公开(公告)号：KR20210028521A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020190109722A

申请日：2019-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손영환 ,  이승원 ,  강서구 ,  임주영 ,  한지훈

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C16/10 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/40117

Abstract: 수직형 비휘발성 메모리 장치는 기판 상에 형성되어 상기 기판 상면에 수직한 제1 방향으로 연장된 채널, 상기 채널의 외측벽을 감싸는 제1 전하 저장 구조물, 상기 채널의 내측벽에 형성된 제2 전하 저장 구조물, 상기 기판 상에 상기 제1 방향으로 서로 이격되고 각각이 상기 제1 전하 저장 구조물을 둘러싸는 제1 게이트 전극들, 및 상기 제2 전하 저장 구조물의 내측벽 상에 형성된 제2 게이트 전극을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR20210029871A

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：KR1020190110621A

申请日：2019-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손영환 ,  정상훈 ,  홍상준 ,  강서구 ,  한지훈

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/66666 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L29/40114

Abstract: 정보 저장 패턴을 포함하는 반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 하부 구조물; 상기 하부 구조물 상에서, 차례로 적층된 층간 절연 층 및 게이트 층을 포함하는 적층 구조물; 및 상기 적층 구조물을 관통하는 수직 구조물을 포함한다. 상기 수직 구조물은 상기 층간 절연 층 및 상기 게이트 층을 관통하는 절연성 코어 영역, 적어도 상기 절연성 코어 영역의 측면을 덮는 채널 반도체 층, 상기 채널 반도체 층과 상기 게이트 층 사이의 정보 저장 패턴, 적어도 상기 정보 저장 패턴과 상기 게이트 층 사이에 개재된 제1 유전체 층 및 적어도 상기 정보 저장 패턴과 상기 채널 반도체 층 사이에 개재된 제2 유전체 층을 포함하고, 상기 정보 저장 패턴은 상기 게이트 층과 마주보는 제1 측면, 및 상기 채널 반도체 층과 마주보는 제2 측면을 갖고, 상기 정보 저장 패턴의 상기 제2 측면은 오목한 부분을 갖는다.