公开(公告)号：KR1020160123441A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：KR1020150053177

申请日：2015-04-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이몽섭 ,  손윤호 ,  이상준 ,  강문권 ,  김경현 ,  황인석

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/316 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888

Abstract: 산화물을포함하는절연막이형성된기판을챔버에로딩하고, 챔버내에식각소스를포함하는공정가스를주입하여상기절연막의적어도일부를제거한다. 제거공정은식각소스의공급이제 1 유량인제 1 기간및 상기제 1 유량보다적은제 2 유량인제 2 기간이복수회 반복되는펄스타입으로진행되고, 제거공정동안챔버내의온도는 100℃이상으로유지된다.

Abstract translation: 具有包含氧化物的绝缘层的衬底被加载到腔室中，并且通过将包括蚀刻源气体的处理气体注入到室中来去除绝缘层的至少一部分。 去除处理以多次重复第一周期和第二周期的脉冲类型执行。 蚀刻源气体在第一时段期间以第一流量供应，并且在第二时段期间以小于第一流量的第二流量供应。 在除去过程中，室内温度保持在100℃或更高。