公开(公告)号：KR1020090053549A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020070120432

申请日：2007-11-23

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 백호선 ,  이성남 ,  성연준 ,  허인회

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20

Abstract: 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법이 개시된다. 본 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은, m면 사파이어 기판을 질화 처리하는 단계, m면 사파이어 기판 상에 고온 완충층을 형성하는 단계, 고온 완충층 상에 반극성 (11-22)면 질화물계 박막을 형성하는 단계, 및, 반극성 (11-22)면 질화물계 박막 상에 제1 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 질화물 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, m면 사파이어 기판을 적정 온도 범위에서 질화 처리함으로써, m면 사파이어 기판 상에 형성되는 반극성 (11-22)면 질화물계 박막의 결정성을 향상시킬 수 있다.
발광소자, m면 사파이어 기판, 반극성, (11-22)면, 질화 처리

公开(公告)号：KR100925064B1

公开(公告)日：2009-11-03

申请号：KR1020070123032

申请日：2007-11-29

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 이성남 ,  허인회 ,  백호선

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

Abstract: 백색 발광소자가 개시된다. 본 백색 발광소자는, 기판 상에 형성된 제1 질화물 반도체층, 제1 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층, 및, 활성층 상에 형성된 제2 질화물 반도체층을 포함하며, 활성층은 청색광을 발광하는 제1 양자 우물층, 제1 양자 우물층 상에 형성되며 상분리에 의해 녹색광 및 적색광을 발광하는 제2 양자 우물층, 및, 제1 양자 우물층 및 제2 양자 우물층과 교번적으로 형성된 복수의 장벽층을 포함한다.
백색 발광소자, 양자 우물층, 상분리, 스트레인

公开(公告)号：KR100935974B1

公开(公告)日：2010-01-08

申请号：KR1020070120432

申请日：2007-11-23

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 백호선 ,  이성남 ,  성연준 ,  허인회

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20

Abstract: 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법이 개시된다. 본 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은, m면 사파이어 기판을 질화 처리하는 단계, m면 사파이어 기판 상에 고온 완충층을 형성하는 단계, 고온 완충층 상에 반극성 (11-22)면 질화물계 박막을 형성하는 단계, 및, 반극성 (11-22)면 질화물계 박막 상에 제1 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 질화물 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, m면 사파이어 기판을 적정 온도 범위에서 질화 처리함으로써, m면 사파이어 기판 상에 형성되는 반극성 (11-22)면 질화물계 박막의 결정성을 향상시킬 수 있다.
발광소자, m면 사파이어 기판, 반극성, (11-22)면, 질화 처리

公开(公告)号：KR1020090056058A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020070123032

申请日：2007-11-29

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 이성남 ,  허인회 ,  백호선

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

Abstract: A white light emitting device is provided to emit uniform light over all by forming a first and a second quantum-well layer in an active layer and moving carriers uniformly. A first nitride semiconductor layer(130) is formed on a substrate(110), and an active layer is formed on the first nitride semiconductor layer. A second nitride semiconductor layer(150) is formed on an active layer, and the active layer comprises a first quantum-well layer, radiating a blue light, and a second quantum-well layer formed on the first quantum-well layer. The second quantum-well layer radiates a green light and a red light by phase separation.

Abstract translation: 提供白色发光器件以通过在有源层中形成第一和第二量子阱层并均匀地移动载流子来发射均匀的光。 在基板（110）上形成第一氮化物半导体层（130），在第一氮化物半导体层上形成有源层。 第二氮化物半导体层（150）形成在有源层上，有源层包括第一量子阱层，辐射蓝光，以及形成在第一量子阱层上的第二量子阱层。 第二量子阱层通过相分离辐射绿光和红光。

公开(公告)号：KR100891801B1

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：KR1020070123776

申请日：2007-11-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 이성남 ,  허인회 ,  백호선

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/04

Abstract: A nitride semiconductor light emitting diode is provided to output the blue light and green light with high efficiency by using the active layer preventing the generation of the Piezo electric field. A semiconductor layer(110) is formed in a substrate. The semiconductor layer is n-type GaN. The second semiconductor layer(200) is p-type GaN doped with Zn, Cd, Mg etc. The first cladding layer(120) is formed with the n-type AlGaN material. The second clading layer(190) is formed of the p-type AlGaN material. The first optical guiding layer(130) and the second optical guiding layer(180) refract the light. The first optical guiding layer and the second optical guiding layer are formed of the n-type GaN system material and p-type GaN material.

Abstract translation: 提供了一种氮化物半导体发光二极管，通过使用防止产生压电电场的有源层，以高效率输出蓝光和绿光。 在衬底中形成半导体层（110）。 半导体层是n型GaN。 第二半导体层（200）是掺杂有Zn，Cd，Mg等的p型GaN。第一覆层（120）由n型AlGaN材料形成。 第二分支层（190）由p型AlGaN材料形成。 第一光导层（130）和第二光引导层（180）折射光。 第一光导层和第二光引导层由n型GaN系材料和p型GaN材料形成。