公开(公告)号：KR1020070018324A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：KR1020050072937

申请日：2005-08-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강경문 ,  안봉수 ,  이동준 ,  김남수 ,  소재현

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24D7/14

Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 패드를 제공한다. 연마 패드의 상면 및 내부에 공정 진행시 연마액이 저장되는 포어들이 형성된다. 연마 패드는 중앙에 위치되며 상면 및 내부에 포어들이 제공된 내측 패드와 이를 감싸도록 배치되며 상면 및 내부에 포어들이 제공된 복수의 외측 패드들을 포함한다. 내측 패드 및/또는 외측 패드들 중 인접하는 패드들에 형성된 포어들의 밀도는 서로 상이하게 제공된다. 내측 패드는 원형의 형상으로 제공되고, 외측 패드들 각각은 환형의 형상으로 제공될 수 있다.
연마 패드, 포어, 밀도, 화학적 기계적 연마

公开(公告)号：KR100630691B1

公开(公告)日：2006-10-02

申请号：KR1020040055095

申请日：2004-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동준 ,  소재현 ,  김남수 ,  강경문

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/62 ,  C09K3/1409

Abstract: CMP 후 연마 표면에서의 연마 결함 및 스크래치 발생 빈도를 최소화할 수 있는 최적 조건을 위하여 세리아 전구체인 세륨 화합물을 710 ∼ 760℃의 범위 내에서 선택되는 온도로 열처리하여 얻어지는 산화세륨 연마 입자 및 그 제조 방법, CMP용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법, 이들을 이용한 기판 연마 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 산화세륨 연마 입자는 적어도 일부가 CeO
x (0

公开(公告)号：KR1020040013299A

公开(公告)日：2004-02-14

申请号：KR1020020046158

申请日：2002-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임영삼 ,  이기학 ,  이동준 ,  강경문 ,  소재현 ,  김남수

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/76819 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: PURPOSE: A polishing particle for slurry, a slurry composition fur polishing an insulating layer comprising an oxide layer, a preparation method of the slurry and a polishing method by using the slurry are provided, to obtain an excellent polishing uniformity without deterioration of the polishing velocity. CONSTITUTION: The polishing particle has an average particle surface area made by primary particles, of 100 m2/g or more. Preferably the diameter of the primary particles is 35 nm or less, and the polishing particle is at least one selected from the group consisting of silica, ceria, zirconia, titania and alumina. The slurry composition comprises 0.5-40 wt% of the polishing particle; 0.01-2.0 wt% of an additive; and 55-99.5 wt% of water. Preferably the additive is a dispersion stabilizer, a surfactant or their mixture, and is at least one selected from the group consisting of potassium hydroxide, sodium hydroxide, ammonium hydroxide and an amine-based compound.

Abstract translation: 目的：提供一种用于浆料的抛光颗粒，用于研磨包含氧化物层的绝缘层的浆料组合物，浆料的制备方法和使用该浆料的抛光方法，以获得优异的抛光均匀性，而不会降低抛光速度 。 构成：抛光颗粒具有由一次颗粒制成的平均颗粒表面积为100m 2 / g以上。 优选地，一次粒子的直径为35nm以下，抛光粒子为选自二氧化硅，二氧化铈，氧化锆，二氧化钛和氧化铝中的至少一种。 浆料组合物包含0.5-40重量％的抛光颗粒; 0.01-2.0重量％的添加剂; 和55-99.5重量％的水。 优选地，添加剂是分散稳定剂，表面活性剂或它们的混合物，并且是选自氢氧化钾，氢氧化钠，氢氧化铵和胺类化合物中的至少一种。

公开(公告)号：KR1020020004732A

公开(公告)日：2002-01-16

申请号：KR1020000038922

申请日：2000-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강경문 ,  이인경

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A method of cleaning a polishing pad preventing a micro scratch is provided to prevent a micro scratch from particles of slurry formed on a center portion of a polishing pad by injecting uniformly deionized water on the center portion of the polishing pad. CONSTITUTION: A discharge operation of a slurry discharged in a polishing process is stopped(S201). Deionized water is injected from a nozzle to a center portion of a polishing pad(S202). The deionized water is injected uniformly to the surface of the rotating polishing pad and a head assembly. The polishing pad is cleaned by injecting uniformly the deionized water. The number of the nozzle is one or more. A slurry is removed from a surface of the polishing pad by using a rotary force of the polishing pad(S203). The injection operation of the deionized water is stopped from the nozzle(S204).

Abstract translation: 目的：提供一种清洁抛光垫以防止微刮伤的方法，以通过在抛光垫的中心部分注入均匀的去离子水来防止在抛光垫的中心部分上形成的浆料微小划伤。 构成：在抛光处理中排出的浆料的排出动作停止（S201）。 去离子水从喷嘴喷射到抛光垫的中心部分（S202）。 去离子水均匀地注入到旋转抛光垫的表面和头部组件。 抛光垫通过均匀注入去离子水来清洁。 喷嘴的数量是一个或多个。 通过使用抛光垫的旋转力从研磨垫的表面除去浆料（S203）。 去离子水的喷射操作从喷嘴停止（S204）。

公开(公告)号：KR1020110100080A

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：KR1020100019170

申请日：2010-03-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장원문 ,  부재필 ,  탁수영 ,  안종선 ,  김신 ,  강경문

IPC: H01L21/304 ,  B24B41/06 ,  B24B9/06 ,  B24B37/20

CPC classification number: B24B41/06 ,  H01L21/304 ,  B24B9/065 ,  B24B37/20

Abstract: 웨이퍼 상에 공급되는 슬러리의 유동을 보다 용이하게 제어할 수 있는 화학적 기계적 연마 공정용 연마 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 설비를 제공한다. 상기 화학적 기계적 연마 공정용 연마 패드는 회전 대칭성 패턴의 홈이 형성된 몸체를 제공한다.

