-
公开(公告)号：KR1020160095284A
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：KR1020150016178
申请日：2015-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/32 , G03F1/36 , G03F1/78 , H01L21/0274 , G03F7/2002
Abstract: 본발명은전자빔 노광방법및 그를포함하는기판제조방법을개시한다. 그의방법은, 기판에형성될타깃패턴을디자인하는단계와, 상기기판상에형성되는포토레지스트에제공될빔들의제 1 도즈값들을갖는제 1 도즈맵을도출하는단계와, 상기빔들의중첩에의해상기제 1 도즈값들보다증감되는제 2 도즈값들을갖는제 2 도즈맵을도출하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及电子束曝光方法及其制造方法。 曝光电子束的方法包括以下步骤：设计要在基板上形成的目标图案; 得到具有要提供给形成在所述基底上的光致抗蚀剂的所述光束的第一剂量值的第一剂量图; 并且得出具有第二剂量值的第二剂量图，所述第二剂量值通过所述束的重叠而增加和减少多于所述第一剂量值。
-
公开(公告)号：KR1020150122553A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：KR1020140073681
申请日：2014-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/0275
Abstract: 세틀링시간제어를이용하는노광방법을제공한다. 노광시스템의빔 발생부로부터하전입자빔을조사한다. 기판상의노광대상영역중 주편향기에의해정해지는사이즈를가지는메인필드영역내에서최종적으로조사된빔 샷의제1 위치로부터후속될빔 샷의제2 위치까지의편향거리가제1 거리이내인지판별한다. 제2 위치까지의편향거리가제1 거리이내일때 후속될빔 샷의안정화를위한세틀링시간이 0 보다큰 일정한최소치로설정되도록편향거리에따른세틀링시간을설정한다. 설정된세틀링시간에의거하여주 편향기를이용하여빔을편향시켜제2 위치에빔 샷을조사한다.
Abstract translation: 使用用于建立时间的控制的曝光方法可以包括：在包括光束发生器的曝光系统中照射带电粒子束; 确定从射出的最近辐射光束的第一位置到后续光束射击的第二位置的偏转距离是否在基板上的曝光目标区域的主场区域中的第一距离内，并且主场区域具有 尺寸由主导流板决定; 根据所述偏转距离设定建立时间，使得当从所述第一位置到所述第二位置的偏转距离在所述第一距离内时，所述后续射束的建立时间被设定为大于零的恒定最小值; 以及基于所设置的建立时间使用所述主偏转器偏转所述光束，以将射束辐射到所述第二位置。
-
公开(公告)号：KR100594289B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040057546
申请日：2004-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 종래의 크롬리스 위상 반전 마스크로는 구현할 수 없었던 현상 후 CD(ADI CD : After Development Inspection CD)를 구현할 수 있는 크롬리스 위상 반전 마스크 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 크롬리스 위상 반전 마스크는 마스크 기판, 및 이 마스크 기판을 식각하여 마련된 다수의 위상 반전부를 포함한다. 여기서, 다수의 위상 반전부는 서로 다른 식각 깊이를 가진다.
-
公开(公告)号：KR100594234B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020030087981
申请日：2003-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 편광 현상을 이용하여 해상도를 향상시킬 수 있는 포토 마스크와 그 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크는 석영으로 형성된 투명 기판, 투명 기판 상에 순차적으로 형성된 외부 반사용 패턴 및 차광 패턴을 포함한다. 여기서, 외부 반사용 패턴은 투명 기판을 소정의 패턴으로 오픈시켜서 투광 영역을 한정하며, 차광 패턴과 상기한 외부 반사용 패턴은 크기 및 모양이 같다.
포토 마스크, 해상도 향상 기술, 편광, TE파, TM파-
公开(公告)号：KR100508093B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020030036441
申请日：2003-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 위상 반전 마스크 및 그 제조방법을 제공한다. 이 마스크는 노광광이 투과하고 노광광의 위상이 변경되지 않는 제1 비위상 반전영역과, 노광광이 투과하여 위상이 변경되고 제1 비위상 반전영역에 인접하는 제1 위상 반전영역과, 노광광이 투과하는 제2 비위상 반전영역과, 노광광이 투과하여 위상이 변경되고 제2 비위상 반전영역에 인접하는 제2 위상 반전영역, 및 제2 비위상 반전영역과 제2 위상 반전영역 사이에 노광광이 투과하지 않는 차광영역을 포함한다. 제1 위상 반전영역 및 제2 위상 반전영역은 마스크 기판이 식각된 홈이다. 제2 비위상 반전영역을 투과한 빛과 제2 위상 반전영역을 투과한 빛은 180°의 위상차를 가질 수 있다. 차광 영역은 제2 비위상 반전영역 및 제2 위상 반전영역에 인접하는 영역에 각각 언더 컷이 더 형성될 수 있다. 또한 제1 비위상 반전영역 및 제1 위상 반전영역에 각각 보조패턴이 더 형성될 수도 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050019209A
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：KR1020030056845
申请日：2003-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for correcting photomask is provided to use directly as the resist pattern layout for compensation by automatically extracting the layout of compensation area. CONSTITUTION: A photomask is formed according to the layout of a device. A measuring map is formed by measuring data with respect to an area that a correction is required thereof in the photomask. The layout of a compensation area is extracted by reforming an area distinguished from other area in the measuring map on the basis of a cell block of the layout as a reference unit. A resist pattern for compensation complying with the layout of the extracted compensation area is formed on the photomask. The photomask area exposed by the resist pattern for compensation is compensated.
