公开(公告)号：KR100604814B1

公开(公告)日：2006-07-28

申请号：KR1020020069665

申请日：2002-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명아 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/34

Abstract: 다양한 사이즈 및 피치의 포토레지스트 패턴을 제공할 수 있는 위상 에지 위상 반전 마스크 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 위상 에지 위상 반전 마스크는, 180°위상 반전 영역을 한정하는 트렌치를 갖는 석영 기판으로 구성된다. 상기 석영 기판 상부 소정 부분 및/또는 트렌치 바닥부의 소정 부분에 보조 패턴이 형성된다. 보조 패턴은 석영 기판 상부 및/또는 트렌치 바닥부 상의 적어도 한 곳에 형성되며, 광간섭 물질 또는 불투명 물질로 형성되어, 포토레지스트 패턴의 선폭을 제어한다.
위상 에지 위상 반전 마스크(PEPSM), 보조 패턴, 광간섭

公开(公告)号：KR100508093B1

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：KR1020030036441

申请日：2003-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명아 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/34 ,  G03F1/30

Abstract: 위상 반전 마스크 및 그 제조방법을 제공한다. 이 마스크는 노광광이 투과하고 노광광의 위상이 변경되지 않는 제1 비위상 반전영역과, 노광광이 투과하여 위상이 변경되고 제1 비위상 반전영역에 인접하는 제1 위상 반전영역과, 노광광이 투과하는 제2 비위상 반전영역과, 노광광이 투과하여 위상이 변경되고 제2 비위상 반전영역에 인접하는 제2 위상 반전영역, 및 제2 비위상 반전영역과 제2 위상 반전영역 사이에 노광광이 투과하지 않는 차광영역을 포함한다. 제1 위상 반전영역 및 제2 위상 반전영역은 마스크 기판이 식각된 홈이다. 제2 비위상 반전영역을 투과한 빛과 제2 위상 반전영역을 투과한 빛은 180°의 위상차를 가질 수 있다. 차광 영역은 제2 비위상 반전영역 및 제2 위상 반전영역에 인접하는 영역에 각각 언더 컷이 더 형성될 수 있다. 또한 제1 비위상 반전영역 및 제1 위상 반전영역에 각각 보조패턴이 더 형성될 수도 있다.

公开(公告)号：KR100475082B1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020020041226

申请日：2002-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명아 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/34

Abstract: 무크롬 위상 반전 마스크의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 무크롬 위상 반전 마스크의 제조방법은 마스크 기판을 식각하여 만들어지는 트랜치로 구성된 위상 시프터를 갖는 무크롬 위상 반전 마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 감광막 패턴을 형성한 후, 감광막 패턴 스펙을 측정한다. 상기 감광막 패턴 스펙이 오차범위 내가 아니면 위상 시프터를 구성하는 마스크 기판 내의 트랜치를 선택적으로 습식 식각하여 위상 변화 없이 마스크 스펙을 보정하는 단계를 포함한다. 이렇게 마스크 스펙을 보정하고 나면 노광 장치 및 노광 조건에 따라 개별적으로 요구되는 맞춤형 무크롬 위상 반전 마스크를 얻을 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020040041788A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020069665

申请日：2002-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명아 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/34

Abstract: PURPOSE: A PEPSM(Phase Edge Phase Shift Mask) and a manufacturing method thereof are provided to be capable of obtaining various photoresist patterns having different sizes and pitches and simplifying the manufacturing process. CONSTITUTION: A PEPSM includes a quartz substrate(100). At this time, the quartz substrate has a trench(110) for defining 180 degree phase shift region. The PEPSM further includes a plurality of sub-patterns(120) installed at the predetermined upper portion of the quartz substrate and/or at the predetermined bottom portion of the trench. Preferably, the sub-patterns are formed at the upper center portion of the quartz substrate or/and at the bottom center portion of the trench. Preferably, the sub-pattern is made of optical interference material.

