给到处理室。 将超临界二氧化碳和蚀刻剂注入处理室并搅拌（E1）。 压力从超临界溶剂供应单元施加到供应室。 通过在供给室和处理室之间关闭和打开阀来将蚀刻剂注入到处理室中来进行蚀刻。