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1.发明专利
公开(公告)号：KR102225451B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190077574A
申请日：2019-06-28
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01B3/10 , H01G4/12 , H01G4/1227 , C04B35/4682 , H01G4/1209 , H01G4/1218 , H01G4/232 , H01G4/248 , H01G4/30 , H01G4/302 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/768 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/85 , H01G4/012 , H01G4/1254
Abstract: 본 발명의 일 측면은 ABO3(A는 Ba, Sr 및 Ca 중 적어도 하나이고, B는 Ti, Zr 및 Hf 중 적어도 하나임)로 표현되는 페로브스카이트 구조를 가지는 주성분 및 제1 부성분을 포함하며, 상기 제1 부성분은 상기 주성분 100몰 대비, 희토류 원소: 0.1몰 이상, Nb: 0.02몰 이상 및 Mg: 0.25몰 이상 0.9몰 이하를 포함하고, 상기 희토류 원소와 Nb 함량의 합은 1.5몰 이하인 유전체 조성물을 제공하기 위함이다.
본 발명의 다른 일 측면은 상기 유전체 조성물을 포함하는 적층형 전자 부품을 제공하기 위함이다.-
2.发明专利
公开(公告)号：KR20210028624A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020210028143A
申请日：2021-03-03
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01B3/10 , H01G4/1218 , H01G4/302
Abstract: 본 발명의 일 측면은 ABO3(A는 Ba, Sr 및 Ca 중 적어도 하나이고, B는 Ti, Zr 및 Hf 중 적어도 하나임)로 표현되는 페로브스카이트 구조를 가지는 주성분 및 제1 부성분을 포함하며, 상기 제1 부성분은 상기 주성분 100몰 대비, 희토류 원소: 0.1몰 이상, Nb: 0.02몰 이상 및 Mg: 0.25몰 이상 0.9몰 이하를 포함하고, 상기 희토류 원소와 Nb 함량의 합은 1.5몰 이하인 유전체 조성물을 제공하기 위함이다.
본 발명의 다른 일 측면은 상기 유전체 조성물을 포함하는 적층형 전자 부품을 제공하기 위함이다.-
3.发明专利
公开(公告)号：KR102222944B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190033361A
申请日：2019-03-25
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01G4/12 , C04B35/465 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/465 , H01G4/30
Abstract: 본 발명의 일 실시형태는 BaTiO
3 계 모재 주성분과 부성분을 포함하며, 상기 부성분은 희토류 원소로서 3가 란탄족 희토류 원소 A와 터븀 (Tb)을 포함하고, 상기 3가 란탄족 희토류 원소 A의 함량 대비 상기 터븀 (Tb)의 함량비(Tb/A)는 0.15 ≤ Tb/A 〈 0.50 을 만족하는 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터를 제공한다.-
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公开(公告)号：KR102225451B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190077574
申请日：2019-06-28
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본발명의일 측면은 ABO3(A는 Ba, Sr 및 Ca 중적어도하나이고, B는 Ti, Zr 및 Hf 중적어도하나임)로표현되는페로브스카이트구조를가지는주성분및 제1 부성분을포함하며, 상기제1 부성분은상기주성분 100몰대비, 희토류원소: 0.1몰이상, Nb: 0.02몰이상및 Mg: 0.25몰이상 0.9몰이하를포함하고, 상기희토류원소와 Nb 함량의합은 1.5몰이하인유전체조성물을제공하기위함이다. 본발명의다른일 측면은상기유전체조성물을포함하는적층형전자부품을제공하기위함이다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020210028624A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020210028143
申请日：2021-03-03
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본발명의일 측면은 ABO3(A는 Ba, Sr 및 Ca 중적어도하나이고, B는 Ti, Zr 및 Hf 중적어도하나임)로표현되는페로브스카이트구조를가지는주성분및 제1 부성분을포함하며, 상기제1 부성분은상기주성분 100몰대비, 희토류원소: 0.1몰이상, Nb: 0.02몰이상및 Mg: 0.25몰이상 0.9몰이하를포함하고, 상기희토류원소와 Nb 함량의합은 1.5몰이하인유전체조성물을제공하기위함이다. 본발명의다른일 측면은상기유전체조성물을포함하는적층형전자부품을제공하기위함이다.
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公开(公告)号：KR102222944B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190033361
申请日：2019-03-25
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01G4/12 , C04B35/465 , H01G4/30
Abstract: 본발명의일 실시형태는 BaTiO3 계모재주성분과부성분을포함하며, 상기부성분은희토류원소로서 3가란탄족희토류원소 A와터븀 (Tb)을포함하고, 상기 3가란탄족희토류원소 A의함량대비상기터븀 (Tb)의함량비(Tb/A)는 0.15 ≤ Tb/A 〈 0.50 을만족하는유전체자기조성물및 이를포함하는적층세라믹커패시터를제공한다.
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