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公开(公告)号:KR1020060018429A
公开(公告)日:2006-03-02
申请号:KR1020040066791
申请日:2004-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2924/15311
Abstract: 본 발명은 외층에 보다 얇은 동박층을 사용하여 기판의 표면 평탄도를 향상시키는 반도체 패키지 기판 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 패키지 기판 제조 방법은 (A) 두께가 12㎛보다 얇은 두 개의 동박층 및 상기 동박층들간에 위치하는 절연층을 포함하는 원판을 제공하는 단계; (B) 상기 원판에 소정의 비아홀을 가공하고, 상기 동박층 및 상기 비아홀의 측벽에 동도금층을 형성하는 단계; (C) 상기 동박층 및 상기 동도금층에 소정의 회로패턴을 형성하는 단계; (D) 상기 원판의 양면에 각각 소정의 솔더 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 (E) 상기 솔더 레지스트 패턴의 개구부에 대응하는 상기 회로패턴상에 니켈/금도금층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체 패키지 기판, BGA 기판, BGA, CSP, 인쇄회로기판, 표면 평탄도-
公开(公告)号:KR100645656B1
公开(公告)日:2006-11-15
申请号:KR1020040066791
申请日:2004-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2924/15311
Abstract: 본 발명은 외층에 보다 얇은 동박층을 사용하여 기판의 표면 평탄도를 향상시키는 반도체 패키지 기판 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 패키지 기판 제조 방법은 (A) 두께가 12㎛보다 얇은 두 개의 동박층 및 상기 동박층들간에 위치하는 절연층을 포함하는 원판을 제공하는 단계; (B) 상기 원판에 소정의 비아홀을 가공하고, 상기 동박층 및 상기 비아홀의 측벽에 동도금층을 형성하는 단계; (C) 상기 동박층 및 상기 동도금층에 소정의 회로패턴을 형성하는 단계; (D) 상기 원판의 양면에 각각 소정의 솔더 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 (E) 상기 솔더 레지스트 패턴의 개구부에 대응하는 상기 회로패턴상에 니켈/금도금층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체 패키지 기판, BGA 기판, BGA, CSP, 인쇄회로기판, 표면 평탄도
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