公开(公告)号：KR100814416B1

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：KR1020060094755

申请日：2006-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍기식 ,  이동준 ,  김남수 ,  강경문

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/31053

Abstract: A slurry composition for chemical mechanical polishing is provided to ensure a high polishing rate to an oxide layer even under a low pressure, thereby reducing the time required for polishing, and to minimize a polishing loss at the lower part of the oxide layer during the fabrication of a semiconductor memory device. A slurry composition shows a high planarization ratio when applied to polishing a silicon oxide layer having an upper silicon oxide layer and a lower silicon oxide layer due to a difference in height. The slurry composition comprises: 0.1-10 wt% of a seria polishing agent; 0.1-3.0 wt% of an ionic surfactant; 0.01-0.1 wt% of a non-ionic surfactant; 0.01-1.0 wt% of glutamic acid, aspartic acid or a mixture thereof that is a carboxyl group-containing amino compound as a polishing accelerator; and the balance amount of water containing a basic pH modifier.

Abstract translation: 提供用于化学机械抛光的浆料组合物，以确保即使在低压下对氧化物层的高抛光速率，从而减少抛光所需的时间，并且使制造期间氧化物层下部的抛光损耗最小化 的半导体存储器件。 当用于抛光由于高度差异而具有上氧化硅层和下氧化硅层的氧化硅层时，浆料组合物显示出高的平坦化比。 浆料组合物包含：0.1-10重量％的丝网印刷剂; 0.1-3.0重量％的离子表面活性剂; 0.01-0.1重量％的非离子表面活性剂; 0.01〜1.0重量％的作为研磨用促进剂的含羧基的氨基化合物的谷氨酸，天冬氨酸或其混合物; 以及含有碱性pH调节剂的水的平衡量。

公开(公告)号：KR100750191B1

公开(公告)日：2007-08-17

申请号：KR1020050127509

申请日：2005-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한의진 ,  김남수 ,  강경문 ,  이동준 ,  이효선

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1454 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 폴리 실리콘막의 화학 기계적 연마 공정에 사용하기 위한 슬러리 조성물, 상기 슬러리 조성물을 이용한 화학 기계적 연마 방법 및 상기 방법을 이용한 비 휘발성 메모리 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 상기 방법에 적용되는 조성물은 폴리실리콘막을 연마하기 위한 연마 입자 1 내지 20중량%와 상기 폴리실리콘막을 연마하여 폴리실리콘 패턴을 형성할 경우 형성되는 폴리시리콘 패턴에 디싱을 방지하는 비이온성 계면활성제 0.005 내지 1중량%와 염기성 화합물을 포함하는 용액을 여분으로 포함한다. 상기 조성물은 형성되는 폴리실리콘 패턴의 디싱 현상의 발생을 억제시켜 기판 내 균일성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060016498A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：KR1020040064977

申请日：2004-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 소재현 ,  문성택 ,  이동준 ,  김남수 ,  안봉수 ,  강경문

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 금속층 및 산화막의 손상을 최소화하면서 연마 효과가 우수한 슬러리 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 가공물의 연마 방법에서, 상기 슬러리 조성물은 산화제, 연마제 등을 포함하는 산성수용액에 디에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 등과 같은 글리콜계 화합물 및 아르기닌(arginine), 리신(lysine), 프롤린(proline) 등과 같은 양쪽성 이온 계면활성제를 첨가하여 제조한다. 금속층을 포함하는 반도체 기판 연마 공정시에 상기 슬러리 조성물을 사용하면 산화제의 농도를 일정하게 유지하면서도 금속층의 손상을 최소화하여 보다 우수한 연마 효과를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR101225436B1

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：KR1020110008302

申请日：2011-01-27

Applicant: 케이피엑스케미칼 주식회사 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 안봉수 ,  강경문 ,  이상목 ,  정휘국 ,  송기천 ,  김승근 ,  서장원

IPC: B24D3/02 ,  B24D18/00 ,  B24B37/04

Abstract: 본 발명은 연마 패드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 피연마 대상의 표면과 접촉하여 이동함으로써 연마 공정을 수행하는 연마 패드의 제조방법은, 폴리머 매트릭스 형성용 물질에 액상 미소 요소를 혼합하는 단계와; 상기 단계를 통해 생성된 혼합물을 겔화 및 경화시켜 임베디드된 액상 미소요소들을 구비한 연마층을 제조하는 단계와; 상기 단계에서 제조된 연마층의 적어도 한쪽 표면에 계면 활성제를 도포 또는 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020110109551A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020100029336

申请日：2010-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창수 ,  강경문

IPC: G06F3/0481 ,  G06F3/0486 ,  G06F3/0488 ,  G06F3/0489

CPC classification number: G06F3/04886

Abstract: 터치스크린 장치가 제공된다. 상기 터치스크린 장치는, 복수 개의 키를 포함한 가상 키보드를 표시하는 터치스크린, 및 상기 가상 키보드위에 터치가 발생한 경우 상기 터치가 발생된 위치에 대응하는 키를 검색하고, 상기 검색결과에 따라 상기 터치가 발생된 상기 위치의 주변에 있는 복수 개의 키를 확대해서 표시하는 처리기를 포함한다.