公开(公告)号：KR101108162B1

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020100002377

申请日：2010-01-11

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 서민철 ,  이신두 ,  최원석 ,  김민회

IPC: H01L21/027 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0016 ,  H01L27/322 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/56

Abstract: 본 발명은 고해상도 유기 박막 패턴의 형성 방법에 관한 것으로, (a) 기판 상에 제 1 유기층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 유기층에 선택적으로 광 에너지를 조사하여 상기 제 1 유기층을 선택적으로 제거하고, 상기 제 1 유기층의 남아있는 부분으로 희생층을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 및 상기 희생층 상의 전면(全面)에 제 2 유기층을 형성하는 단계; 및 (d) 솔벤트를 사용하여, 상기 희생층을 제거하여 상기 희생층 상에 형성된 상기 제 2 유기층을 리프트 오프(lift off) 함으로써, 남아 있는 제 2 유기층으로 제 2 유기층 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 박막 패턴 형성 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110082415A

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：KR1020100002377

申请日：2010-01-11

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 서민철 ,  이신두 ,  최원석 ,  김민회

IPC: H01L21/027 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0016 ,  H01L27/322 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/56 ,  H01L21/0272

Abstract: PURPOSE: A method for forming an organic thin film pattern with high resolution is provided to optically lift off a sacrificial layer to form a pattern, thereby easily forming an organic thin film pattern of high resolution. CONSTITUTION: A first organic layer(130) is formed on a substrate(110). Light energy is irradiated onto the first organic layer to selectively eliminate the first organic layer. A sacrificial layer is formed on a part where the first organic layer remains. A second organic layer is formed on the substrate and the sacrificial layer. The second organic layer is lifted off to form a second organic layer pattern.

Abstract translation: 目的：提供用于形成高分辨率的有机薄膜图案的方法以光学提取牺牲层以形成图案，从而容易地形成高分辨率的有机薄膜图案。 构成：在衬底（110）上形成第一有机层（130）。 将光能照射到第一有机层上以选择性地除去第一有机层。 在残留第一有机层的部分上形成牺牲层。 在基板和牺牲层上形成第二有机层。 第二有机层被提起以形成第二有机层图案。

公开(公告)号：KR1020140094970A

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：KR1020130007683

申请日：2013-01-23

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이신두 ,  김민회 ,  금창민

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/057 ,  H01L51/5296 ,  H01L51/56

Abstract: An organic light-emitting transistor can include a mesh-type source electrode having a plurality of open parts arranged in a shape of an array. The mesh-type source electrode is disposed between a gate electrode and a drain electrode of the organic light-emitting transistor. The organic light-emitting transistor having the mesh-type source electrode can solve a problem of line emission, which is the greatest limitation of the organic light-emitting transistor; secure quasi-surface emission of a similar level as that of the organic light-emitting diode; and achieve higher aperture ratio, brightness, and light-emitting efficiency compared to the organic light-emitting transistor. Furthermore, an additional driving thin-film transistor is not required so manufacturing costs may be reduced.

Abstract translation: 有机发光晶体管可以包括具有排列成阵列形状的多个开口部分的网状源电极。 网状源电极设置在有机发光晶体管的栅电极和漏电极之间。 具有网状源电极的有机发光晶体管可以解决作为有机发光晶体管的最大限制的线发射的问题; 具有与有机发光二极管类似的等级的准表面发射; 并且与有机发光晶体管相比，实现更高的开口率，亮度和发光效率。 此外，不需要额外的驱动薄膜晶体管，因此可以降低制造成本。

公开(公告)号：KR101342558B1

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：KR1020120140102

申请日：2012-12-05

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이신두 ,  박승철 ,  김민회

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: A surface structure is formed by arranging particles having a nanometer or micrometer level of size on an electrode layer and allowing a functional fluid to permeate space among the particles. A network electrode can be periodically formed by differentially etching the electrode layer using the surface structure. The network electrode can be formed on a period about tens of nanometers. However, the shape, size and period of the network electrode can be variously adjusted according to the shape and size of used particles and the etching level of the electrode layer. Further, the ratio of an electrode area to a non-electrode area can be changed according to the etching level even in the network electrode having the same shape and period.

Abstract translation: 通过在电极层上布置具有纳米级或微米级尺寸的颗粒并允许功能流体渗入颗粒之间的空间来形成表面结构。 可以使用表面结构通过差分蚀刻电极层来周期性地形成网络电极。 网络电极可以在几十纳米的周期上形成。 然而，可以根据所使用的颗粒的形状和尺寸以及电极层的蚀刻水平来不同地调整网状电极的形状，尺寸和周期。 此外，即使在具有相同形状和周期的网络电极中，也可以根据蚀刻水平来改变电极面积与非电极面积的比率。

公开(公告)号：KR101427776B1

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：KR1020130007683

申请日：2013-01-23

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이신두 ,  김민회 ,  금창민

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/057 ,  H01L51/5296

Abstract: 유기발광 트랜지스터(organic light-emitting transistor)는, 어레이 형태로 배열된 복수 개의 개구부를 갖는 그물형(mesh-type) 소스 전극을 포함할 수 있다. 상기 그물형 소스 전극은 유기발광 트랜지스터의 게이트 전극 및 드레인 전극 사이에 위치할 수도 있다. 그물형 소스 전극이 적용된 유기발광 트랜지스터는, 유기발광 트랜지스터의 가장 큰 한계인 선발광(line emission) 문제를 해결하고 유기발광 다이오드(organic light-emitting diode)와 유사한 수준의 준 면발광(quasi-surface emission)을 확보할 수 있으며, 유기발광 다이오드 보다 높은 개구율, 휘도 및 발광효율을 달성할 수 있다. 나아가, 추가적인 구동 박막 트랜지스터(driving thin-film transistor)를 필요로 하지 않으므로 생산원가를 절감할 수 있다.