公开(公告)号：KR100612854B1

公开(公告)日：2006-08-21

申请号：KR1020040060719

申请日：2004-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태완 ,  박완준 ,  박상진 ,  황인준 ,  권순주 ,  김영근 ,  감비노리차드제이.

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

Abstract: 스핀차지를 이용한 자성막 구조체와 그 제조 방법과 그를 구비하는 반도체 장치 및 이 장치의 동작방법이 개시되어 있다. 본 발명은 하부 자성막, 상기 하부 자성막 상에 형성된 터널링막 및 상기 터널링막 상에 형성된 상부 자성막을 구비하되, 상기 하부 및 상부 자성막은 자화 방향이 서로 반대일 때, 상호간에 전기 화학적 전위차가 형성되는 강자성막인 것을 특징으로 하는 자성막 구조체를 개시하고, 이러한 자성막 구조체의 제조 방법과 상기 자성막 구조체를 포함하는 반도체 메모리 장치와 그 동작 방법도 개시한다.

公开(公告)号：KR1020060011732A

公开(公告)日：2006-02-03

申请号：KR1020040060719

申请日：2004-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태완 ,  박완준 ,  박상진 ,  황인준 ,  권순주 ,  김영근 ,  감비노리차드제이.

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/15 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: Provided are a multi-purpose magnetic film structure using a spin charge, a method of manufacturing the same, a semiconductor device having the same, and a method of operating the semiconductor memory device. The multi-purpose magnetic film structure includes: a lower magnetic film; a tunneling film formed on the lower magnetic film; an upper magnetic film formed on the tunneling film, wherein the lower and upper magnetic films are ferromagnetic films forming an electrochemical potential difference therebetween when the lower and upper magnetic films have opposite magnetization directions.