公开(公告)号：KR1020110081694A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020100001977

申请日：2010-01-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 지영길 ,  김득종

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78636 ,  H01L27/1248

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing thin film transistor and a display device are provided to suppress the fault of a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: In a method for manufacturing thin film transistor and a display device, a source electrode(176) and a drain electrode(177) are formed in a substrate. The source electrode and the drain electrode are formed in a protective layer(181). The protective layer is processed by heat treatment with a second temperature which is higher than a first temperature.

Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜晶体管和显示装置的方法，以抑制源电极和漏电极的故障。 构成：在薄膜晶体管和显示装置的制造方法中，在基板上形成源极（176）和漏极（177）。 源电极和漏电极形成在保护层（181）中。 保护层通过高于第一温度的第二温度进行热处理。

公开(公告)号：KR1020110099996A

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：KR1020100019045

申请日：2010-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 권오섭 ,  김득종 ,  고무순

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L27/3265 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/00

Abstract: 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상의 동일한 층에 형성되며, 각각 불순물이 도핑된 다결정 규소막을 포함하는 반도체층 및 제1 캐패시터 전극과, 상기 반도체층 및 상기 제1 캐패시터 전극 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 반도체층 상에 형성된 게이트 전극, 그리고 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 제1 캐패시터 전극 상에 형성되며 상기 게이트 전극과 동일한 층에 형성된 제2 캐패시터 전극을 포함한다. 그리고 상기 제2 캐패시터 전극은 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 전극 철(凸)부와 상대적으로 얇은 두께를 갖는 전극 요(凹)부를 포함한다. 그리고 상기 제2 캐패시터 전극의 전극 요부는 상기 게이트 전극보다 상대적으로 얇은 두께를 갖는다.

公开(公告)号：KR101084273B1

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：KR1020100019045

申请日：2010-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 권오섭 ,  김득종 ,  고무순

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L27/3265 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상의 동일한 층에 형성되며, 각각 불순물이 도핑된 다결정 규소막을 포함하는 반도체층 및 제1 캐패시터 전극과, 상기 반도체층 및 상기 제1 캐패시터 전극 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 반도체층 상에 형성된 게이트 전극, 그리고 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 제1 캐패시터 전극 상에 형성되며 상기 게이트 전극과 동일한 층에 형성된 제2 캐패시터 전극을 포함한다. 그리고 상기 제2 캐패시터 전극은 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 전극 철(凸)부와 상대적으로 얇은 두께를 갖는 전극 요(凹)부를 포함한다. 그리고 상기 제2 캐패시터 전극의 전극 요부는 상기 게이트 전극보다 상대적으로 얇은 두께를 갖는다.

Abstract translation: 在OLED显示器及其制造有机光根据本发明的示例性实施例的发光显示器的方法，半导体层，包括基体和形成在相同的层上的基板主体，每一个掺杂有杂质的多晶硅膜和所述 第一电容器电极，在半导体层和第一电容器电极上形成的栅极绝缘膜，在半导体层上隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极，以及在第一电容器电极上形成的栅极电极 并且在与栅电极相同的层上形成第二电容器电极。 第二电容器电极包括具有较厚厚度的电极凸出部分和具有较薄厚度的电极凹入部分。 第二电容器电极的电极凹部的厚度比栅电极的厚度薄。