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公开(公告)号：KR100790729B1
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020060125826
申请日：2006-12-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: C23C16/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/458
Abstract: A chemical vapor deposition apparatus is provided to manufacture a large quantity of substrates having uniform growth rate and composition by increasing the stacking number of the substrates as deposition objects in limited internal space without expanding outer diameters of substrate holding parts. A chemical vapor deposition apparatus(100) comprises an external chamber(110) having a gas inflow part(111) and a gas exhaust part(113), an internal chamber(120) which has disposition holes(122) formed in an outer surface thereof correspondingly to a vertical surface of the external chamber and is disposed inside the external chamber, a heating part(130) disposed inside the internal chamber to provide the internal chamber with heat, substrate holding parts(140) which are rotatably disposed in the disposition holes to hold at least one substrate(2), and a drive part(150) which is connected to the substrate holding parts by means of power transfer unit to provide the substrate holding parts with power to rotate the substrate holding parts.
Abstract translation: 提供了一种化学气相沉积装置，用于通过在不扩大基板保持部件的外径的情况下，将有限的内部空间中作为沉积物体的基板的堆叠数量增加而制造具有均匀生长速度和组成的大量基板。 化学气相沉积装置（100）包括具有气体流入部分（111）和气体排出部分（113）的外部室（110），内部室（120），其具有形成在外表面 并且设置在所述外部室内，加热部（130），其设置在所述内部室内部以向所述内部室提供热量的基板保持部（140），所述基板保持部（140）可旋转地配置在所述外部室 用于保持至少一个基板（2）的孔，以及通过动力传递单元连接到基板保持部分的驱动部分（150），以向基板保持部分提供转动基板保持部分的动力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100691276B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050078448
申请日：2005-08-25
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H05B33/145 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L33/18 , Y10S977/764 , Y10S977/816 , Y10S977/90 , Y10S977/95
Abstract: 본 발명은 나노와이어 발광소자 및 제조방법에 관한 것으로서, 제1 도전형 클래드층 및 제2 도전형 클래드층과 그 사이에 활성층을 포함한 나노와이어 발광소자에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전형 클래드층과 활성층 중 적어도 한 층은, 반도체 나노와이어와 유기바인더의 혼합물을 도포하고 상기 유기바인더가 탈지하여 얻어진 반도체 나노와이어층인 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자를 제공한다.
나노와이어(nanowire), 발광소자(light emitting device), 전도성 폴리머(conductive polymer)-
公开(公告)号：KR100755637B1
公开(公告)日：2007-09-04
申请号：KR1020060097355
申请日：2006-10-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L21/205 , H01L33/30
Abstract: A method for growing InGaN and an MOCVD apparatus for growth of InGaN are provided to increase In composition in an InGaN layer and the uniformity of the InGaN layer in a substrate. A substrate is loaded on a suceptor in a reaction chamber for MOCVD. A reaction gas is introduced into the reaction chamber while heating the substrate, to grow an InGaN layer on the substrate. A temperature of the substrate is periodically changed with lapse of time, during growth of the InGaN layer. In the step of growing the InGaN layer, the substrate is heated by a first temperature and a second temperature which are alternatively repeated.
Abstract translation: 提供了用于生长InGaN的方法和用于InGaN生长的MOCVD装置，以增加InGaN层中的In组成和衬底中的InGaN层的均匀性。 在MOCVD的反应室中将载体负载在载体上。 在加热基板的同时将反应气体引入反应室，以在基板上生长InGaN层。 在InGaN层的生长期间，衬底的温度随时间而周期性地变化。 在生长InGaN层的步骤中，衬底被加热第一温度和第二温度，第一温度和第二温度交替重复。
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公开(公告)号：KR1020070024006A
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020050078448
申请日：2005-08-25
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H05B33/145 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L33/18 , Y10S977/764 , Y10S977/816 , Y10S977/90 , Y10S977/95
Abstract: A nano-wire LED device is provided to avoid generation of crystal defects by properly mixing a semiconductor nano-wire with conductive polymer so that an active layer or a clad layer with another specific conductivity type is formed. A nano-wire LED device includes a clad layer(31) of first conductivity type, a clad layer(37) of second conductivity type and an active layer(35) formed between the clad layers. At least one of the clad layers and the active layer is a semiconductor nano-wire layer(35a) formed in the manner that a mixture of a semiconductor nano wire and an organic binder is deposited and the organic binder is oil-removed. The semiconductor nano-wire has 70~95 volume percent with respect to the whole volume of the mixture.
