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    초임계이산화탄소 내에서 고이온주입된 포토레지스트제거에 유용한 초음파 세정 시스템
    5.
    发明公开
    초임계이산화탄소 내에서 고이온주입된 포토레지스트제거에 유용한 초음파 세정 시스템 失效
    超大型二氧化碳高功率超声波光电离子超声波清洗系统

    公开(公告)号：KR1020090122500A

    公开(公告)日：2009-12-01

    申请号：KR1020080048349

    申请日：2008-05-26

    Applicant: 부경대학교 산학협력단

    Inventor： 임권택 ,  이민영 ,  김승호

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: B08B7/0021 ,  B08B3/12 ,  B08B5/023 ,  G03F7/423 ,  G03F7/428 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

    Abstract: PURPOSE: A supersonic clean system is provided to shorten the cleaning time and improve a washing performance by completely eliminates contaminant from the support surface without collapsing of a pattern. CONSTITUTION: In a device, a cover(2) installs inside a carbon dioxide high pressure reactor(16). A plurality of vibration transmitting units(3) transfer supercritical fluid and cleaning liquid and vibrates the cleaning liquid. The vibration generation member(20) launches the vibration transmitting unit. The vibration transmitting unit is one of a group comprising of quartz, sapphire, silicon carbide, boron nitride, and vitreous carbon. The vibration transmitting unit makes supersonic wave not focused on the front side of a support in case that the vibration transmitting unit is loaded on the support. The vibration transmitting units are separated from each in crossway and lengthwise.

    Abstract translation: 目的：提供超音速清洁系统，以缩短清洁时间，并通过从支撑表面完全消除污染物，而不会使图案塌陷，从而提高清洗性能。 规定：在一个设备中，一个盖子（2）安装在二氧化碳高压反应堆（16）内部。 多个振动传递单元（3）传送超临界流体和清洁液体并使清洗液体振动。 振动产生部件（20）发射振动传递部。 振动传递单元是由石英，蓝宝石，碳化硅，氮化硼和玻璃碳组成的组之一。 在振动传递单元被装载在支撑体上的情况下，振动传递单元使得超声波不会聚焦在支撑体的前侧上。 振动传递单元在横向和纵向上与每个隔离。

    초임계 이산화탄소에 적용되는 계면활성제, 이의 제조 방법및 이의 용도
    6.
    发明授权
    초임계 이산화탄소에 적용되는 계면활성제, 이의 제조 방법및 이의 용도 失效
    用于超临界二氧化碳的表面活性剂，其制备和用途

    公开(公告)号：KR100701762B1

    公开(公告)日：2007-03-29

    申请号：KR1020050076099

    申请日：2005-08-19

    Applicant: 부경대학교 산학협력단

    Inventor： 임권택 ,  황하수

    IPC: C11D1/00 ,  C11D1/88

    Abstract: 본 발명은 환경친화적인 초임계 이산화탄소 내에서 오염물을 추출하는데 유용한 새로운 타입의 계면활성제, 이의 제조방법 및 이 계면활성제를 이용하여 금속, 세라믹, 무기 화합물, 고분자, 천연 직물 등과 같은 여러 지지체로부터 이산화탄소를 이용한 오염물질의 제거 효율을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명의 계면활성제는 친이산화탄소(CO
    2 -philic) 성분과 소이산화탄소(CO
    2 -phobic) 성분이 포함된 분자 구조의 랜덤 공중합체로서 라디칼 중합법을 이용하여 쉽게 제조되므로 아주 경제적이다.
    이 과정에서 중합체 조성을 자유 자재로 변화할 수 있기 때문에 계면활성제 성능도 조절이 가능하다. 계면활성제 화학구조에서, 친이산화탄소 성분은 퍼플루오르옥틸메타크릴레이트(perfluorooctyl methacrylate, FOMA)로, 소이산화탄소 성분은 올리고에틸렌글리콜메틸에테르메타크릴레이트(oligo(ethylene glycol)methyl ether methacrylate, OEGMA) 또는 2-디메틸아미노에틸메타크릴레이트(2-(dimethylamino)ethyl methacrylate, DMAEMA)로서 각각 합성되며, 상술한 소이산화탄소 성분은 친유성과 동시에 친수성한 성질을 보유하므로 세정력을 보다 향상시킬 수 있다. 이 방법의 특징은 휘발성 유기용매 및 할로겐화 용매를 사용하지 않으며, 수많은 오염물질을 다양한 지지체로부터 분리하여 환경을 보호할 뿐만 아니라, 여러 다양한 분야에 실용적으로 사용 가능하게 한데 그 효과가 있다.
    초임계 이산화탄소, 계면활성제, 드라이크리닝

