公开(公告)号：KR1020010055439A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：KR1019990056648

申请日：1999-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최명진

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for holding a semiconductor wafer are provided to minimize a vacuum loss of a susceptor and a back side deposition of the wafer. CONSTITUTION: The apparatus(10) includes the susceptor(12) on which the wafer(60) is loaded by vacuum force produced by a vacuum generator(20) connected to the susceptor(12) through a vacuum line(22). The apparatus(10) further includes a purge gas supplier(30) connected to the susceptor(12) through a supply line(32) to supply a purge gas. The susceptor(12) has a vacuum groove(14) for applying vacuum force to the wafer(60) and a vent groove(16) for flowing the purge gas to the backside of the wafer(60). The vacuum line(22) and the supply line(32) have respectively the first and second cut-off valves(24,34) sequentially driven by a controller(50). In addition, a pressure switch(40) is placed on the vacuum line(22) between the first cut-off valve(24) and the susceptor(12). The pressure switch(40) reads a pressure of the vacuum line(22) and then sends a feedback signal to the controller(50) when the pressure reaches a specific value. The feedback signal is used for opening the second cut-off valve(34) to drive the purge gas supplier(30).

Abstract translation: 目的：提供用于保持半导体晶片的装置和方法，以最小化基座的真空损失和晶片的背面沉积。 构成：装置（10）包括基座（12），通过真空发生器（20）通过真空管线（22）连接到基座（12）产生的真空力将晶片（60）装载在基座上。 设备（10）还包括通过供应管线（32）连接到基座（12）以提供净化气体的净化气体供应器（30）。 基座（12）具有用于向晶片（60）施加真空力的真空槽（14）和用于使净化气体流到晶片（60）的后侧的通气槽（16）。 真空管线（22）和供应管线（32）分别具有由控制器（50）依次驱动的第一和第二截止阀（24,34）。 此外，压力开关（40）被放置在第一截止阀（24）和基座（12）之间的真空管线（22）上。 当压力达到特定值时，压力开关（40）读取真空管线（22）的压力，然后将反馈信号发送到控制器（50）。 反馈信号用于打开第二截止阀（34）以驱动净化气体供给器（30）。

公开(公告)号：KR1020070055739A

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：KR1020050114075

申请日：2005-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진혜영 ,  김재석 ,  최명진 ,  정원덕 ,  최백순 ,  손병우 ,  강대열

IPC: C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: 산화막 증착 장치 내부의 세정 효율을 증가시킬 수 있는 산화막 증착 장치의 세정 방법은 실리콘 산화막 증착 공정이 수행되어 내측에 실리콘 산화물이 흡착된 공정 챔버 내부로 C
4 F
8 을 포함하는 세정 가스를 제공한다. 상기 세정 가스를 플라즈마 상태로 여기시켜 활성화된 불소 이온을 형성하는 동시에 상기 불소 이온을 상기 실리콘 산화물과 화학적 반응시켜 상기 챔버 내측벽으로부터 상기 산화물을 제거한다. 상기 C
4 F
8 가스는 종래의 C
3 F
8 가스에 비해 높은 세정 효율을 가지고 있어 배출되는 퍼플루오르 화합물(perfluoro compound)의 양이 감소하고, 동일한 세정 공정을 수행하기 위해 공급되는 가스량과 세정 시간이 단축될 수 있어 반도체 기판의 생산성 증대시킬 수 있다.