Abstract translation: 目的：提供一种校正光掩模的方法，通过自动提取补偿区域的布局，直接使用抗蚀剂图案布局进行补偿。 构成：根据设备的布局形成光掩模。 通过测量关于在光掩模中需要校正的区域的数据来形成测量图。 基于作为参考单元的布局的单元块，通过对测量图中与其他区域区别的区域进行重排来提取补偿区域的布局。 在光掩模上形成符合提取的补偿区域的布局的补偿抗蚀剂图案。 补偿由抗蚀剂图案曝光的光掩模区域。
-
公开(公告)号：KR100455384B1
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020020021681
申请日：2002-04-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/30
Abstract: 본 발명의 마스크는 노광원에 대해 투명한 기판 및 기판 상에 형성되어 규칙적으로 배열된 복수개의 투광영역들을 정의하는 웨이브 가이드 패턴을 포함하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크이다. 웨이브 가이드 패턴에 의해 정의되는 복수개의 투광 영역들은 기판 내의 리세스영역으로 이루어진 복수개의 반전 투광 영역들과 상기 반전 투광 영역들과 각각 교대로 배열된 복수개의 비반전 투광 영역들을 포함한다. 본 발명의 마스크는 ΔCD 및 X-현상이 발생하지 않거나 최소화되며, 제조 공정시 공정 마진이 넓고 불투명 결함원이 발생하지 않는다. 본 발명의 마스크를 제조하는 방법 또한 제공된다.
Abstract translation: 波导引交替相移掩模（WGAPSM）包括对来自曝光光源的光透明的基板和形成在基板上的波导图案，以限定规则排列的多个透明区域。 由波导图案限定的透明区域包括由衬底的凹陷区域形成的多个移位透明区域和与移位透明区域交替布置的多个非移位透明区域。 所提供的WGAPSM可将临界尺寸差异和X效应的误差降至最低，同时确保较大的工艺余量并且不会产生不透明的缺陷。 还提供了用于所提供的WGAPSM的制造方法。
-
公开(公告)号：KR1020000039635A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980055034
申请日：1998-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for correcting defects of a photomask is provided to generate no riverbed on the substrate of the photomask after correcting defects. CONSTITUTION: A mask for correcting defects of a photomask comprises forming a blocking layer(30) of carbon on a pattern(20) around opaque defects(24) and removing the opaque defects(24) by applying laser to the region larger than the defects(24), wherein the region covers all defects(24). The blocking layer(30) is formed by a focused ion beam.
Abstract translation: 目的：提供一种校正光掩模缺陷的方法，用于在校正缺陷后在光掩模的基板上不产生河床。 构成：用于校正光掩模缺陷的掩模包括在不透明缺陷（24）周围的图案（20）上形成碳的阻挡层（30），并通过对大于缺陷的区域施加激光来去除不透明缺陷（24） （24），其中所述区域覆盖所有缺陷（24）。 阻挡层（30）由聚焦离子束形成。
-
公开(公告)号：KR1019980037955A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960056779
申请日：1996-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신인균
IPC: H01L21/027
Abstract: 위상반전마스크의 결함중 클리어 확장(clear extension)에 대하여 수정(repair)을 하지 않고 제조 단계에서 미리 해결할 수 있는 위상반전마스크의 제조 방법을 개시한다.
석영기판 상에 크롬층을 형성하는 제1 단계; 상기 크롬층 상에 위상반전층 형성을 위한 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 제2 단계; 및 발생할지 모르는 결함이 자체적으로 상쇄 간섭되어지도록 상기 제1 포토레지스트 패턴을 실제 위상반전영역 패턴보다 오버 디자인하여 노광하고 패터닝하여 상기 석영기판을 식각함으로써 위상반전영역을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 제3 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벤슨 위상반전마스크 제조 방법을 제공한다.
상기 오버 디자인의 노광영역은 발생되어지는 결함 크기의 1/2 되는 지점에 배치하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 의하면 서로 상쇄 간섭 효과를 이용함으로써 수정 장비를 이용하지 않고 석영 에칭형 레벤슨 위상반전마스크 제작중 발생하는 결함중 쉬프터 영역에 발생하는 클리어 확장 결함을 보정할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980020629A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960039148
申请日：1996-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 레벤슨형 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관하여 기재하고 있다.
이는, 석영 기판상에 차광막 및 소정 형상의 제1패턴을 갖는 제1감광막을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 제1감광막은 위상 반전층의 형성 영역을 한정시키기 위한 제2패턴을 구비한 제2감광막으로 형성되는 단계와, 상기 제2감광막을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 상기 차광막의 일부를 제거하여서 상기 차광막은 제1패턴 및 제2패턴을 구비한 형상으로 형성되는 단계와, 상기 제2감광막을 제거하는 단계와, 상기 결과물상에 위상 반전층의 형성 영역을 노출시키는 제3패턴을 구비한 제3감광막을 형성시키는 단계와, 상기 제3감광막을 식각 마스크로 하는 식각 공정에 의하여 노출되는 석영 기판에 트렌치를 형성시킴으로서 위상 반전층을 형성시키는 단계와, 상기 제3감광막을 제거하는 단계로 이루어진다. 따라서, 본 발명에 따르면, 위상 반전층 및 무위상 반전층의 선폭 크기를 상이한 크기로 한정시킴으로서 형성되는 위상 반전 마스크를 투과하는 빛의 임계 선폭 차이가 발생되는 것을 방지시키고 위상 반전 마스크의 제조시 칩핑 현상이 발생되는 것을 방지시키며 그 결과 위상 반전 마스크의 신뢰도 및 성능을 향상시킨다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
77
records
(took 0.027 seconds)