    반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
    7.
    发明公开
    반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법 有权
    用于蚀刻半导体衬底的氧化硅层的方法和装置

    公开(公告)号：KR1020120086856A

    公开(公告)日：2012-08-06

    申请号：KR1020110008163

    申请日：2011-01-27

    Applicant: 부경대학교 산학협력단

    Inventor： 임권택

    IPC: H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/31111 ,  B81C1/00928 ,  B81C2201/117

    Abstract: PURPOSE: A method for etching a silicon oxide layer of a semiconductor substrate and an apparatus thereof are provided to efficiently eliminating an etching reactant fluid and reduce process time by reducing undesirable post reaction due to residual hydrofluoric acid. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is arranged on a shelf of a reaction chamber(S10). A silicon oxide film of the semiconductor substrate is etched by injecting high density carbon dioxide and an etchant(S20). A fluid inside the reaction chamber is discharged to a lower portion of the reaction chamber by injecting supercritical helium into the top of the reaction chamber(S30). The supercritical helium is discharged to the top of the reaction chamber by injecting the high density carbon dioxide from the lower portion of the reaction chamber(S40). The semiconductor substrate is dried by reducing the internal pressure of the reaction chamber(S50).

    Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻半导体衬底的氧化硅层的方法及其装置，以有效地消除蚀刻反应物流体，并通过减少由残留的氢氟酸引起的不期望的后反应来缩短处理时间。 构成：在反应室的架子上配置半导体基板（S10）。 通过注入高密度二氧化碳和蚀刻剂来蚀刻半导体衬底的氧化硅膜（S20）。 反应室内的流体通过将超临界氦注入到反应室的顶部而排放到反应室的下部（S30）。 通过从反应室的下部注入高密度二氧化碳将超临界氦排出到反应室的顶部（S40）。 通过降低反应室的内部压力来干燥半导体衬底（S50）。

    초임계이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 에칭 방법 및 에칭 잔류물의 세정 방법
    8.
    发明授权
    초임계이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 에칭 방법 및 에칭 잔류물의 세정 방법 有权

    公开(公告)号：KR101058980B1

    公开(公告)日：2011-08-23

    申请号：KR1020090048356

    申请日：2009-06-02

    Applicant: 부경대학교 산학협력단

    Inventor： 임권택 ,  배재현

    IPC: H01L21/306 ,  H01L21/302

    Abstract: 본 발명은 디램 소자의 메모리 셀을 구성하는 캐패시터 제조 및 MEMS 라고 불리는 미소 구동체 등의 미소구조를 갖는 구조체의 제작에 있어서, 두개의 챔버 시스템(two chamber system)을 이용하여 에칭 약품(etching chemical)이 용해된 초임계이산화탄소를 사용하여, 상기 희생막을 에칭하는 단계; 및 세정 약품(cleaning chemical)이 용해된 초임계이산화탄소를 사용하여, 상기 희생막과 상기 에칭 약품의 반응으로부터 생성되는 에칭 잔여물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
    초임계이산화탄소, MEMS, 에칭, 희생층, 에칭 약품, 에칭 잔류물, 세정약품

