公开(公告)号：KR100495210B1

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：KR1020020072852

申请日：2002-11-21

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박해성 ,  허강헌 ,  김우섭 ,  김준희 ,  김종한

IPC: H01G4/12

Abstract: 본 발명은 내환원성 유전체 자기조성물과 이를 이용한 적층세라믹 커패시터에 관한 것이다. 본 발명의 적층세라믹 커패시터는 비유전율이 높으면서도 X5R특성(-55∼85 ℃, △C=±15% 이내)을 만족하고, 1200~1250℃ 의 저온소성으로 얻을 수 있다.
본 발명은, BaTiO
3 와, 이 BaTiO
3 100몰에 대해,
MgCO
3 :0.2∼3.0몰,
Y
2 O
3 , Ho
2 O
3 , Dy
2 O
3 , Yb
2 O
3 의 그룹에서 선택된 1종이상:0.05∼1.5몰,
Cr
2 O
3 :0.1∼1.5몰,
Ba
x Ca
(1-x) SiO
3 (단, 0 ≤x ≤1):0.2∼3.0몰,
Mn
2 V
2 O
7 :0.01∼1.5몰을 포함하여 이루어지는 내환원성 저온소성 유전체 자기조성물과,
상기 유전체 자기조성물로 이루어진 유전체와 내부전극이 교대로 적층하여 이루어지는 적층세라믹 커패시터 및,
MnO와 V
2 O
5 를 650~800℃ 에서 하소하여 Mn
2 V
2 O
7 분말을 얻는 단계,
BaTiO
3 와
이 BaTiO
3 100몰에 대해
MgCO
3 :0.2∼3.0몰,
Y
2 O
3 , Ho
2 O
3 , Dy
2 O
3 , Yb
2 O
3 의 그룹에서 선택된 1종이상:0.05∼1.5몰,
Cr
2 O
3 :0.1∼1.5몰,
Ba
x Ca
(1-x) SiO
3 (단, 0≤ x≤ 1):0.2∼3.0몰 및,
상기에서 얻은 Mn
2 V
2 O
7 을 0.01∼1.5몰로 혼합하여 유전재료를 얻는 단계,
상기 유전재료와 내부전극을 교대로 적층한 후 소성하는 단계를 포함하여 이루어지는 적층세라믹 커패시터의 제조방법에 관한 것을 그 기술요지로 한다.

公开(公告)号：KR1020040048438A

公开(公告)日：2004-06-10

申请号：KR1020020076129

申请日：2002-12-03

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김준희 ,  허강헌 ,  박해성 ,  김종한 ,  김우섭

IPC: H01G4/12

CPC classification number: C04B35/6303 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/468 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: PURPOSE: A magnetic composition of a low-temperature-fired dielectric and a laminated ceramic capacitor are provided to reduce the thickness of the dielectric by performing a low temperature firing process without lowering a dielectric constant. CONSTITUTION: A magnetic composition of a low-temperature-fired dielectric is formed with aBaTiO3-bMgCO3-cY2O3-dCr2O3-eV2O5-f(xZrO2-y(Kali)2O-zSiO2) under the condition such as x+y+z=1, 0.05

Abstract translation: 目的：提供低温烧制电介质和层压陶瓷电容器的磁性组合物，通过在不降低介电常数的情况下进行低温烧制工艺来减小电介质的厚度。 构成：在诸如x + y + z = 1的条件下，用BaTiO3-bMgCO3-cY2O3-dCr2O3-eV2O5-f（xZrO2-y（Kali）2O-zSiO2）形成低温烧结电介质的磁性组合物 ，0.05 <= x <=0.18,0.01≤y≤0.08,0.74≤z≤0.93。 低温烧结电介质的磁性组成的摩尔比为a = 100，1.0 <= b <= 2.0,0.2 <= c <= 2.0,0.02 <= d <= 0.3,0.02 <= e < 0.3和0.5 <= f <2。 BaTiO3的平均晶粒尺寸小于0.4微米。 （xZrO2-y（K，Li）2O-zSiO2）的平均粒径小于0.5微米。

公开(公告)号：KR100471155B1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020020076129

申请日：2002-12-03

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김준희 ,  허강헌 ,  박해성 ,  김종한 ,  김우섭

IPC: H01G4/12

CPC classification number: C04B35/6303 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/468 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 본 발명은 유전체 자기조성물에 관한 것이다. 이 유전체 자기조성물은 aBaTiO
3 -bMgCO
3 -cY
2 O
3 -dCr
2 O
3 -eV
2 O
5 - f(xZrO
2 -y(K, Li)
2 O-zSiO
2 )(단 x+y+z=1로서 0.05≤x≤0.18, 0.01≤y≤0.08, 0.74≤z≤0.93이다)로 조성되고, 몰비로 a=100, 1.0≤b≤2.0, 0.2≤ c≤2.0, 0.02≤d≤0.3, 0.02≤e≤0.3, 0.5≤f

公开(公告)号：KR1020040004756A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：KR1020020072852

申请日：2002-11-21

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박해성 ,  허강헌 ,  김우섭 ,  김준희 ,  김종한

IPC: H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/468 ,  H01G4/30

Abstract: PURPOSE: A reduction resistant low-fired dielectric magnetic composition, a stacked ceramic capacitor, and a method for manufacturing the stacked ceramic capacitor are provided to achieve improved dielectric constant and temperature characteristic coefficient, while allowing for a low-firing in the reductive atmosphere. CONSTITUTION: A reduction resistant low-fired dielectric magnetic composition comprises 100 moles of BaTiO3, 0.2 to 3.0 moles of MgCO3, 0.05 to 1.5 moles of one or more selected from a group consisting of Y2O3, HO2O3, Dy2O3 and Yb2O3, 0.1 to 1.5 moles of Cr2O3, 0.2 to 3.0 moles of BaxCa(1-x)SiO3(wherein 0

Abstract translation: 目的：提供耐还原性低烧电介质磁性组合物，层叠陶瓷电容器和制造叠层陶瓷电容器的方法，以实现改进的介电常数和温度特性系数，同时允许在还原气氛中低烧制。 构成：耐还原低烧介电磁性组合物包含100摩尔BaTiO 3，0.2-3.0摩尔MgCO 3，0.05-1.5摩尔选自Y 2 O 3，HO 2 O 3，Dy 2 O 3和Yb 2 O 3中的一种或多种，​​0.1至1.5摩尔 的Cr 2 O 3，0.2〜3.0摩尔的BaxCa（1-x）SiO 3（其中0 <= x <= 1）和0.01〜1.5摩尔的Mn2V2O7。 层叠的陶瓷电容器包括彼此交替堆叠的电介质和内部电极，其中电介质由耐还原低烧介电磁性组合物构成。