Abstract translation: 提供纳米线LED器件，以通过将半导体纳米线与导电聚合物适当地混合来避免产生晶体缺陷，从而形成具有另一种特定导电类型的有源层或覆层。 纳米线LED器件包括第一导电类型的覆层（31），第二导电类型的覆层（37）和形成在覆层之间的有源层（35）。 包覆层和有源层中的至少一个是以沉积半导体纳米线和有机粘合剂的混合物的方式形成的半导体纳米线层（35a），并且有机粘合剂被除油。 半导体纳米线相对于混合物的整个体积具有70〜95体积％。
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公开(公告)号：KR100925060B1
公开(公告)日：2009-11-03
申请号：KR1020070113551
申请日：2007-11-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 제공한다.
본 발명은 반응가스가 공급되는 챔버내에 회전가능하게 배치되고, 가열수단을 통해 포켓에 올려진 웨이퍼의 표면에 금속 화합물을 화학적으로 증착하는 서셉터에 있어서, 상기 포켓이 상부면에 복수개 구비되고, 내측으로 일정깊이를 가지며 오목한 함몰부가 하부면에 복수개 구비되는 웨이퍼 안착부; 및 상기 함몰부에 에어캐비티(air cavity)를 형성하도록 상기 웨이퍼 안착부의 하부면에 밀착되어 상기 가열수단으로부터 제공되는 열을 상기 웨이퍼 안착부에 전달하는 열전달부;로 이루어지고, 상기 함몰부는 상기 포켓의 직경보다 작은 직경을 가지며, 상기 웨이퍼 안착부의 상부면에 복수개로 구비되는 상기 포켓의 위치에 대응하여 그 반대편인 상기 웨이퍼 안착부의 하부면에 각각 구비되고, 복수개로 구비되는 상기 포켓에 대응하여 그 이면에 각각 구비될 수 있도록 상기 포켓과 동일한 갯수로 구비되는 것을 특징으로 한다.
서셉터, 화학 기상 증착, 웨이퍼, 박막, 가열온도-
公开(公告)号：KR1020090047625A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：KR1020070113551
申请日：2007-11-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4583 , H01L21/68714
Abstract: 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 제공한다.
본 발명은 반응가스가 공급되는 챔버내에 회전가능하게 배치되고, 가열수단을 통해 포켓에 올려진 웨이퍼의 표면에 금속 화합물을 화학적으로 증착하는 서셉터에 있어서, 상기 포켓이 상부면에 복수개 구비되고, 내측으로 일정깊이를 가지며 오목한 함몰부가 하부면에 복수개 구비되는 웨이퍼 안착부; 및 상기 함몰부에 에어캐비티(air cavity)를 형성하도록 상기 웨이퍼 안착부의 하부면에 밀착되어 상기 가열수단으로부터 제공되는 열을 상기 웨이퍼 안착부에 전달하는 열전달부;로 이루어진다.
본 발명에 의하면, 포켓이 구비된 웨이퍼 안착부의 이면에 상기 포켓이 배치되는 위치에 대응하여 내측으로 일정깊이를 가지며 오목한 함몰부를 구비함으로써 휨현상이 발생한 웨이퍼를 가열하는 온도가 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일하도록 온도분포를 조절하여 균일한 두께의 박막을 가지는 우수한 품질의 웨이퍼를 제조할 수 있는 효과가 있다.
서셉터, 화학 기상 증착, 웨이퍼, 박막, 가열온도
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