公开(公告)号：WO2019168241A1

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：PCT/KR2018/006901

申请日：2018-06-19

Applicant: 부산대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김윤 ,  이종호 ,  박유정

IPC: G06N3/063 ,  G11C16/04

Abstract: 3차원 적층 시냅스 어레이 기반의 뉴로모픽 시스템과 그 동작 방법 및 제조 방법이 제시된다. 일 실시예에 따른 3차원 적층 시냅스 어레이 기반의 뉴로모픽 시스템은 3차원으로 적층되어 입력 회로 및 출력 회로를 서로 공유하는 복수의 시냅스 소자들로 구성되는 3차원 적층 시냅스 어레이를 포함하여 이루어질 수 있다.

公开(公告)号：KR102112393B1

公开(公告)日：2020-05-18

申请号：KR1020180024239

申请日：2018-02-28

Applicant: 부산대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김윤 ,  이종호 ,  박유정

IPC: G06N3/063 ,  G11C16/04

公开(公告)号：KR101830712B1

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：KR1020170041960

申请日：2017-03-31

Applicant: 부산대학교 산학협력단

Inventor： 김윤 ,  최현석 ,  이원주 ,  위대훈 ,  권희태 ,  박유정

IPC: H01L29/423

CPC classification number: H01L29/42328 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7889

Abstract: 반도체장치가제공된다. 반도체장치는, 기판, 상기기판상에상기기판과수직으로연장되는채널층, 상기채널층의측면을감싸는플로팅게이트, 상기플로팅게이트의측면을감싸는컨트롤게이트, 상기컨트롤게이트상에배치되고, 상기플로팅게이트의측면을감싸는터널링게이트를포함하되, 상기채널층이연장되는방향의상기컨트롤게이트의두께는상기채널층이연장되는방향의상기터널링게이트의두께보다크다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件。 1。一种半导体器件，包括：衬底;在衬底上垂直于衬底延伸的沟道层;围绕沟道层的侧面的浮置栅极;围绕浮置栅极的侧面的控制栅极; 其中控制栅极在沟道层延伸的方向上的厚度大于隧道栅极在沟道层延伸的方向上的厚度。