Abstract translation: 目的：提供一种PEPSM（相位相移掩模）及其制造方法，其能够获得具有不同尺寸和间距的各种光刻胶图案并简化制造工艺。 构成：PEPSM包括石英基板（100）。 此时，石英衬底具有用于限定180度相移区域的沟槽（110）。 PEPSM还包括安装在石英衬底的预定上部和/或在沟槽的预定底部处的多个子图案（120）。 优选地，子图案形成在石英衬底的上中心部分处和/或在沟槽的底部中心部分处。 优选地，子图案由光学干涉材料制成。

公开(公告)号：KR1020030096464A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020020032975

申请日：2002-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명아 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an alternating PSM(Phase Shift Mask) is provided to be capable of reducing fabrication time by improving the structure of the PSM. CONSTITUTION: A blocking layer(110) is formed at the upper portion of a quartz substrate(100). A 180 degree phase shift region is formed by selectively etching the first predetermined portion of the blocking layer and the quartz substrate to a predetermined depth. Then, a 0 degree phase region is formed by selectively etching the second predetermined portion of the blocking layer. Preferably, the 180 degree phase shift region is formed by selectively patterning the blocking layer, etching the quartz substrate using the patterned blocking layer as a mask, and removing the particles generated at the exposed surface of the quartz substrate, sequentially.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造交替PSM（相移掩模）的方法，以便通过改善PSM的结构来减少制造时间。 构成：在石英基板（100）的上部形成阻挡层（110）。 通过选择性地将阻挡层和石英衬底的第一预定部分蚀刻到预定深度来形成180度相移区域。 然后，通过选择性地蚀刻阻挡层的第二预定部分来形成0度相位区域。 优选地，通过选择性地图案化阻挡层，使用图案化阻挡层作为掩模蚀刻石英基板，并依次除去在石英基板的暴露表面产生的颗粒来形成180度相移区域。

公开(公告)号：KR100468735B1

公开(公告)日：2005-01-29

申请号：KR1020020032975

申请日：2002-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명아 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: A method of manufacturing an alternating phase shift mask can be carried out in a short amount of time. A 180° phase shift region is formed using a multi-step etching process, and then a 0° phase region is formed. Forming the phase shift regions in this sequence minimizes the number of rounds of photolithography that have to be carried out in the method.

Abstract translation: 制造交替相移掩模的方法可以在短时间内进行。 A 180° 使用多步骤蚀刻工艺形成相移区域，然后在0°〜 形成相位区域。 按照该顺序形成相移区域使得该方法中必须执行的光刻次数最小化。

公开(公告)号：KR1020040105152A

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：KR1020030036441

申请日：2003-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명아 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/34 ,  G03F1/30

Abstract: PURPOSE: A phase shift mask and a manufacturing method thereof are provided to prevent the size reduction of the pattern having a low pitch, thereby enhancing the reliability of the pattern by forming an opaque region between a non-phase shifted region and a phase shifted region in mask. CONSTITUTION: A phase shift mask comprises a first phase shifted region(I), a first non-phase shifted region(II) near to the first phase shifted region, a second non-phase shifted region(III), and a second phase shifted region(IV) near the second non-phase shifted region. The phase shift further comprises an opaque region(V) between the second phase shifted region and the second non-phase shifted region. In case of the formation of a pattern having a low pitch, the second non-phase shifted region, the second phase shifted region and the opaque region are used.

Abstract translation: 目的：提供一种相移掩模及其制造方法，以防止具有低间距的图案的尺寸减小，从而通过在非相移区域和相移区域之间形成不透明区域来提高图案的可靠性 在面具。 构成：相移掩模包括第一相移区域（I），靠近第一相移区域的第一非相移区域（II），第二非相移区域（III）和第二相移区域 区域（IV）在第二非相移区域附近。 相移还包括在第二相移区域和第二非相移区域之间的不透明区域（V）。 在形成具有低间距的图案的情况下，使用第二非相移区域，第二相移区域和不透明区域。

公开(公告)号：KR1020040007944A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：KR1020020041226

申请日：2002-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명아 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/34

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a chrome-free phase shift mask is provided to be capable of changing mask specification without phase modification after manufacturing the mask. CONSTITUTION: After designing a chrome-free phase shift mask, the phase shift mask is manufactured according to the design(202,204). A photoresist pattern is formed at the upper portion of a wafer by carrying out a photo process using the phase shift mask(206). The specification of the photoresist pattern is measured(208). Whether the photoresist pattern specification is in an error range, or not, is decided(210). The specification of the phase shift mask is corrected when the photoresist pattern specification is over the error range(212).

Abstract translation: 目的：制造无铬相移掩模的方法能够在制造掩模之后能够改变掩膜规格而不进行相位改变。 构成：设计无铬相移掩模后，根据设计制造相移掩模（202,204）。 通过使用相移掩模（206）进行光刻处理，在晶片的上部形成光致抗蚀剂图案。 测量光刻胶图案的规格（208）。 决定（210）是否光致抗蚀剂图案规格在误差范围内。 当光致抗蚀剂图案规格超过误差范围（212）时，校正相移掩模的规格。