    초임계 이산화탄소를 이용한 중심-껍질 구조의나노컴포지트 입자 제조방법
    9.
    发明授权
    초임계 이산화탄소를 이용한 중심-껍질 구조의나노컴포지트 입자 제조방법 有权
    超临界二氧化碳核心型纳米复合粒子的制备方法

    公开(公告)号：KR100913272B1

    公开(公告)日：2009-08-21

    申请号：KR1020070013478

    申请日：2007-02-09

    Applicant: 부경대학교 산학협력단

    Inventor： 임권택 ,  박은주 ,  이민영 ,  유아라즈

    IPC: B82B3/00 ,  C01G1/02 ,  C01B13/14 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: Y02P20/544

    Abstract: 본 발명은 초임계 이산화탄소를 이용한 중심-껍질(core-shell) 구조의 나노컴포지트 입자 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 초임계 이산화탄소를 이용하여 무기산화물 중심 입자 및 상기 무기산화물 중심 입자를 둘러싸며 유기 고분자로 이루어진 껍질층을 포함하는 중심-껍질(core-shell) 구조의 컴포지트 입자를 구형의 파우더 형태로 제조하는 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따르면, 초임계 이산화탄소를 반응 용매로 이용하므로 반응 후에 반응기의 감압에 의하여 생성물 분리가 간단하고 용매를 제거하는 과정에서의 가용화 문제가 발생하지 않아 생성물질을 변형 없이 분리해 낼 수 있는 장점이 있으므로 매우 유용한 기술이다.
    중심-껍질(core-shell), 무기산화물, 나노컴포지트, 초임계 이산화탄소

    초임계이산화탄소에 적용되는 부분 불소화된 계면활성제와 이의 용도
    10.
    发明公开
    초임계이산화탄소에 적용되는 부분 불소화된 계면활성제와 이의 용도 无效
    用于超临界二氧化碳及其使用的半挥发性表面活性剂

    公开(公告)号：KR1020090014432A

    公开(公告)日：2009-02-11

    申请号：KR1020070078353

    申请日：2007-08-06

    Applicant: 부경대학교 산학협력단

    Inventor： 임권택 ,  이민영 ,  김승호

    IPC: C11D1/00 ,  C11D1/88

    CPC classification number: C11D1/88 ,  C11D1/008

    Abstract: A surfactant is provided to ensure high solubility to carbon dioxide, to remove the contaminant between cracks, to prevent the residue left to a supporter after dry cleaning and to show excellent removal efficiency of pollutants even by using the small quantity. In a method for removing various contaminants from a supporter, a surfactant is manufactured with the molecular weight lower than that of a conventional surfactant when contacting the carbon dioxide fluid and the materials and comprises a CO2-philic component with excellent cleaning effect and a CO2-phobic component. The surfactant has a structure indicated as the chemical formula 1 with excellent cleaning effect and solubility to the carbon dioxide. In the chemical formula 1, m is 10-455; n is 2-10; and R is CH2CF2CF2CF3, CH2CF2CF2CF2CF3, CH2CH2(CF2)5CF3, CH2(CF2)6CF3, CH2CH2(CF2)_3-12CF3.

    Abstract translation: 提供表面活性剂以确保对二氧化碳的高溶解度，以除去裂纹之间的污染物，以防止残留物在干洗后残留在支持物上，并且即使使用少量也能显示出优异的污染物去除效率。 在从载体中除去各种污染物的方法中，当与二氧化碳流体和材料接触时，制造分子量低于常规表面活性剂的表面活性剂，并且包括具有优异清洁效果和CO 2 - 恐怖组分。 表面活性剂具有化学式1所示的结构，具有优异的清洁效果和对二氧化碳的溶解性。 在化学式1中，m为10-455; n为2-10; 并且R是CH 2 CF 2 CF 2 CF 3，CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 3，CH 2 CH 2（CF 2）5 CF 3，CH 2（CF 2）6 CF 3，CH 2 CH 2（CF 2）3-12CF 3。

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