公开(公告)号：KR1020070055739A

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：KR1020050114075

申请日：2005-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진혜영 ,  김재석 ,  최명진 ,  정원덕 ,  최백순 ,  손병우 ,  강대열

IPC: C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: 산화막 증착 장치 내부의 세정 효율을 증가시킬 수 있는 산화막 증착 장치의 세정 방법은 실리콘 산화막 증착 공정이 수행되어 내측에 실리콘 산화물이 흡착된 공정 챔버 내부로 C
4 F
8 을 포함하는 세정 가스를 제공한다. 상기 세정 가스를 플라즈마 상태로 여기시켜 활성화된 불소 이온을 형성하는 동시에 상기 불소 이온을 상기 실리콘 산화물과 화학적 반응시켜 상기 챔버 내측벽으로부터 상기 산화물을 제거한다. 상기 C
4 F
8 가스는 종래의 C
3 F
8 가스에 비해 높은 세정 효율을 가지고 있어 배출되는 퍼플루오르 화합물(perfluoro compound)의 양이 감소하고, 동일한 세정 공정을 수행하기 위해 공급되는 가스량과 세정 시간이 단축될 수 있어 반도체 기판의 생산성 증대시킬 수 있다.